一种用于提高离化率的类金刚石碳膜沉积设备制造技术

本实用新型专利技术属于真空镀膜技术领域，具体涉及一种用于提高离化率的类金刚石碳膜沉积设备，包括沉积壳体、第一离子源离化装置、抽真空系统、脉冲直流偏压电源系统；第一离子源离化装置包括用于产生电子流的第一灯丝、用于通入气体使其与第一灯丝发出的电子碰撞电离的气源管；离子源离化装置包括离化壳体，离化壳体与沉积壳体相连接且离化壳体内腔与沉积壳体的内腔相连通，第一灯丝设置于离化壳体远离沉积壳体的一端；离化壳体内设有正交电磁场，使得灯丝发出的电子在电场和磁场共同的作用下能在离化装置产生螺旋运动，大大电子的运动路径长度和通入的气体产生电离的时间，从而提高离化率，使薄膜沉积更为迅速，从而符合大规模工业化生产的标准。工业化生产的标准。工业化生产的标准。

【技术实现步骤摘要】
一种用于提高离化率的类金刚石碳膜沉积设备


[0001]本技术属于真空镀膜
，具体涉及一种用于提高离化率的类金刚石碳膜沉积设备。

技术介绍

[0002]类金刚石膜涂层(Diamond
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like Carbon)简称DLC涂层。类金刚石(DLC)薄膜是一种含有一定量金刚石键(sp3)的非晶碳的亚稳类的薄膜。薄膜的主要成分是碳，因为碳能以三种不同的杂化方式sp3、sp2和spl存在，所以碳可以形成不同晶体的和无序的结构。这也使得对碳基薄膜的研究变得复杂化。在sp3杂化结构中,一个碳原子的四个价电子被分配到具有四面体结构的定向的sp3轨道中,碳原子与相邻的原子形成很强的
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键,这种键合方式我们通常也称之为金刚石键。在SP2杂化结构中,碳的四个价电子中的三个进入三角形的定向的SP2轨道中,并在一个平面上形成
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键,第四个电子位于同
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键一个平面的pπ轨道。π轨道同一个或多个相邻的原子形成弱的π键。而在SPl结构中，四个价电子中的两个进入π轨道后各自在沿着x轴的方向上形成
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于提高离化率的类金刚石碳膜沉积设备，包括具有真空腔体的沉积壳体（1）、第一离子源离化装置、抽真空系统、交流灯丝加热电源、脉冲或直流或脉冲叠加直流偏压电源系统、脉冲或直流或脉冲叠加直流辅助阳极电源；所述沉积壳体（1）上设有抽真空口（3），所述抽真空口（3）与抽真空系统相连接；所述沉积壳体（1）内设有用于放置镀膜过程中所镀工件的工件转架（4）；所述沉积壳体（1）内壁上固定有用于镀膜的第一靶材（5）；所述第一离子源离化装置包括用于产生电子流的第一灯丝（12）、用于通入气体使其与第一灯丝（12）发出的电子碰撞电离的气源管；所述第一灯丝（12）接入交流灯丝加热电源的正负极用以工作过程中产生电子；其特征在于：所述离子源离化装置包括离化壳体（2），所述离化壳体（2）与沉积壳体（1）相连接且所述离化壳体（2）内腔与沉积壳体（1）的内腔相连通，所述第一灯丝（12）设置于所述离化壳体（2）远离沉积壳体（1）的一端；所述工件转架（4）接所述脉冲或直流或脉冲叠加直流偏压电源系统的电源负极，同时，所述离化壳体（2）内或沉积壳体（1）内设有辅助阳极（6），所述辅助阳极（6）接所述脉冲或直流或脉冲叠加直流辅助阳极电源的电源正极；所述离化壳体（2）上设有磁场组件（7），所述磁场组件（7）用于在离化壳体（2）内腔形成闭合的磁场，所述磁场与电场形成正交电磁场。2. 根据权利要求1所述的用于提高离化率的类金刚石碳膜沉积设备，其特征在于：所述磁场组件（7）包括两个相平行设置的线圈, 两个相平行设置的线圈固定在离化壳体（2）两侧侧壁上。3.根据权利要求2所述的用于提高离化率的类金刚石碳膜沉积设备，其特征在于：所述线圈为矩形线圈。4.根据权利要求1所述的用于提高离化率的类金刚石碳膜沉积设备，其特征在于：所述磁场组件（7）包括若干组永磁体，每组永磁体包括两个位置相对且...

【专利技术属性】
技术研发人员：郎文昌，张祖航，章柯，林琪澳，张振华，
申请(专利权)人：温州职业技术学院，
类型：新型
国别省市：