包括一层或多层单层无定形膜的电子器件及其形成方法技术

各种实施例涉及一种电子器件，该电子器件包括：衬底以及阻挡层；该阻挡层包括位于衬底上方的一层或多层单层无定形膜，该衬底包括合适的半导体或合适的聚合物材料。阻挡层可以被设置为抑制或减少水分或气体从环境渗透到衬底。各种实施例涉及一种电子器件，该电子器件包括：第一器件结构，包括导电材料；第二器件结构，包括另外的导电材料或半导体材料；以及阻挡层，阻挡层包括在第一器件结构和第二器件结构之间的一层或多层单层无定形膜。阻挡层可以被设置为抑制或减少第一器件结构和第二器件结构之间的相互扩散。结构之间的相互扩散。结构之间的相互扩散。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包括一层或多层单层无定形膜的电子器件及其形成方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2019年9月20日提交的新加坡申请号10201908768S的优先权，其内容通过引用整体并入本文以用于所有目的。


[0003]本公开的各个方面涉及一种包括一层或多层单层无定形膜(MAF)的电子器件。本公开的各个方面涉及一种形成包括一层或多层单层无定形膜(MAF)的电子器件的方法。

技术介绍

[0004]诸如有机发光二极管(OLED)显示器、薄膜晶体管(TFT)、钙钛矿和有机太阳能电池之类的柔性电子器件具有聚合物衬底，因此这些器件是透明的、柔性的并且具有低功耗。然而，例如，在OLED显示器中用作自发光组件的有机材料极易受到水分和大气氧气的影响，尤其是在潮湿条件下。湿度会逐渐降低器件的功能。因此，需要保护阻挡层层或薄膜来保护OLED显示器或其他有机或钙钛矿太阳能电池器件免受氧气和湿气的渗透，从而延长此类器件的使用寿命。薄膜阻隔层的质量通过氧气渗透含量以及水蒸气透过率(WVTR)来评估。
[0005]诸如聚对二甲苯C、聚对本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电子器件，包括：衬底，所述衬底包括合适的半导体或合适的聚合物材料；以及阻挡层，所述阻挡层包括在所述衬底上的一层或多层单层无定形膜；其中，所述阻挡层被设置为抑制或减少水分或气体从环境渗透到衬底。2.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述一层或多层单层无定形薄膜为单层无定形碳薄膜、无定形氮化硼薄膜、单层无定形二硫化钼薄膜、单层无定形二硫化钨薄膜、单层无定形硼烯薄膜、单层无定形过渡金属二硫化物薄膜、单层无定形碳氮化硼薄膜，或异质原子掺杂薄膜或合金。3.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述一层或多层单层无定形膜中的每一层具有选自0.4nm至1nm范围内的厚度。4.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述一层或多层单层无定形膜形成叠层。5.根据权利要求1所述的电子器件，还包括：位于所述衬底上的保护层。6.根据权利要求5所述的电子器件，其中，所述保护层包括氧化物或聚合物。7.根据权利要求6所述的电子器件，其中，所述氧化物是氧化铝或氧化铪。8.根据权利要求6所述的电子器件，其中，所述聚合物是聚对二甲苯C。9.根据权利要求5所述的电子器件，其中，所述一层或多层单层无定形膜位于所述保护层和所述衬底之间。10.根据权利要求5所述的电子器件，其中，所述保护层位于所述一层或多层无定形膜与所述衬底之间。11.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述电子器件为有机发光二极管或薄膜晶体管。12.根据权利要求1所述的电子器件，其中，存在于所述一层或多层单层无定形膜中的sp3/sp2的键比为0.1或以下。13.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述一层或多层单层无定形膜具有小于10
‑4cc m
‑2天
‑1的氧渗透含量；以及其中，所述一层或多层单层无定形薄膜的水蒸气透过率小于10
‑5g m
‑2天
‑1。14.一种形成电子器件的方法，包括：在衬底上形成包括一层或多层单层无定形膜的阻挡层；其中，所述衬底包括合适的半导体或合适的聚合物材料；以及其中，所述阻挡层被设置为抑制或减少水分或气体从环境渗透到所述衬底。15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述一层或多层单层无定形膜通过化学气相沉积工艺形成在所述衬底上。16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述化学气相沉积工艺为激光化学气相沉积工艺。17.根据权利要求15所述的方法，其中，进行所述化学气相沉积工艺的温度是低于300℃的任何合适的温度。18.根据权利要求14所述的方法，其中，所述一层或多...

【专利技术属性】
技术研发人员：巴巴罗斯，
申请(专利权)人：新加坡国立大学，
类型：发明
国别省市：