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本实用新型属于真空镀膜技术领域，具体涉及一种用于提高离化率的类金刚石碳膜沉积设备，包括沉积壳体、第一离子源离化装置、抽真空系统、脉冲直流偏压电源系统；第一离子源离化装置包括用于产生电子流的第一灯丝、用于通入气体使其与第一灯丝发出的电子碰撞电...
该专利属于温州职业技术学院所有，仅供学习研究参考，未经过温州职业技术学院授权不得商用。

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