零待机输入的开关电源电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种零待机输入的开关电源电路，包括电池J6、MOS管Q52、三极管Q53和轻触开关K3，所述电池J6的输出端与所述MOS管Q52的源极连接，所述MOS管Q52的漏极接负载MCU的供电端，所述轻触开关K3的一端接地，所述轻触开关K3的另一端与所述MOS管Q52的栅极连接，所述三极管Q53的基极接负载MCU的IO口，所述三极管Q53的发射极接地，所述三极管Q53的集电极与所述MOS管Q52的栅极连接。本实用新型专利技术的有益效果是：实现了零待机输入，降低了功耗。降低了功耗。降低了功耗。

【技术实现步骤摘要】
零待机输入的开关电源电路


[0001]本技术涉及开关电源电路，尤其涉及一种零待机输入的开关电源电路。

技术介绍

[0002]低功耗设计(Low
‑
Power Design)是许多设计人员必须面对的问题，其原因在于嵌入式系统被广泛应用于便携式和移动性较强的产品中去，而这些产品不是一直都有充足的电源供应，往往是靠电池来供电，所以设计人员从每一个细节来考虑降低功率消耗，从而尽可能地延长电池使用时间。事实上，从全局来考虑低功耗设计已经成为了一个越来越迫切的问题。
[0003]因此，如何提供一种零待机输入的开关电源电路，是本领域技术人员所亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0004]为了解决现有技术中的问题，本技术提供了一种零待机输入的开关电源电路。
[0005]本技术提供了一种零待机输入的开关电源电路，包括电池J6、MOS管Q52、三极管Q53和轻触开关K3，所述电池J6的输出端与所述MOS管Q52的源极连接，所述MOS管Q52的漏极接负载MCU的供电端，所述轻触开关K3的一端接地，所述轻触开关K3的另一端与所述MOS管Q52的栅极连接，所述三极管Q53的基极接负载MCU的IO口，所述三极管Q53的发射极接地，所述三极管Q53的集电极与所述MOS管Q52的栅极连接，
[0006]开机时，触发轻触开关K3，则MOS管Q52的栅极接收为低电平，MOS管Q52导通，电池J6向负载MCU供电，供电后，负载MCU启动工作，负载MCU的IO口向三极管Q53的基极输出高电平，使三极管Q53和MOS管Q52保持导通，完成开动作；
[0007]待机时，负载MCU进入待机模式，则负载MCU的IO口向三极管Q53的基极输出低电平，则三极管Q53和MOS管Q52不导通，从而切断了电池J6的供电，实现零待机。
[0008]作为本技术的进一步改进，所述的零待机输入的开关电源电路还包括滤波电容CS55和滤波电容CS56，所述滤波电容CS55的一端接地，另一端接所述MOS管Q52的源极，所述滤波电容CS56的一端接地，另一端接所述MOS管Q52的漏极。
[0009]作为本技术的进一步改进，所述的零待机输入的开关电源电路还包括上拉电阻RS40，所述上拉电阻RS40的一端接所述MOS管Q52的栅极，另一端接所述MOS管Q52的源极。
[0010]作为本技术的进一步改进，所述的零待机输入的开关电源电路还包括信号反向二极管D11和信号反向二极管D13，所述信号反向二极管D11的阳极与所述MOS管Q52的栅极连接，所述信号反向二极管D11的阴极分别与所述轻触开关K3、信号反向二极管D13的阴极连接，所述信号反向二极管D13的阳极接负载MCU的GPIO口。
[0011]作为本技术的进一步改进，所述的零待机输入的开关电源电路还包括电阻RS41和电阻RS39，所述电阻RS41的一端接三极管Q53的基极，另一端接负载MCU的IO口，所述
电阻RS39的一端接三极管Q53的基极，另一端接地。
[0012]本技术的有益效果是：通过上述方案，实现了零待机输入，降低了功耗。
附图说明
[0013]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的方案。
[0014]图1是本技术一种零待机输入的开关电源电路的电路图。
具体实施方式
[0015]需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0016]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术保护范围的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
[0017]在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0018]下面结合附图说明及具体实施方式对本技术作进一步说明。
[0019]如图1所示，一种零待机输入的开关电源电路，包括电池J6、MOS管Q52、三极管Q53和轻触开关K3，所述电池J6的输出端与所述MOS管Q52的源极连接，所述MOS管Q52的漏极接负载MCU的供电端（即图1中的VBAT），所述轻触开关K3的一端接地，所述轻触开关K3的另一端与所述MOS管Q52的栅极连接，所述三极管Q53的基极接负载MCU的IO口POW_EN，所述三极管Q53的发射极接地，所述三极管Q53的集电极与所述MOS管Q52的栅极连接，
[0020]开机时，长按轻触开关K3三秒，则MOS管Q52的栅极接收为低电平，MOS管Q52导通，电池J6向负载MCU供电，供电后，负载MCU启动工作，负载MCU的IO口POW_EN向三极管Q53的基极输出高电平，使三极管Q53和MOS管Q52保持导通，完成开动作；
[0021]待机时，如果设备设定时间（例如2分钟）内无任何使用，则负载MCU自动进入待机模式，则负载MCU的IO口POW_EN由高电平变为低电平，则三极管Q53不导通，使得MOS管Q52也不导通，从而切断了电池J6的供电，实现零待机。
[0022]所述的零待机输入的开关电源电路还包括电源输入输出的滤波电容CS55和滤波
电容CS56，所述滤波电容CS55的一端接地，另一端接所述MOS管Q52的源极，所述滤波电容CS56的一端接地，另一端接所述MOS管Q52的漏极。
[0023]所述的零待机输入的开关电源电路还包括MOS管Q52的控制极的上拉电阻RS40，所述上拉电阻RS40的一端接所述MOS管Q52的栅极，另一端接所述MOS管Q52的源极。
[0024]所述的零待机输入的开关电源电路还包括信号反向二极管D11和信号反向二极管D13，所述信号反向二极管D11的阳极与所述MOS管Q52的栅极连接，所述信号反向二极管D11的阴极分别与所述轻触开关K3、信号反向二极管D13的阴极连接，所述信号反向二极本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种零待机输入的开关电源电路，其特征在于：包括电池J6、MOS管Q52、三极管Q53和轻触开关K3，所述电池J6的输出端与所述MOS管Q52的源极连接，所述MOS管Q52的漏极接负载MCU的供电端，所述轻触开关K3的一端接地，所述轻触开关K3的另一端与所述MOS管Q52的栅极连接，所述三极管Q53的基极接负载MCU的IO口，所述三极管Q53的发射极接地，所述三极管Q53的集电极与所述MOS管Q52的栅极连接。2.根据权利要求1所述的零待机输入的开关电源电路，其特征在于：所述的零待机输入的开关电源电路还包括滤波电容CS55和滤波电容CS56，所述滤波电容CS55的一端接地，另一端接所述MOS管Q52的源极，所述滤波电容CS56的一端接地，另一端接所述MOS管Q52的漏极。3.根据权利要求1所述的零待机输入的开关电源电路，其特征在于：所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐文军，胡自华，
申请(专利权)人：深圳市富临通实业股份有限公司，
类型：新型
国别省市：