芯片失效分析定位方法、装置、设备及存储介质制造方法及图纸

本申请提供一种芯片失效分析定位方法、装置、设备及存储介质，其中，芯片失效分析定位方法包括以下步骤：获取待分析产品的芯片层的结构图像，所述待分析产品包括至少两层芯；根据所述芯片层的结构图像构建所述待分析产品的三维图像；基于所述待分析产品的三维图像对所述待分析产品进行失效定位分析。本申请能够形成三维图像，从而能够基于三维图像高效地对整个芯片进行失效分析。个芯片进行失效分析。个芯片进行失效分析。

【技术实现步骤摘要】
芯片失效分析定位方法、装置、设备及存储介质


[0001]本申请涉及芯片测试领域，具体而言，涉及一种芯片失效分析定位方法、装置、设备及存储介质。

技术介绍

[0002]随着半导体工艺的飞速发展，集成电路依然是通信、多媒体以及计算机技术的核心之一。目前，集成电路向多层连接结构的方向，因此需要一种能够对多层连接结构的芯片进行失效分析定位的方法。

技术实现思路

[0003]本申请实施例的目的在于提供一种芯片失效分析定位方法、装置、设备及存储介质，用以对多层结构的芯片进行失效分析定位。
[0004]为此，本申请第一方面公开一种芯片失效分析定位方法，所述方法包括：
[0005]获取待分析产品的芯片层的结构图像，所述待分析产品包括至少两层芯片层；
[0006]根据所述芯片层的结构图像构建所述待分析产品的三维图像；
[0007]基于所述待分析产品的三维图像对所述待分析产品进行失效定位分析。
[0008]本申请的芯片失效分析定位方法通过获取待分析产品的芯片层的结构图像，进而能够根据芯片层的结构图像构建待分析本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片失效分析定位方法，其特征在于，所述方法包括：获取待分析产品的芯片层的结构图像，所述待分析产品包括至少两层芯；根据所述芯片层的结构图像构建所述待分析产品的三维图像；基于所述待分析产品的三维图像对所述待分析产品进行失效定位分析。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取待分析产品的芯片层的结构图像，包括：获取金相显微镜或扫描显微镜在所述待分析产品被激光开封后生成的第一图像；获取所述金相显微镜或所述扫描显微镜在述待分析产品的每层通孔层暴露后生成的第二图像。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述获取金相显微镜或扫描显微镜在所述待分析产品被激光开封后生成的第一图像之前，所述方法还包括：切割所述待分析产品的陶瓷壳体，直至所述待分析产品剩下芯片部位和设置在所述芯片部位的四周的包封环氧胶；基于预设激光开封条件对所述芯片部位的四周的包封环氧胶进行激光开封，直至开封到所述待分析产品的键合丝位置。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述预设激光开封条件为。开封机的功率为10～30KV。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述切割所述待分析产品的陶瓷壳体之前，所述方法还包括：研磨所述待分析产品，直至所述待分析产品的金属盖被打开；当所述待分析产品的金属盖被打开后...

【专利技术属性】
技术研发人员：林晓玲，杨颖，马丽利，梁朝辉，高汭，
申请(专利权)人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所工业和信息化部电子第五研究所中国赛宝实验室，
类型：发明
国别省市：