【技术实现步骤摘要】
SRP样品的制备方法、研磨装置及检测方法
[0001]本专利技术涉及半导体制备
,尤其是涉及一种SRP样品的制备方法、研磨装置及检测方法。
技术介绍
[0002]SRP(Spreading resistance profile,扩展电阻分布)测试是一种以较高分辨率测试半导体材料扩散电阻、电阻率、载流子浓度分布等电学参数的方法,在测量电阻率及掺杂浓度等方面得到广泛应用。SRP测试通过两根探针在样品斜截面上接触式的测量来获得数据,可快速的获得载流子浓度、电阻率和电活性杂质密度等随深度分布的曲线。
[0003]随着半导体工艺的提高,SRP样品的集成度也越来越高,在小面积的SRP分析中由于无法研磨的原因使得样品可测面积较小,导致下针距离受限,检测效果较差。
技术实现思路
[0004]有鉴于此,本专利技术的目的在于提供一种SRP样品的制备方法、研磨装置及检测方法,针对小规格的SRP样品利用同类别的样品进行拼接,增加SRP样品的制样面积,使得拼接后的SRP样品具有足够的下针距离,提升了检测效果。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种SRP样品的制备方法,其特征在于,所述方法包括:选取多个相同类型的初始SRP样品;其中,所述初始SRP样品为回型结构;按照预设磨片规格确定需制备的SRP样品区域,并根据所述SRP样品区域确定所述初始SRP样品的拼接方案;按照所述拼接方案将所述初始SRP样品固定在硅片衬底上,将盖玻片覆盖在所述初始SRP样品上得到中间SRP样品;将所述中间SRP样品放置在满足所述预设磨片规格的研磨装置中,并按照所述预设磨片规格对应的时间和转速对所述中间SRP样品进行研磨,得到满足所述预设磨片规格的SRP样品。2.根据权利要求1所述的SRP样品的制备方法,其特征在于,按照预设磨片规格确定需制备的SRP样品的测量区域,并根据所述SRP样品的测量区域确定所述初始SRP样品的拼接方案的步骤,包括:获取所述预设磨片规格中包含的参数;其中,所述参数至少包括:测试深度、针点数量、针距及研磨角度;根据所述参数计算需制备的所述SRP样品区域;利用所述SRP样品区域的面积与所述初始SRP样品的面积比值,确定所述初始SRP样品的数量,并根据所述初始SRP样品的数量确定所述拼接方案。3.根据权利要求1所述的SRP样品的制备方法,其特征在于,按照所述拼接方案将所述初始SRP样品固定在硅片衬底上,包括:根据所述拼接方案确定所述初始SRP样品的摆放顺序及所述硅片衬底的摆放区域;在所述硅片衬底的摆放区域中涂上AB胶并按照所述摆放顺序依次放置所述初始SRP样品,待所述AB胶凝固后将所述初始SRP样品固定在硅片衬底上。4.根据权利要求3所述的SRP样品的制备方法,其特征在于,在所述硅片衬底的摆放区域中涂上AB胶并按照所述摆放顺序依次放置所述初始SRP样品,包括:利用点胶方式将所述AB胶点在所述硅片衬底的摆放区域中;按照所述摆放顺序将所述初始SRP样品并排放置。5.根据权利要求4所述的SRP样品的制备方法,其特征在于,待所述AB胶凝固后将所述初始SRP样品固定在硅片衬底上,包括:根据所述AB胶的用量确定所述初始SRP样品的粘贴时间;其中,所述粘贴时间为当前所述所述AB胶的用量下所述初始SRP样品能够固定在所述硅片...
【专利技术属性】
技术研发人员:裘莺,高强,季春葵,
申请(专利权)人:上海季丰电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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