基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及基板处理装置，更具体地涉及一种能够提高腔体下部的空间运用率的基板处理装置。装置。装置。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置


[0001]本专利技术涉及基板处理装置，更具体地涉及一种能够提高腔体下部的空间运用率的基板处理装置。

技术介绍

[0002]一般而言，基板处理装置在腔体内部提供基板，并执行对所述基板的沉积、蚀刻等工艺。对于该情况，使用等离子体而用于提高对所述基板的处理工艺的效率。
[0003]图7显示现有技术的基板处理装置的腔体11。如图7显示所示，在所述腔体11的内侧设置供安装基板S的第二电极30和与所述第二电极30相对设置的第一电极20。
[0004]并且，具有与所述第二电极30连接而提供高频功率的射频发生器70和匹配所述高频功率的阻抗的匹配器(matcher)60。
[0005]所述匹配器60起到匹配向所述第二电极30供应的高频功率的阻抗的作用。所述匹配器60与所述腔体11的下部通过所述第二电极30连接。但所述匹配器60的体积相当大而占据所述腔体11的下部空间的相当量。
[0006]另外，在所述腔体11的下部虽未图示，但连接用于上下驱动所述第二电极30的上下驱动部和从所述腔体11的内部排气的排气部等，因而，具有非常复杂的结构。
[0007]在该腔体11下部的结构中，所述匹配器60的体积占非常大的比重，而存在降低腔体11下部的空间运用率的问题。

技术实现思路

[0008]专利技术要解决的技术问题
[0009]本专利技术是为了解决如上所述问题，提供一种基板处理装置，在腔体的下部省略匹配器的结构，或减少匹配器的体积及重量。
[0010]用于解决问题的技术方案
[0011]如上所述的本专利技术的目的通过基板处理装置实现，其包括：腔体；第一电极，设置在所述腔体内部；第二电极，与所述第一电极相对而设置在所述腔体内部；射频发生器(RF generator)，与所述第二电极连接而供应高频功率；及第一匹配器(matcher)，与所述第一电极连接而匹配所述高频功率的阻抗。
[0012]在此，还设置与所述第二电极连接的第二匹配器。
[0013]而且，所述第二匹配器与所述射频发生器串联或分支连接。
[0014]另外，在所述腔体内侧设置提供对所述基板的反应空间的多个台，所述第一电极、第二电极及第一匹配器分别设置在所述多个台。
[0015]专利技术的效果
[0016]根据具有上述结构的本专利技术，在腔体的下部省略匹配器的结构或减少匹配器的体积及重量而提高腔体下部的空间运用率。
附图说明
[0017]图1为显示本专利技术的一实施例的基板处理装置的腔体的结构的侧截面图；
[0018]图2为显示本专利技术的另一实施例的基板处理装置的腔体的结构的侧截面图；
[0019]图3及图4为显示本专利技术的又一实施例的基板处理装置的腔体的结构的侧截面图；
[0020]图5为显示本专利技术的另一实施例的基板处理装置的腔体结构的分解立体图；
[0021]图6为图5的腔体的侧截面图；
[0022]图7为现有技术的腔体的侧截面图。
[0023]附图标记说明
[0024]10、12、14、16:腔体
[0025]20:第一电极
[0026]30:第二电极
[0027]40:第一匹配器
[0028]50、60:第二匹配器
[0029]70:射频发生器
具体实施方式
[0030]下面，参照附图而对本专利技术的实施例的基板处理装置的结构进行具体说明。
[0031]图1为显示本专利技术的一实施例的基板处理装置的腔体10的结构的侧截面图。
[0032]参照图1，所述基板处理装置包括：腔体10；第一电极20，设置在所述腔体10内部；第二电极30，与所述第一电极20相对而设置在所述腔体10内部；射频发生器(RF generator)70，与所述第二电极30连接而供应高频功率。
[0033]所述腔体10提供容纳基板S而处理的空间。在所述腔体10的内部上侧设置所述第一电极20。所述第一电极20接地，对所述基板S供应工艺气体的气体供应部起到所述第一电极20的作用。
[0034]并且，在所述腔体10的内部下侧设置所述第二电极30。在所述第二电极30安装所述基板S而在所述第一电极20和第二电极30之间发生等离子体而执行对所述基板S的处理工艺。例如，所述第二电极30由内置加热所述基板S的加热器(未图示)的基板支撑部构成。
[0035]另外，所述第二电极30连接用于发生等离子体而供应高频功率的射频发生器(RF generator)70。通过所述射频发生器70而向所述第二电极30供应高频功率而在所述第二电极30和第一电极20之间发生等离子体。
[0036]另外，在本专利技术中，在所述射频发生器70和第二电极30之间省略匹配高频功率的阻抗的匹配器。即，在本专利技术中，所述腔体10执行电容器(capacitor)的作用而调节阻抗。
[0037]例如，在确定包含所述基板S的等离子体强度的处理工艺的具体条件等情况下，利用所述腔体10调节阻抗而与所述等离子体对应。例如，根据所述腔体10的第二电极30和第一电极20之间的间距调节、通过所述第一电极20供应的工艺气体的流量、压力调节等调节腔体10的阻抗而匹配与所需的等离子体对应的阻抗。通过所述腔体10而调节阻抗的方法仅作为例子进行说明，能够通过各种方法执行。
[0038]另外，图2为显示本专利技术的另一实施例的基板处理装置的腔体12的结构的侧截面图。与图1对比，相同的构成要素使用了相同的参照符号。
[0039]参照图2，所述腔体12具有第一匹配器(matcher)40，其与所述第一电极20连接而匹配所述高频功率的阻抗。
[0040]对于上述图1的实施例的情况，腔体10执行匹配器的作用，但更容易执行调节阻抗，对于本实施例的情况，第一匹配器40与所述第一电极20连接。
[0041]因所述第一匹配器40与所述第一电极20连接，而所述腔体10的下部的空间作为用于其它构成要素的空间运用。所述第一匹配器40例如由可变电容器构成，该第一匹配器40与在现有技术的装置使用的匹配器相比，显著减少体积而减少设置面积。
[0042]另外，图3及图4为显示本专利技术的又一实施例的基板处理装置的腔体14、16的结构的侧截面图。
[0043]参照图3及图4，对于本实施例的情况，除了与所述第一电极20连接的第一匹配器40之外，还设置与所述第二电极30连接的第二匹配器50、60。
[0044]对于本实施例的情况，分离两个匹配器而设置与所述第一电极20连接的第一匹配器40；与所述第二电极30连接的第二匹配器50、60。
[0045]因此，所述第二匹配器50、60与所述第二电极30连接，但所述第二匹配器50、60与现有技术的装置的匹配器对比显著减少体积及重量。即，本实施例的第二匹配器50、60与将现有的单一匹配器分离为两个的形式相对应，而通过现有单一匹配器而缩小体积及重量，从而，提高腔体14、16下部的空间运用率。
[004本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：腔体；第一电极，设置在所述腔体内部；第二电极，与所述第一电极相对而设置在所述腔体内部；射频发生器，与所述第二电极连接而供应高频功率；及第一匹配器，与所述第一电极连接而匹配所述高频功率的阻抗。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，还设置与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄玄想，孙洪儁，
申请(专利权)人：TES股份有限公司，
类型：发明
国别省市：