包括虚设电路的电平转换器及其制造方法技术

本发明专利技术提供包括虚设电路的电平转换器及其制造方法。本公开提供了一种针对电平转换器的技术，该技术允许通过对布线的简单改变来选择单级电平转换器或两级电平转换器。在选择了单级电平转换器的情况下，一些电路可以保留为虚设电路。虚设电路。虚设电路。

【技术实现步骤摘要】
包括虚设电路的电平转换器及其制造方法


[0001]本公开涉及一种电平转换器。

技术介绍

[0002]诸如显示器等的各个电气装置可以包括用于将电压信号从一个电压电平转换为所需电压电平的电平转换器。
[0003]电平转换器可以将低压电平的输入信号转变为高压电平的输出信号，或者将高压电平的输入信号转变为低压电平的输出信号。
[0004]电平转换器可以采取各种形式，并且这些形式主要由应用电平转换器的电气装置的使用环境来确定。根据对这些环境的理解，电平转换器设计者将电平转换器设计为适应不同的使用环境。
[0005]随着近年来电气装置的多样化进入了广泛的应用领域，对电平转换器的设计提出了多样化的需求。然而，设计的这种多样性可能会增加设计者的工作负荷，并导致制造成本的增加。

技术实现思路

[0006]本公开的一方面提供一种易于改变设计的电平转换器技术。本公开的另一方面是提供一种用于制造电平转换器的技术，该技术允许仅通过改变布线来选择单级电平转换器或两级电平转换器。
[0007]在一方面，本公开提供了一种电平转换器，包括：电平转换器电路，其包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管利用输入电压而导通和关断，以在反相节点处产生具有与所述输入电压反相的波形的电压，以及所述第二晶体管利用具有与所述输入电压反相的波形的反相电压而导通和关断，以在输出节点处产生具有与所述输入电压相同的波形的电压；以及虚设电路，其包括第一虚设晶体管和第二虚设晶体管，所述第一虚设晶体管的栅极端子和源极端子被第一短路线短路，所述第二虚设晶体管的栅极端子和源极端子被第二短路线短路，在移除第一短路线和第二短路线的情况下所述虚设电路作为两级电平转换器电路而操作。
[0008]在所述虚设电路作为所述两级电平转换器电路而操作的情况下，可以利用所述第二虚设晶体管的漏极端子处的电压确定输出电压，并且可以利用所述第一虚设晶体管的漏极端子处的电压确定反相输出电压。
[0009]所述第一晶体管和所述第一虚设晶体管可以是不同类型的晶体管，以及所述第二晶体管和所述第二虚设晶体管可以是不同类型的晶体管。
[0010]在另一方面，本公开提供了一种电平转换器，包括：第一路径电路，在所述第一路径电路中，第一晶体管和第三晶体管串联布置在高驱动电压和低驱动电压之间；第二路径电路，在所述第二路径电路中，第二晶体管和第四晶体管串联布置在所述高驱动电压和所述低驱动电压之间；第三路径电路，在所述第三路径电路中，第一虚设晶体管和第三虚设晶
体管串联布置在所述高驱动电压和所述低驱动电压之间；以及第四路径电路，在所述第四路径电路中，第二虚设晶体管和第四虚设晶体管串联布置在所述高驱动电压和所述低驱动电压之间，其中，向所述第一晶体管的栅极端子供应输入电压，向所述第二晶体管的栅极端子供应具有与所述输入电压反相的波形的反相电压，所述第一晶体管的漏极端子电连接到输出节点，所述第二晶体管的漏极端子电连接到反相节点，所述输出节点电连接到所述第四晶体管的栅极端子，以及所述反相节点电连接到所述第三晶体管的栅极端子，以及
[0011]所述第一虚设晶体管的漏极端子可以电连接到所述第四虚设晶体管的栅极端子，以及所述第二虚设晶体管的漏极端子可以电连接到所述第三虚设晶体管的栅极端子。
[0012]在另一方面，本公开提供了一种电平转换器的制造方法，所述制造方法包括：放置晶体管掩模；与所述晶体管掩模一致地形成第一晶体管、第二晶体管、第一虚设晶体管和第二虚设晶体管；放置金属掩模；以及以如下的方式使用所述金属掩模安装布线：所述第一晶体管利用输入电压而导通和关断，以在反相节点处产生具有与所述输入电压反相的波形的电压；所述第二晶体管利用具有与所述输入电压反相的波形的反相电压而导通和关断，以在输出节点处产生具有与所述输入电压相同的波形的电压；所述第一虚设晶体管的栅极端子和源极端子被短路；以及所述第二虚设晶体管的栅极端子和源极端子被短路。
[0013]所述制造方法还可以包括，在安装布线之后，形成钝化层，并且使所述输出节点和所述反相节点通过所述钝化层而暴露。
[0014]所述第一虚设晶体管和所述第二虚设晶体管可以根据对所述金属掩模的改变而形成两级电平转换器电路。
[0015]在形成晶体管时，还可以形成用于限制流向所述第一虚设晶体管的电流量的第一虚设限制晶体管和用于限制流向所述第二虚设晶体管的电流量的第二虚设限制晶体管，以及在安装布线时，可以以所述第一虚设限制晶体管的栅极端子和源极端子以及所述第二虚设限制晶体管的栅极端子和源极端子被短路的方式安装布线。
[0016]本公开的又一示例性实施例提供了一种电平转换器，包括：电平转换器电路，其包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管利用输入电压而导通和关断，以在反相节点处产生具有与所述输入电压反相的波形的电压，以及所述第二晶体管利用具有与所述输入电压反相的波形的反相电压而导通和关断，以在输出节点处产生具有与所述输入电压相同的波形的电压；以及虚设电路，其包括以两级电平转换器电路形式配置的晶体管，该晶体管包括栅极端子和源极端子被短路的第一虚设晶体管和第二虚设晶体管。
[0017]如上所述，根据本公开的实施例，可以更容易地改变电平转换器的设计，并且可以仅通过改变制造工艺中的布线来选择单级转换器或两级电平转换器。
附图说明
[0018]图1是单级电平转换器的电路图。
[0019]图2是两级电平转换器的电路图。
[0020]图3是包括虚设电路的电平转换器的电路图。
[0021]图4是包括虚设电路的电平转换器的制造方法的流程图。
[0022]图5是示出用于形成晶体管的图案的图。
[0023]图6A是示出用于形成两级电平转换器的金属层图案的图。
[0024]图6B是示出用于形成单级电平转换器的金属层图案的图。
具体实施方式
[0025]图1是单级电平转换器的电路图。
[0026]参考图1，电平转换器100可以包括形成在第一高驱动电压VDD1和第一低驱动电压VSS1之间的第一路径电路PT1和第二路径电路PT2。
[0027]第一高驱动电压VDD1可以电连接到第一路径电路PT1的一侧，并且第一低驱动电压VSS1可以电连接到另一侧，以及电流可以从第一高驱动电压VDD1经由第一路径电路PT1流向第一低驱动电压VSS1。
[0028]第一路径电路PT1可以包括第一晶体管TR1、第三晶体管TR3和第五晶体管TR5。此外，第一晶体管TR1、第三晶体管TR3和第五晶体管TR5可以彼此串联连接。
[0029]尽管为了便于解释，图1将第一晶体管TR1示为N型晶体管，将第三晶体管TR3和第五晶体管TR5示为P型晶体管，但是本公开不限于此。
[0030]输入电压VI可以被供给至第一晶体管TR1的栅极端子。此外，第一晶体管TR1可以根据输入电压VI的电压电平而导通和关断。
[0031]第一晶体管TR1的源极端子可以连接到第一低驱动本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电平转换器，包括：第一路径电路，在所述第一路径电路中，第一晶体管和第三晶体管串联布置在高驱动电压和低驱动电压之间；第二路径电路，在所述第二路径电路中，第二晶体管和第四晶体管串联布置在所述高驱动电压和所述低驱动电压之间；第三路径电路，在所述第三路径电路中，第一虚设晶体管和第三虚设晶体管串联布置在所述高驱动电压和所述低驱动电压之间；以及第四路径电路，在所述第四路径电路中，第二虚设晶体管和第四虚设晶体管串联布置在所述高驱动电压和所述低驱动电压之间，其中，向所述第一晶体管的栅极端子供应输入电压，向所述第二晶体管的栅极端子供应具有与所述输入电压的波形反相的波形的反相电压，所述第一晶体管的漏极端子电连接到输出节点，所述第二晶体管的漏极端子电连接到反相节点，所述输出节点电连接到所述第四晶体管的栅极端子，以及所述反相节点电连接到所述第三晶体管的栅极端子，以及其中，所述第一虚设晶体管的栅极端子和源极端子被第一短路线短路，并且所述第二虚设晶体管的栅极端子和源极端子被第二短路线短路。2.根据权利要求1所述的电平转换器，其中，所述第一路径电路还包括用于限制流向所述第一晶体管和所述第三晶体管的电流量的第五晶体管，以及所述第二路径电路还包括用于限制流向所述第二晶体管和所述第四晶体管的电流量的第六晶体管。3.根据权利要求1所述的电平转换器，其中，所述第一虚设晶体管的漏极端子电连接到所述第四虚设晶体管的栅极端子，以及所述第二虚设晶体管的漏极端子电连接到所述第三虚设晶体管的栅极端子。4.根据权利要求3所述的电平转换器，其中，所述第三路径电路还包括用于限制流向所述第一虚设晶体管和所述第三虚设晶体管的电流量的第五虚设晶体管，以及所述第四路径电路还包括用于限制流向所述第二虚设晶体管和所述第四虚设晶体管的电流量的第六虚设晶体管。5.根据权利要求4所述的电平转换器，其中，所述第五虚设晶体管和所述第六虚设晶体管的栅极端子和源极端子被短路。6.一种制造电平转换器的方法，所述方法包括：放置晶体管掩模；与所述晶体管掩模一致地形成第一晶体管、第二晶体管、第一虚设晶体管和第二虚设晶体管；放置金属掩模；以及以如下的方式使用所述金属掩模安装布线：所述第一晶体管根据输入电压而导通和关断，以在反相节点处产生具有与所述输入电压的波形反相的波形的电压；所述第二晶体管根据具有与所述输入电压的波形反相的波形的反相电压而导通和关断，以在输出节点处产生具有与所述输入电压的波形相同的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李忠民，林宪用，
申请(专利权)人：LX半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：