半导体结构及其制造方法技术

本发明专利技术是关于一种半导体结构及其制造方法，半导体结构的制造方法包含：形成热电结构于基板上。形成介电层于基板上，以使介电层覆盖热电结构；形成第一光阻图案于介电层上，且第一光阻图案包含第一开口；使用第一光阻图案作为蚀刻遮罩，并蚀刻介电层，以移除位于第一开口下方的介电层且暴露基板的暴露区域；移除第一光阻图案；顺应性地形成保护层于介电层及暴露区域上；形成第二光阻图案于保护层上；第二光阻图案包含第二开口，且第二开口小于第一开口；使用第二光阻图案作为蚀刻遮罩，并蚀刻保护层，以移除位于第二开口下方的保护层。本发明专利技术能避免蚀刻制程工艺破坏包含热电材料的热电结构。热电结构。热电结构。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制造方法


[0001]本专利技术是关于一种半导体结构及其制造方法，特别是关于一种能够提升合格率与可靠性的半导体结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]一般而言，热电传感器(thermoelectric sensor)能够通过会产生热电效应的热电材料来进行温度感测。有别于使用具有不同自由电子密度的金属导体作为热电材料，目前经常使用具有敏感性更高的载子的半导体材料作为热电材料。因此，能够选择不同热电材料的阻值来调整热传感器的效能。
[0003]然而，目前的热电传感器中，会通过设置空腔(cavity)来使热得热电材料悬浮于基板上。由于热电材料通过设置于其间的空腔而悬浮于基板上，且空腔本身具有优良的绝热性质，因此热电材料所感测到温度能够完整地转换为电信号，所以能够降低因为热传导现象使得所能侦测到的温度失真的问题。
[0004]因此，公知的热传感器的制造方法中会使用蚀刻工艺来形成空腔。然而在蚀刻工艺期间，热电传感器中的热电材料或设置于热电材料周边的其他层经常受到蚀刻工艺的破坏，致使整体热电传感器的效能下降，甚至使得热电传感本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，该制造方法包含：形成一热电结构于一基板上；形成一介电层于该基板上，以使该介电层覆盖该热电结构；形成一第一光阻图案于该介电层上，该第一光阻图案包含一第一开口；使用该第一光阻图案作为蚀刻遮罩，并蚀刻该介电层，以移除位于该第一开口的下方的该介电层且暴露该基板的一暴露区域；移除该第一光阻图案；顺应性地形成一保护层于该介电层及该暴露区域上；形成一第二光阻图案于该保护层上，该第二光阻图案包含一第二开口，且该第二开口小于该第一开口；以及使用该第二光阻图案作为蚀刻遮罩，并蚀刻该保护层，以移除位于该第二开口的下方的该保护层。2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，该第一光阻图案投影至该基板的区域位于该第二光阻图案投影至该基板的区域中。3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，移除该第一光阻图案的步骤进一步包含：移除该介电层的一部分，以使该介电层的顶表面小于该介电层的底表面，且使该介电层具有一倾斜侧表面。4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，该倾斜侧表面与该介电层的顶表面的较小夹角为45度～85度。5.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，在顺应性地形成该保护层于该介电层及该暴露区域上的步骤中，该保护层形成于该暴露区域的顶表面上、该倾斜侧表面上及该介电层的顶表面上。6.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，该第二光阻图案覆盖该倾斜侧表面及该介电层的顶表面，并且覆盖邻接于该倾斜侧表面且位于该暴露区域上的该保护层的一部分。7.如权利要求1的所述制造方法，其特征在于，在形成该第一光阻图案于该介电层上的步骤中，该第一光阻图案位于该热电结构的上方；以及在形成该第二光阻图案于该保护层上的步骤中，该第二光阻图案位...

【专利技术属性】
技术研发人员：王庆森，陈旷举，刘汉英，萧鹏展，余韦萱，黄邦彦，周家豪，
申请(专利权)人：新唐科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：