【技术实现步骤摘要】
二维材料异质结热电器件及其制备方法
[0001]本专利技术涉及热电器件
,特别是涉及一种二维材料异质结热电器件及其制备方法。
技术介绍
[0002]以石墨烯为代表的二维层状材料因为具有许多特殊的性质而受到了极大的关注。二维层状材料的结构为单层不具有悬挂键的晶格,因此相邻的二维层状材料之间通常可以通过范德华力弱键结合,不同的二维层状材料堆垛能够形成具有原子级平整界面的人工异质结构,这种异质结构通常被称为二维材料范德华异质结。
[0003]近来较多的对于二维层状材料的研究都集中在以石墨烯、黑磷和双硫族化合物等为代表的材料的热电性能上。对于实际应用,石墨烯主要有两个缺点,一个是石墨烯的导热系数太高,室温下记录的导热系数在4840
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5300W/mK的范围内;另一个是石墨烯的塞贝克系数由于其无间隙带结构而太小,其最大的塞贝克系数值约为80mV/K。为了克服这些障碍,将不同的二维层状材料堆垛在一起构成范德华异质结是一种可行的方法。然而由石墨烯等二维层状材料形成的范德华异质结的热电性能难以得到有效表征,这 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种二维材料异质结热电器件的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:在基材上形成二维材料异质结,所述二维材料异质结由包括两种不同的二维层状材料的原料经层叠形成;在所述基材上形成遮蔽所述二维材料异质结的光刻胶,所述光刻胶为电子束敏感的光刻胶;采用电子束照射所述光刻胶的预设区域,形成暴露部分所述二维材料异质结的具有预设形状的蚀刻开口;通过所述蚀刻开口对所述二维材料异质结进行刻蚀;通过所述蚀刻开口制备金属电极;及去除所述光刻胶。2.根据权利要求1所述的二维材料异质结热电器件的制备方法,其特征在于,形成所述光刻胶的步骤包括:先在所述基材上涂覆第一光刻材料,形成第一光刻层,再于所述第一光刻层上涂覆第二光刻材料,形成第二光刻层,所述第一光刻材料与所述第二光刻材料均为高分子材料,所述第二光刻材料的分子量高于所述第一光刻材料。3.根据权利要求2所述的二维材料异质结热电器件的制备方法,其特征在于,所述第一光刻材料和所述第二光刻材料均选自聚甲基丙烯酸甲酯。4.根据权利要求1所述的二维材料异质结热电器件的制备方法,其特征在于,在形成所述光刻胶的步骤中,控制形成的光刻胶的厚度≤50...
【专利技术属性】
技术研发人员:易典,王荣福,
申请(专利权)人:深圳市汉嵙新材料技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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