混合封装芯片及光发射器制造技术

本申请公开了一种混合封装芯片及光发射器，所述混合封装芯片包括：第一子芯片，所述第一子芯片包括至少一个第一波导和至少一个第一电极；第二子芯片，所述第二子芯片包括至少一个第二波导和至少一个第二电极；所述第一波导与对应的所述第二波导光耦合；所述第一子芯片的第一电极与对应的所述第二子芯片的第二电极通过第一导电结构电性连接，以接收调制电信号；在工作状态下，所述第一子芯片接收来自外部的输入光并经由所述第一波导输出，所述至少一个第一电极对所述输入光进行调制以输出经调制的光，所述第二波导接收从所述第一子芯片耦合进来的部分光。本申请通过非键合的方式改进了硅光子芯片和基于薄膜铌酸锂的光电子芯片的集成方式，在降低工艺难度的同时也降低了铌酸锂波导和硅光波导的耦合难度。了铌酸锂波导和硅光波导的耦合难度。了铌酸锂波导和硅光波导的耦合难度。

【技术实现步骤摘要】
混合封装芯片及光发射器


[0001]本申请涉及半导体芯片
，具体涉及一种混合封装芯片及光发射器。

技术介绍

[0002]在信息化快速发展的时代，集成光学凭借着其体积小、低能耗、大带宽等优势，在光互联、光通信以及光传感等领域获得越来越多的青睐。尤其是硅基光电子模块(以下称硅光模块)，其凭借着与传统的CMOS工艺兼容的优势，在高速光通信中占据着重要的地位。为了提高硅光模块的调制效率和带宽，提出了在硅光模块上集成其他材料的混合集成光电芯片，以铌酸锂薄膜为例，将整个铌酸锂薄膜键合(bonding)到硅光晶圆上，中间利用BCB(Benzocyclobutene，苯并环丁烯)树脂或二氧化硅等，通过粘合力或分子间作用力结合在一起，再通过刻蚀铌酸锂薄膜的方法，实现铌酸锂波导和硅光波导的耦合。
[0003]但是上述结合方式在实际制作时工艺复杂，良率较低，并且可靠性较差，从而导致生产效率不高。因此，如何避免键合等复杂而困难的工艺，并降低铌酸锂波导和硅光波导的耦合难度，是业界亟待解决的一个问题。

技术实现思路

[0004]针对以上现有技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种混合封装芯片，其特征在于，包括：第一子芯片，所述第一子芯片包括至少一个第一波导和至少一个第一电极；第二子芯片，所述第二子芯片包括至少一个第二波导和至少一个第二电极；所述第一波导与对应的所述第二波导光耦合；所述第一子芯片的第一电极与对应的所述第二子芯片的第二电极通过第一导电结构电性连接，以接收调制电信号；在工作状态下，所述第一子芯片接收来自外部的输入光并经由所述第一波导输出，所述至少一个第一电极对所述输入光进行调制以输出经调制的光，所述第二波导接收从所述第一子芯片耦合进来的部分光；其中，所述第一子芯片是基于铌酸锂薄膜的光电子芯片，所述第二子芯片是基于硅的硅光子芯片。2.如权利要求1所述的混合封装芯片，其特征在于，所述第一波导和所述第二波导通过光栅耦合器光耦合。3.如权利要求2所述的混合封装芯片，其特征在于，所述第一波导至少包括第一光栅耦合器，所述第二波导至少包括与所述第一光栅耦合器对准的第二光栅耦合器，所述第二波导经由所述第一光栅耦合器和所述第二光栅耦合器接收所述从所述第一子芯片耦合进来的部分光。4.如权利要求3所述的混合封装芯片，其特征在于，所述第二子芯片还包括监控光电二极管，所述监控光电二极管将从所述第二光栅耦合器接收到的光信号转换为电信号，并将所述电信号输出至外部基板。5.如权利要求2所述的混合封装芯片，其特征在于，所述第一子芯片和所述第二子芯片之间具有填充层，...

【专利技术属性】
技术研发人员：季梦溪，李显尧，孙雨舟，
申请(专利权)人：苏州湃矽科技有限公司，
类型：新型
国别省市：