【技术实现步骤摘要】
一种可循迹多尺寸纳米膜厚标准样板
[0001]本技术涉及一种纳米薄膜厚度测量仪器校准用的纳米膜厚标准样板，特别是公开一种可循迹多尺寸纳米膜厚标准样板，适用于采用不同光源发射器发射光斑进行测量过程中，可以通过测量结果的有效比对分析测量数据的有效性。
技术介绍
[0002]随着纳米技术的发展，纳米科技已成为许多国家提升核心竞争力的战略选择。在大规模集成电路以及利用量子尺寸效应的光电子等领域所使用的薄膜厚度都十分微小，因此对薄膜的几何结构和特性纳米薄膜器件和薄膜结构的尺寸加工精度严重影响着相关器件的性能指标，因此纳米薄膜厚度的准确测量是纳米科技发展的关键所在，半导体产业中超薄薄膜厚度的偏差要求为5%~10%左右，对薄膜的评价和检测技术也随之变得越来越重要，高精密纳米薄膜测量仪器的性能、评价膜系的优劣，对我国现有测试仪器和标准器的量值统一提出了更高要求。
[0003]近几年，美国VLSI标准公司设计并生产了基于美国NANOLAB认证体系、可溯源至NIST的二氧化硅薄膜样板系列和氮化硅薄膜样板系列产品，并且由于体系制约和准确的...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种可循迹多尺寸纳米膜厚标准样板，其特征在于：所述的纳米膜厚标准样板包括设于基底上的第一测量工作区域和第二测量工作区域两个工作区域，所述的第一测量工作区域设有小光斑光源测量工作中心圆，所述的第二测量工作区域设有大光斑光源测量工作中心圆，两个所述中心圆物性薄膜结构的膜厚参数相同，所述的小光斑光源测量工作中心圆外周设有若干指向小光斑光源测量工作中心圆的小光斑光源工作区域循迹标识，所述大光斑光源测量工作中心圆外周设有若干指向大光斑光源测量工作中心圆的大光斑光源工作区域循迹标识，所述小光斑光源工作区域循迹标识设于所述的小光斑光源测量工作中心圆的正上方、正下方及正左侧，所述大光斑光源工作区域循迹标识设于大光斑光源测量工作中心圆的正上方、正下方及正左、正右两侧，所述的小光斑光源工作区域循迹标识和大光斑光源工作区域循迹标识均由若干等腰三角形连接组成，各三角形的顶点分别顺序指向相应的小、大光斑光源测量工作中心圆。2.根据权利要求 1 所述的一种可循迹多尺寸纳米膜厚标准样板，其特征在于：所述的基底采用四英寸圆基底，小光斑光源测量工作中心圆在左、大光斑光源测量工作中心圆在右，分列于...
【专利技术属性】
技术研发人员：管钰晴，傅云霞，雷李华，曾燕华，杜黎明，唐冬梅，邹文哲，
申请(专利权)人：上海市计量测试技术研究院，
类型：新型
国别省市：
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