一种改善管式PECVD进气法兰的结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种改善管式PECVD进气法兰的结构，包括：进气法兰，所述进气法兰为圆环形状，并且所述进气法兰设有进气管，所述进气法兰内部设有环形腔，所述进气管连通所述环形腔，所述进气法兰内侧壁上设有连通环形腔的进气孔，并且所述进气孔设有若干个，环绕所述进气法兰内侧壁分布，所述进气孔以所述进气管为对称轴在所述进气法兰上上下对称分布，并且距离进气管越近的进气孔与相邻进气孔之间的角度越大，距离进气管越远的进气孔与相邻进气孔之间的角度越小。本实用新型专利技术对现有进气法兰的结构进行优化改进,提高了气流在管内分布的均匀性，可以改善镀膜片内及片间均匀性，便于后道金属化制作，提升转换效率及良率。提升转换效率及良率。提升转换效率及良率。

【技术实现步骤摘要】
一种改善管式PECVD进气法兰的结构


[0001]本技术涉及PECVD进气法兰
，具体是一种改善管式PECVD进气法兰的结构。

技术介绍

[0002]PECVD：是借助微波或射频等使含有薄膜成分原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。
[0003]在目前晶体硅太阳能电池制造过程中，基本采用管式方式进行氮化硅、氧化铝、氮氧化硅等薄膜生长，随着电池工艺和技术的不断发展，对成膜的均匀性要求越来越高。目前硅片采用竖立于石墨舟载具中进行工艺方式，特气开孔法兰为均匀开孔方式，这种方式导致离进气口越近，气体流量越大。硅片片内及片间要求具有相同的反应气体浓度、气体流动状态。这样在硅片表面才能生长出均匀的膜层，从而达到较高的一致性钝化效果及外观的才能达到，提高效率及良率。因此，为了使炉体内达到尽可能均匀的气体状态，需要对进气法兰的结构进行优化改进。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种改善管式PECVD进气法兰的结构，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：
[0006]一种改善管式PECVD进气法兰的结构，包括：进气法兰，所述进气法兰为圆环形状，并且所述进气法兰设有进气管，所述进气法兰内部设有环形腔，所述进气管连通所述环形腔，所述进气法兰内侧壁上设有连通环形腔的进气孔，并且所述进气孔设有若干个，环绕所述进气法兰内侧壁分布，并且所述进气孔以所述进气管为对称轴在所述进气法兰上上下对称分布，并且距离进气管越近的进气孔与相邻进气孔之间的角度越大，距离进气管越远的进气孔与相邻进气孔之间的角度越小。
[0007]作为本技术进一步的方案：所述进气法兰上半部分距离进气管最近的第一个进气孔叫上第一进气孔，所述进气法兰下半部分距离进气管最近的第一个进气孔叫下第一进气孔，所述上第一进气孔与下第一进气孔之间的角度为C1；所述上第一进气孔右侧相邻的进气孔为上第二进气孔，所述下第一进气孔右侧相邻的进气孔为下第二进气孔，所述上第一进气孔与上第二进气孔的角度、下第一进气孔与下第二进气孔的角度均为C2；所述上第二进气孔右侧相邻的进气孔为上第三进气孔，所述下第二进气孔右侧相邻的进气孔为下第三进气孔，所述上第二进气孔与上第三进气孔的角度、下第二进气孔与下第三进气孔的角度均为C3，所述C1＞C2＞C3，其他进气孔的分布以此类推，距离进气管越远的进气孔与相邻进气孔之间的角度越小。
[0008]作为本技术进一步的方案：所述进气孔与相邻进气孔之间的角度是指进气孔的中心线与相邻进气孔中心线构成的角度。
[0009]作为本技术进一步的方案：所述环形腔为圆环形状，与所述进气法兰同心设置。
[0010]作为本技术进一步的方案：所述进气法兰上设有一圈安装孔。
[0011]与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术对现有进气法兰的结构进行优化改进,提高了气流在管内分布的均匀性，可以改善镀膜片内及片间均匀性，便于后道金属化制作，提升转换效率及良率。
附图说明
[0012]图1为本技术的内部结构示意图。
[0013]图2为本技术的外部结构示意图。
具体实施方式
[0014]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0015]参照图1
‑
2，本技术实施例中，一种改善管式PECVD进气法兰的结构，包括：进气法兰1，其特征在于：所述进气法兰1为圆环形状，并且所述进气法兰1上设有进气管11，所述进气法兰1内部设有环形腔12，所述进气管11连通所述环形腔12，所述进气法兰1上设有一圈安装孔14。
[0016]所述环形腔12为圆环形状，与所述进气法兰1同心设置，所述进气法兰1内侧壁上设有连通环形腔的进气孔13，并且所述进气孔13设有若干个，环绕进气法兰1内侧壁分布，并且所述进气孔13以所述进气管11为对称轴在所述进气法兰1上上下对称分布，并且距离进气管11越近的进气孔13与相邻进气孔13之间的角度越大，距离进气管11越远的进气孔13与相邻进气孔13之间的角度越小，这种进气孔13设置方式，让进气法兰1左侧进气孔13分布稀疏，左侧进气孔13分布密集，但是由于左侧的进气孔13距离进气管11近，流量大，右侧的进气孔13距离进气管11远，流量小，使得左右气体流量总和相当，从而使气流在管内分布的均匀。
[0017]所述进气法兰1上半部分距离进气管11最近的第一个进气孔叫上第一进气孔A1，所述进气法兰下半部分距离进气管11最近的第一个进气孔叫下第一进气孔B1，所述上第一进气孔A1与下第一进气孔B1之间的角度为C1；所述上第一进气孔A1右侧相邻的进气孔为上第二进气孔A2，所述下第一进气孔B1右侧相邻的进气孔为下第二进气孔B2，所述上第一进气孔A1与上第二进气孔A2之间的角度、所述下第一进气孔B1与下第二进气孔B2之间的角度均为C2；所述上第二进气孔A2右侧相邻的进气孔为上第三进气孔A3，所述下第二进气孔B2右侧相邻的进气孔为下第三进气孔B3，所述上第二进气孔A2与上第三进气孔A3之间的角度、下第二进气孔B2与下第三进气孔B3之间的角度均为C3；
[0018]所述C1＞C2＞C3，以此类推其他进气孔的分布，距离进气管11越远的进气孔与相
邻进气孔之间的角度越小，也就是说距离进气管11近的进气孔分布稀疏，距离进气管11近的进气孔分布密集，所述进气孔13与相邻进气孔13之间的角度是指进气孔13的中心线与相邻进气孔13中心线构成的角度。
[0019]对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
[0020]此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善管式PECVD进气法兰的结构，包括：进气法兰（1），其特征在于：所述进气法兰（1）为圆环形状，并且所述进气法兰（1）上设有进气管（11），所述进气法兰（1）内部设有环形腔（12），所述进气管（11）连通所述环形腔（12），所述进气法兰（1）内侧壁上设有连通环形腔（12）的进气孔（13），所述进气孔（13）设有若干个，环绕进气法兰（1）内侧壁分布，并且所述进气孔（13）以所述进气管（11）为对称轴在所述进气法兰（1）上下对称分布，并且距离进气管（11）越近的进气孔（13）与相邻进气孔（13）之间的角度越大，距离进气管（11）越远的进气孔（13）与相邻进气孔（13）之间的角度越小。2.根据权利要求1所述的一种改善管式PECVD进气法兰的结构，其特征在于：所述进气法兰（1）上半部分距离进气管（11）最近的第一个进气孔叫上第一进气孔（A1），所述进气法兰下半部分距离进气管（11）最近的第一个进气孔叫下第一进气孔（B1），所述上第一进气孔（A1）与下第一进气孔（B1）之间的角度为C1；所述上第一进气孔（A1）右侧相邻的进气孔为上第二进气孔（A2），所述下第一进气...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐磊，
申请(专利权)人：泗阳腾晖新能源技术有限公司，
类型：新型
国别省市：