太阳能电池及其制备方法技术

本申请提供一种太阳能电池及其制备方法，属于光伏技术领域。太阳能电池的制备方法包括：在太阳能电池的正面形成选择性发射极，选择性发射极包括第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区中P型掺杂的浓度大于第二掺杂区中P型掺杂浓度；太阳能电池的正电极与第一掺杂区电性接触。太阳能电池的正面具有选择性发射极和正电极；选择性发射极包括第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区中P型掺杂浓度大于第二掺杂区中P型掺杂浓度；正电极与第一掺杂区电性接触。该太阳能电池在保证具有较低的俄歇复合并提升开压及短路电流的同时，能够有效提高填充因子，使得电池具有较高的转换效率。使得电池具有较高的转换效率。使得电池具有较高的转换效率。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池及其制备方法


[0001]本申请涉及光伏
，具体而言，涉及一种太阳能电池及其制备方法。

技术介绍

[0002]近年来，以TOPCon电池为例的太阳能电池由于其优异的钝化性能备受青睐。在目前的TOPCon电池等工艺中，生产的电池成品为了减少俄歇复合并提升开压及短路电流，方阻较高，但是较高的方阻使得填充因子受到影响，从而影响了电池的转换效率。

技术实现思路

[0003]本申请的目的在于提供一种太阳能电池及其制备方法，在保证具有较低的俄歇复合并提升开压及短路电流的同时，能够有效提高填充因子，使得电池具有较高的转换效率。
[0004]本申请的实施例是这样实现的：
[0005]第一方面，本申请实施例提供一种太阳能电池的制备方法，包括：在太阳能电池的正面形成选择性发射极，选择性发射极包括第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区中P型掺杂的浓度大于第二掺杂区中P型掺杂浓度；太阳能电池的正电极与第一掺杂区电性接触。
[0006]第二方面，本申请实施例提供一种太阳能电池，太阳能电池的正面具有选择性发射极和正电极；选择性发射极包括第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区中P型掺杂浓度大于第二掺杂区中P型掺杂浓度；正电极与第一掺杂区电性接触。
[0007]本申请实施例提供的太阳能电池及其制备方法，有益效果包括：
[0008]在太阳能电池的正面形成选择性发射极，其中，配置P型掺杂的浓度相对较大的第一掺杂区，通过该第一掺杂区与正电极接触，能够降低接触电阻，从而能够有效提高填充因子；配置P型掺杂的浓度相对较大的第二掺杂区，通过该第二掺杂区分布在正电极之间，保证具有较低的俄歇复合并提升开压及短路电流。
[0009]因此，本申请提供的太阳能电池，能够较好地兼顾俄歇复合、开压、短路电流和填充因子该多方面的性能，使得电池具有较高的转换效率。
附图说明
[0010]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0011]图1为本申请实施例提供的一种太阳能电池的结构示意图。
[0012]图标：100
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太阳能电池；110
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选择性发射极；111
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第一掺杂区；112
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第二掺杂区；120
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正电极。
具体实施方式
[0013]为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。
[0014]需要说明的是，在本申请的描述中，除非另有说明，“一种或多种”中的“多种”的含义是指两种及两种以上；“数值a～数值b”的范围包括两端值“a”和“b”，“数值a～数值b+计量单位”中的“计量单位”代表“数值a”和“数值b”二者的“计量单位”。
[0015]下面对本申请实施例的太阳能电池及其制备方法进行具体说明。
[0016]专利技术人研究发现，在目前的TOPCon电池中，电池表面整体为轻掺杂的发射极，从而能减少俄歇复合并提升开压及短路电流。但是，该设置方式下，方阻较高，较高的方阻使得正电极和发射极有较高的接触电阻，而较高的接触电阻会使得电池的填充因子受影响，从而会影响电池的转换效率。
[0017]基于上述研究发现，第一方面，本申请实施例提供一种太阳能电池的制备方法，包括：在太阳能电池的正面形成选择性发射极。
[0018]其中，选择性发射极包括第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区中P型掺杂的浓度大于第二掺杂区中P型掺杂浓度；太阳能电池的正电极与第一掺杂区电性接触，即该第二掺杂区为选择性发射极中位于正电极之间的区域。
[0019]P型掺杂浓度就是指P型掺杂的粒子的浓度，代表掺杂区的P型掺杂程度高低。
[0020]本申请中，在太阳能电池的正面形成选择性发射极，其中，配置P型掺杂的浓度相对较大的第一掺杂区，通过该第一掺杂区与正电极接触，能够降低接触电阻，从而能够有效提高填充因子；配置P型掺杂的浓度相对较大的第二掺杂区，通过该第二掺杂区分布在正电极之间，保证具有较低的俄歇复合并提升开压及短路电流。
[0021]因此，本申请提供的太阳能电池，能够较好地兼顾俄歇复合、开压、短路电流和填充因子该多方面的性能，使得电池具有较高的转换效率。
[0022]可选地，第一掺杂区为重掺杂区，第二掺杂区为轻掺杂区。
[0023]在一些实施例中，第二掺杂区为通过硼扩散形成的掺杂区，第一掺杂区为在硼扩散的基础上推入硼浆形成的掺杂区。
[0024]为了方便可控地制备得到以重掺杂区作为第一掺杂区且以轻掺杂区作为第二掺杂区的选择性发射极，作为示例，在太阳能电池的正面形成选择性发射极的步骤包括：提供形成有P
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N结的N型硅片；然后在硅片正面印刷硼浆；再在硅片正面的预设区域将硼浆推进硅片正面的P型掺杂部位，以形成第一掺杂区；以P型掺杂部位的剩余区域作为第二掺杂区。
[0025]其中，在硅片正面的预设区域可以根据电池网版进行确定，选择硅片正面用于形成正电极的区域作为预设区域。
[0026]基于上述示例，可选地，硼浆的质量浓度为2.5～7％，例如但不限于为2.5％、3％、3.5％、4％、4.5％、5％、5.5％、6％、6.5％和7％中的任意一者点值或者任意两者之间的范围值。
[0027]按照上述标准控制硼浆的浓度，使得作为重掺杂区的第一掺杂具有合适的P型掺杂浓度，能够更可靠地降低发射极与正电极的接触电阻，从而更可靠地提高填充因子。
[0028]专利技术人研究发现，由于N型硅片在硼扩散形成P
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N结时，会在硅片的表面形成硼硅玻璃(BSG)。而硼硅玻璃的存在会阻碍将硼浆推进硅片正面的P型掺杂部位的过程，导致需要很高的能量才能够将硼浆推进硅片正面的P型掺杂部位。
[0029]基于上述研究发现，可选地，在太阳能电池的正面形成选择性发射极的步骤还包括：在硅片正面印刷硼浆之前，去除硅片正面的硼硅玻璃。
[0030]上述技术方案中，先去除硅片正面的硼硅玻璃，再在硅片正面印刷硼浆，使得在硼浆推进硅片正面的P型掺杂部位的过程中不受正面硼硅玻璃的影响，因此用很低的能量即可将硼浆推进硅片正面的P型掺杂部位。
[0031]在去除了硼硅玻璃再印刷硼浆的实施例中，为了方便地进行硼浆推进的操作，可选地，在形成第一掺杂区时，采用激光推进硼浆。也就是说，在硅片正面的预设区域通过激光将硼浆推进硅片正面的P型掺杂部位，以形成第一掺杂区。
[0032]其中，例如采用纳秒激光设备。
[0033]为了保证较好的硼浆推进效果，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：在太阳能电池的正面形成选择性发射极，所述选择性发射极包括第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区中P型掺杂浓度大于所述第二掺杂区中P型掺杂浓度；所述太阳能电池的正电极与所述第一掺杂区电性接触。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在太阳能电池的正面形成选择性发射极的步骤包括：提供形成有P
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N结的N型硅片；然后在所述硅片正面印刷硼浆；再在所述硅片正面的预设区域将所述硼浆推进所述硅片正面的P型掺杂部位，以形成所述第一掺杂区；以所述P型掺杂部位的剩余区域作为所述第二掺杂区。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述硼浆的质量浓度为2.5～7％。4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述在太阳能电池的正面形成选择性发射极的步骤还包括：在所述硅片正面印刷所述硼浆之前，去除所述硅片正面的硼硅玻璃。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在形成所述第一掺杂区时，采用激光推进所述硼浆；可选地，激光功率为20～40W，激光功率百分比为70～90％，激光扫描速度为20～30m/s，激光扫描次数为2～4次。6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述在太阳能电池的正面形成选择性发射极的步骤还包括：在形成所述第一掺杂区后，在所述硅片正面重新形成硼硅玻璃；可选地，所述重新形成硼硅玻璃的操作包括：先沉...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋杨旭，吴伟梁，王秀鹏，邢国强，
申请(专利权)人：通威太阳能眉山有限公司，
类型：发明
国别省市：