用于存储器模块的篡改检测和保护的技术制造技术

本公开涉及用于存储器模块的篡改检测和保护的技术。公开了用于通过驻留在印刷电路板(PCB)上的控制器的电路对具有也驻留在PCB上的非易失性存储器设备的存储器模块进行篡改检测的技术。示例包括：在所述存储器模块的第一次启动和第二次启动之后，确定使用导电墨在盖的面向非易失性存储器设备的一侧上喷涂的字符图案的电阻值；以及基于所述电阻值的比较，断言寄存器的位以指示对存储器模块的篡改。可以基于对篡改的检测来发起篡改策略动作。作。作。

【技术实现步骤摘要】
用于存储器模块的篡改检测和保护的技术


[0001]本文中描述的示例一般来说涉及用于诸如双列直插式存储器模块(dual in
‑
line memory module,DIMM)之类的存储器模块的篡改检测和保护的技术。

技术介绍

[0002]双列直插式存储器模块(DIMM)通常部署在计算平台(例如，服务器)中来提供系统存储器。一些类型的DIMM被设计成包括永久类型的存储器，该永久类型的存储器包括能够在断电之后维持数据状态的非易失性存储器设备或管芯。与仅包括易失性存储器设备的非永久性DIMM相比，在断电之后维持数据状态的DIMM可能会对数据造成更大的安全风险。例如，非永久性DIMM在断电时会丢失数据状态，并且在从计算平台移除时，对数据结果几乎不造成或不造成安全风险。然而，在永久性DIMM断电之后，数据状态不会丢失，并且DIMM可能会从计算平台中移除，并且可能会尝试从非易失性存储器设备中提取数据。

技术实现思路

[0003]根据本公开的一个实施例，提供了一种装置，包括：控制器，驻留在存储器模块的印刷电路板(PCB)上，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种装置，包括：控制器，驻留在存储器模块的印刷电路板PCB上，所述控制器包括电路用于：响应于所述存储器模块的第一次启动，确定在散热器盖的一侧上喷涂的字符图案的第一电阻值，所述一侧面向驻留在所述PCB的第一侧上的非易失性存储器设备，其中，所述字符图案是使用导电墨进行喷涂的；响应于所述存储器模块的第二次启动，确定所述字符图案的第二电阻值；以及基于在阈值电阻值内所述第二电阻值不匹配所述第一电阻值，断言所述电路能够访问的寄存器的位，以指示对所述存储器模块的篡改。2.根据权利要求1所述的装置，还包括所述电路用于：将所述第一电阻值存储到所述控制器的所述电路能够访问的所述寄存器的第一位集；以及将所述第二电阻值存储到所述寄存器的第二位集，其中，所述第一位集和所述第二位集不包括被断言以指示对所述存储器模块的篡改的位。3.根据权利要求2所述的装置，还包括所述电路用于：将所述第一电阻值转换为第一数字格式的数，并将所述第一数字格式的数存储到所述寄存器的所述第一位集；以及将所述第二电阻值转换为第二数字格式的数，并将所述第二数字格式的数存储到所述寄存器的所述第二位集。4.根据权利要求1所述的装置，还包括所述电路用于：响应于所述存储器模块的第三次启动，检测所述寄存器的指示对所述存储器模块的篡改的经断言位；以及发起篡改策略，所述篡改策略包括：停用所述存储模块的策略、向所述存储器模块的用户生成已检测到篡改的警告的策略、防止解密存储在所述非易失性存储器设备中的加密数据的策略、或擦除存储在所述非易失性存储器设备中的数据的至少一部分的策略。5.根据权利要求1所述的装置，还包括所述电路用于：使篡改指示被存储在所述非易失性存储器设备中的至少一者的物理存储器地址中，或者使可编程熔丝位被激活以指示对所述存储器模块的篡改。6.根据权利要求1所述的装置，所述字符图案包括使用所述导电墨以如下图案在所述散热器盖上喷涂的每模块唯一字符图案：所述图案将字符进行连接以使电流能够经由所述导热墨从所述散热器盖上的输入触点流动到所述散热器盖上的输出触点。7.根据权利要求1所述的装置，所述导电墨包括碳墨、导电聚合物墨、或金属纳米粒子墨。8.根据权利要求1所述的装置，所述存储器模块包括双列直插式存储器模块DIMM，所述DIMM还包括：第二非易失性存储器设备，驻留在所述PCB的第二侧上；以及第二散热器盖，在所述第二散热器盖的面向所述第二非易失性存储器设备的一侧上喷涂有第二字符图案，其中，所述第二字符图案是使用导电墨进行喷涂的。9.根据权利要求8所述的装置，所述电路用于确定所述第一电阻值和所述第二电阻值还包括所述电路用于：响应于所述存储器模块的所述第一次启动，基于所述字符图案和所述第二字符图案的
电阻值确定所述第一电阻值；以及响应于所述存储器模块的所述第二次启动，基于所述字符图案和所述第二字符图案的电阻值确定所述第二电阻值。10.根据权利要求1所述的装置，所述非易失性存储器设备包括字节或块可寻址类型的非易失性存储器，该字节或块可寻址类型的非易失性存储器具有包括硫族化物相变材料的3维3D交叉点存储器结构。11.根据权利要求1所述的装置，所述存储器模块的所述第一次启动包括在所述存储器模块在制造商处组装之后的所述存储器模块的初始启动。12.一种方法，包括：在存储器模块的第一次启动之后，确定在散热器盖的一侧上喷涂的字符图案的第一电阻值，所述一侧面向驻留在所述存储器模块的印刷电路板PCB的第一侧上的非易失性存储器设备，其中，所述字符图案是使用导电墨进行喷涂的；在所述存储器模块的第二次启动之后，确定所述字符图案的第二电阻值；以及基于在阈值电阻值内所述第二电阻值不匹配所述第一电阻值，断言控制器的电路能够访问的寄存器的位，以指示对所述存储器模块的篡改，所述控制器驻留在所述PCB的所述第一侧或第二侧。13.根据权利要求12所述的方法，还包括：将所述第一电阻值存储到所述控制器的所述电路能够访问的所述寄存器的第一位集；以及将所述第二电阻值存储到所述寄存器的第二位集，其中，所述第一位集和所述第二位集不包括被断言以指示对所述存储器模块的篡改的位。14.根据权利要求13所述的方法，还包括：将所述第一电阻值转换为第一数字格式的数，并将所述第一数字格式的数存储到所述寄存器的所述第一位集；以及将所述第二电阻值转换为...

【专利技术属性】
技术研发人员：沙门，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：