【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种组合式开关，包括：功率ＭＯＳＦＥＴ（Ｓ）；与功率ＭＯＳＦＥＴ串联的第一开关二极管（Ｄ↓［１］），其功率ＭＯＳＦＥＴ的寄生二极管与第一开关二极管属反向串联；与由功率ＭＯＳＦＥＴ和第一开关二极管所组成的串联电路进行并联的第二开关二极管（Ｄ↓［２］）；其特征在于，在第一开关二极管（Ｄ↓［１］）上还并联有电容器（Ｃ↓［１］）。
【技术特征摘要】
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