一种半导体结构、存储单元及存储阵列制造技术

本申请提供一种半导体结构、存储单元及存储阵列，可以通过较为简单的结构实现nT

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构、存储单元及存储阵列


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构、存储单元及存储阵列。

技术介绍

[0002]磁性随机存储器(Magnetoresistive Random Access Memory，简称：MRAM)是一种非易失性的磁性随机存储器，具有读写速度较高、集成度较高且重复读写次数较多等特点，在目前的计算机等设备中得到了较为广泛的应用。
[0003]现有技术中，MRAM具体通过磁性隧道结(Magnetic Tunnel Junction，简称：MTJ)MTJ进行信息(“0”或者“1”)的读写与存储，每个MTJ可以通过多个晶体管进行驱动，从而提高对MTJ进行驱动时的驱动电流，这种通过n个晶体管驱动一个MTJ的MRAM又可被称为nT
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MRAM。但是，多个晶体管会占用较大的面积，降低存储密度。

技术实现思路

[0004]本申请提供一种半导体结构、存储单元及存储阵列，可以通过较为简单的结构实现nT
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MRAM，其中通过连接垫将多个MTJ所连接的晶体管本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：位于衬底上若干分立的有源区；连接垫，所述连接垫包括第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分分别连接相邻的所述有源区的端部，所述第一部分沿第一方向延伸，所述第二部分沿第二方向延伸；磁性隧道结，所述磁性隧道结与所述连接垫连接。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一部分和所述第二部分分别与所述有源区的同一端部相连。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述连接垫呈阶梯状延伸。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述有源区呈长条状并沿第三方向延伸。5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，还包括：字线，所述字线穿过所述有源区；并且两个所述字线将单个所述有源区分割成所述有源区的两个端部和所述有源区的中部。6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，还包括：选择线，所述选择线与所述有源区的中部相连。7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述选择线为折线，且所述选择线的延伸方向与所述字线的延伸方向相同。8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，还包括：第一插塞，所述第一插塞连接所述有源区的中部和所述选择线；第二插塞，所述第二插塞连接所述有源区的端部和所述连接垫，且所述第一插塞的高度低于所述第二插塞的高度。9.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述选择线为直线，且所述选择线的延伸方向和所述字线的延伸方向垂直。10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，还包括：第一插塞，所述第一插塞连接所述有源区的中部和所述选择线；第二插塞，所述第二插塞连接所述有源区的端部和所述连接垫，且所述第一插塞的高度与所述第二插塞的高度相同。11.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述第一插塞和所述第二插塞在同一工艺步...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴保磊，王晓光，吴玉雷，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：