磁隧道结叠层结构、存储器及神经网络计算装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种磁隧道结叠层结构，包括：由下向上依次层叠的自旋轨道矩提供层、第一自由层、耦合层、第二自由层、势垒层和参考层；其中，所述第一自由层和所述第二自由层的其中一个为面内磁化方式，另一个为垂直磁化方式；所述参考层的磁化方式与第二自由层的磁化方式相同。将第一自由层和第二自由层的磁化方式设置为不同的磁化方式，利用两者的组合，能够适应多种应用。应多种应用。应多种应用。

【技术实现步骤摘要】
磁隧道结叠层结构、存储器及神经网络计算装置


[0001]本专利技术涉及计算机存储
，尤其涉及一种磁隧道结叠层结构、存储器、神经网络计算装置、自旋振荡器。

技术介绍

[0002]磁性隧道结(MTJ)包括自由层、势垒层、参考层。一般用于非易失性存储器件中，参考层磁化方向固定，自由层磁化方向可变。当自由层和参考层平行，磁性隧道结为低阻态；当自由层和参考层反平行，磁性隧道结为高阻态。自由层磁化方向的改变一般通过自旋轨道矩提供层来实现，自旋轨道矩提供层一般采用重金属(HM)，当电流流经重金属，通过外磁场的辅助或者设置磁性偏置层，实现自由层的磁矩翻转。
[0003]在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现现有技术中至少存在如下技术问题：目前基于自旋轨道矩的磁存储器，一般需要外加磁场，且翻转效率偏低，磁性隧道结的自由层磁化只有两种状态，应用较为单一。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供的磁隧道结叠层结构、存储器、神经网络计算装置、自旋振荡器；将第一自由层和第二自由层的磁化方式设置为不同的磁化方式，利用两者的组合，能够适应多本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁隧道结叠层结构，其特征在于，包括：由下向上依次层叠的自旋轨道矩提供层、第一自由层、耦合层、第二自由层、势垒层和参考层；其中，所述第一自由层和所述第二自由层的其中一个为面内磁化方式，另一个为垂直磁化方式；所述参考层的磁化方式与第二自由层的磁化方式相同。2.根据权利要求1所述磁隧道结叠层结构，其特征在于，所述耦合层包括：第一覆盖区域，覆盖在第一自由层的上表面；第二覆盖区域，覆盖在所述自旋轨道矩提供层上表面除所述第一自由层覆盖区域之外的区域。3.根据权利要求2所述磁隧道结叠层结构，其特征在于，所述耦合层的自旋霍尔角与所述自选轨道矩提供层的自旋霍尔角的方向相反。4.根据权利要求2所述磁隧道结叠层结构，其特征在于，所述耦合层和所述自旋轨道矩提供层的其中一个的材料包括Pt、Pd、Ir或Au中的一种或几种，另一个的材料包括Ta、W或Mo中的一种或几种。5.根据权利要求1所述磁隧道结叠层结构，其特征在于，所述第一自由层、第二自由层和参考层的材料包括Co、Fe、Ni、B、Pd或Pt中的一种或几种；所述势垒层的材料包括MgO、MgAl2O4或Al2O3中的一种或几种。6.一种存储器，其特征在于，包括：如权利要求1
‑
5所述的任意一种磁隧道结叠层结构；其中，所述第一自由层为面内磁化方式，所述第二自由层...

【专利技术属性】
技术研发人员：李州，孟皓，迟克群，石以诺，张文彪，
申请(专利权)人：浙江驰拓科技有限公司，
类型：发明
国别省市：