一种5G大功率低互调宽带负载制造技术

本发明专利技术公开了一种5G大功率低互调宽带负载，包括壳体、同轴线缆和连接器，其中壳体内限定形成腔体。同轴线缆盘绕在腔体内，且一端与连接器连接，同轴线缆用于传输和吸收入射功率。连接器用于接收外部的入射功率，连接器包括同轴设置的连接头和转接头，连接头穿过壳体并与壳体固定连接，且连接头位于腔体内的端部与转接头连接，同轴线缆的线缆内芯穿过转接头与连接头焊接固定，同轴线缆的浸锡编织层与转接头焊接固定。连接器和同轴电缆连接稳定，保证负载的三阶互调指标在各个频段上都有良好表现。表现。表现。

【技术实现步骤摘要】
一种5G大功率低互调宽带负载


[0001]本专利技术涉及移动通信设备
，尤其涉及一种5G大功率低互调宽带负载。

技术介绍

[0002]随着5G移动通信的快速发展，通信系统中载波数量和功率不断增加的同时，对设备的互调要求也越来越高，作为通信系统中的功率吸收装置，低互调负载正变得越来越重要。目前常见的低互调负载中，一种是线缆绕组式负载，其原理是通过线缆的自然衰落来实现负载特性；另一种是电阻式负载，电阻材料放置于不同波段的射频电路结构中形成相应频率的负载。
[0003]针对较为常见的线缆绕组式负载，线缆一端通常连接到接头上，通过接头和外部通信系统连接。传统的负载设计是线缆直接与接头焊接，接头通常包括外壳和线缆内芯，线缆内芯跟线缆焊接后，再压接到接头外壳。但接头由于需要在低温、潮湿、空气中含盐比较多的使用环境中，为保证接头外观良好、防止氧化并能满足盐雾测试的要求，通常采用电镀三元合金在接头表面形成三元合金电镀层。但线缆在与具有三元合金电镀层的接头焊接时，会出现融锡不充分，焊接不牢的情况，最终导致三阶互调指标不良，影响负载的使用效果。

技术实现思路

[0004]为克服上述缺点，本专利技术的目的在于提供一种5G大功率低互调宽带负载，连接器和同轴电缆连接稳定，保证负载的三阶互调指标在各个频段上都有良好表现。
[0005]为了达到以上目的，本专利技术采用的技术方案是：一种5G大功率低互调宽带负载，包括壳体、同轴线缆和连接器，其中所述壳体内限定形成腔体；所述同轴线缆盘绕在腔体内，且一端与连接器连接，所述同轴线缆用于传输和吸收入射功率；所述连接器用于接收外部的入射功率，所述连接器包括同轴设置的连接头和转接头，所述连接头穿过壳体并与壳体固定连接，且所述连接头位于腔体内的端部与转接头连接，所述同轴线缆的线缆内芯穿过转接头与连接头焊接固定，所述同轴线缆的浸锡编织层与转接头焊接固定。
[0006]本专利技术的有益效果在于：分体式的连接头和转接头，连接头与电缆内芯焊接，转接头和浸锡编织层焊接，连接稳定，保证三阶互调指标在各个频段上均有良好表现。
[0007]进一步来说，所述连接头与线缆内芯的焊接部分、转接头与浸锡编织层的焊接部分均通过电镀银形成镀银层。两个焊接处均电镀银形成镀银层，可以充分融锡，提高焊接稳定性。
[0008]进一步来说，所述连接头包括一体成型的接头内芯和外壳，所述接头内芯设置在外壳内且和外壳同轴设置，所述外壳固定在壳体上，所述接头内芯与外壳的内壁间留有间隙，所述接头内芯和线缆内芯焊接。连接头采用由接头内芯和外壳组成的一体结构，外壳和壳体固定，实现充分接地，通过接头内芯与线缆内芯固定，实现功率传输。
[0009]进一步来说，所述接头内芯包括位于腔体内部的内连接部，所述内连接部自其靠
近转接头的端部开设有供线缆内芯插入的固定槽，线缆内芯插入固定槽内并焊接固定在固定槽内。固定槽在固定线缆内芯的同时，增大与线缆内芯的接触面积，保证功率的传输。内连接部上还开设有与固定槽导通的灌锡口一，焊锡从灌锡口一导入，实现焊接。
[0010]进一步来说，所述转接头包括依次连接且同轴设置的连接部和焊接部，连接部套设在连接部外且与连接头螺纹连接，可快速装卸转接头。所述焊接部开设有供同轴线缆穿过的通道，且所述焊接部和浸锡编织层焊接，所述连接部上开设有与通道连通的保护腔。保护腔有效保护同轴线缆，避免转动发生折断等情况。
[0011]进一步来说，所述连接部的外壁为多边形结构，优选为六边形，便于从各个角度着力转动连接部。
[0012]进一步来说，所述同轴线缆的另一端焊接固定有低互调片式负载，所述低互调片式负载接地。低互调片式负载用于吸收功率，低互调片式负载的工作频率是DC
‑
6(GHz),采用此低互调片式负载可以有效吸收同轴线缆衰减不掉的信号，保证本负载的工作频带从0Hz开始，扩展了工作频带宽度。同时由于低互调片式负载能吸收部分功率，也避免了盘绕过多的同轴线缆，节约了空间，降低了成本。
[0013]进一步来说，所述腔体内还固定有绕线柱和线缆挡板，所述绕线柱固定在壳体的底板上，所述线缆挡板固定在绕线柱上端面，所述同轴线缆盘绕在绕线柱上，且位于底板和线缆挡板之间。绕线柱和线缆挡板设置，便于同轴线缆盘绕。
[0014]进一步来说，还包括散热装置，所述散热装置包括上散热片和下散热片，所述上散热片固定在壳体的上端开口处，所述下散热片固定在壳体的下端面并与壳体的底板抵接。上下两个散热片，从上下两侧对负载进行散热，保证负载在长时间工作下的散热。
[0015]进一步来说，所述上散热片和壳体之间设置有密封两者连接处的第二密封圈，所述连接器和壳体之间设置有密封两者连接处的第一密封圈。壳体的开口处均设置有密封圈，第一密封圈和第二密封圈提高了负载的防水性，避免负载在使用过程中进入水分，影响使用。
附图说明
[0016]图1为本专利技术实施例的立体结构示意图；
[0017]图2为本专利技术实施例的剖视图；
[0018]图3为本专利技术实施例的爆炸图；
[0019]图4为本专利技术实施例中连接器与同轴线缆的连接状态剖视图；
[0020]图5为图4中A处放大图；
[0021]图6为本专利技术实施例中连接头的立体结构示意图；
[0022]图7为本专利技术实施例中连接头的剖视图；
[0023]图8为本专利技术实施例中转接头的立体结构示意图；
[0024]图9为本专利技术实施例中转接头的剖视图；
[0025]图10为本专利技术实施例中同轴线缆的立体结构示意图。
[0026]图中：
[0027]1、壳体；11、腔体；2、同轴线缆；21、线缆内芯；22、浸锡编织层；23、介质层；3、连接器；31、连接头；311、接头内芯；3111、内连接部；3111a、固定槽；3111b、灌锡口一；3112、外连
接部；312、外壳；3121、连接盘；32、转接头；321、连接部；3211、保护腔；322、焊接部；3221、通道；3222、灌锡口二；4、低互调片式负载；5、绕线柱；6、线缆挡板；61、线缆让位槽；71、上散热片；72、下散热片；81、第二密封圈；82、第一密封圈。
具体实施方式
[0028]下面结合附图对本专利技术的较佳实施例进行详细阐述，以使本专利技术的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本专利技术的保护范围做出更为清楚明确的界定。
[0029]参见附图1所示，本专利技术的一种5G大功率低互调宽带负载，包括壳体1、同轴线缆2和连接器3。壳体1内限定形成腔体11，同轴线缆2盘绕在腔体11内，且一端与连接器3连接，同轴线缆2用于传输和吸收入射功率。同轴线缆2采用RG
‑
402射频线缆。连接器3贯穿壳体1并与壳体1固定连接，连接器3用于接收外部的入射功率。
[0030]参见附图3所示，壳体1包括一体成型的底板和侧壁，底板和侧板之间限定形成腔体11，连接器3固定在一个侧壁上，侧壁上开设有供连接其穿过本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种5G大功率低互调宽带负载，包括壳体、同轴线缆和连接器，其特征在于：其中所述壳体内限定形成腔体；所述同轴线缆盘绕在腔体内，且一端与连接器连接，所述同轴线缆用于传输和吸收入射功率；所述连接器用于接收外部的入射功率，所述连接器包括同轴设置的连接头和转接头，所述连接头穿过壳体并与壳体固定连接，且所述连接头位于腔体内的端部与转接头连接，所述同轴线缆的线缆内芯穿过转接头与连接头焊接固定，所述同轴线缆的浸锡编织层与转接头焊接固定。2.根据权利要求1所述的5G大功率低互调宽带负载，其特征在于：所述连接头与线缆内芯的焊接部分、转接头与浸锡编织层的焊接部分均通过电镀银形成镀银层。3.根据权利要求1所述的5G大功率低互调宽带负载，其特征在于：所述连接头包括一体成型的接头内芯和外壳，所述接头内芯设置在外壳内且和外壳同轴设置，所述外壳固定在壳体上，所述接头内芯与外壳的内壁间留有间隙，所述接头内芯和线缆内芯焊接。4.根据权利要求3所述的5G大功率低互调宽带负载，其特征在于：所述接头内芯包括位于腔体内部的内连接部，所述内连接部自其靠近转接头的端部开设有供线缆内芯插入的固定槽，线缆内芯插入固定槽内并焊接固定在固定槽内。5.根据权利要求1所述的5G大功率低互调宽带负载，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈国梁，张刚，贾松，吴委，
申请(专利权)人：恒尔威科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：