本发明专利技术提供一种显示面板、像素驱动电路及显示装置，包括驱动晶体管和发光器件，驱动晶体管与对应的发光器件串联于第一电压端和第二电压端之间。驱动晶体管包括并联的第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管的阈值电压的绝对值大于第二晶体管的阈值电压的绝对值，且第一晶体管的载流子迁移率大于第二晶体管的载流子迁移率，以在驱动对应的发光器件发光时使第二晶体管先于第一晶体管开启，从而使驱动发光器件发光的电流受第二晶体管的特性影响而放缓上升速度，改善显示面板低亮度色不均的问题。题。题。
【技术实现步骤摘要】
显示面板、像素驱动电路及显示装置
[0001]本专利技术涉及显示
，具体涉及一种显示面板、一种像素驱动电路及 一种显示装置。
技术介绍
[0002]现有的显示面板中像素驱动电路架构多采用低温多晶硅技术，但晶体管漏 电流较大，且受限于制程因素，晶体管会出现电性不均的问题，导致显示面板 易出现显示低亮度色不均的问题。
技术实现思路
[0003]本专利技术实施例提供一种显示面板、像素驱动电路及显示装置，以改善显示 面板显示低亮度色不均的问题。
[0004]本专利技术实施例提供一种显示面板，所述显示面板包括多个发光器件，多个 像素驱动电路。每一所述像素驱动电路与至少一所述发光器件电性连接，每一 所述像素驱动电路包括驱动晶体管，所述驱动晶体管与对应的所述发光器件串 联于第一电压端和第二电压端之间，所述驱动晶体管包括并联的第一晶体管和 第二晶体管。
[0005]其中，所述第一晶体管的阈值电压的绝对值大于所述第二晶体管的阈值电 压的绝对值，且所述第一晶体管的载流子迁移率大于所述第二晶体管的载流子 迁移率。
[0006]可选地，在本专利技术的一些实施例中，所述第一晶体管的有源层和所述第二 晶体管的有源层类型不同。
[0007]可选地，在本专利技术的一些实施例中，所述第一晶体管的所述有源层包括硅 半导体，所述第二晶体管的所述有源层包括氧化物半导体。
[0008]可选地，在本专利技术的一些实施例中，所述第一晶体管的阈值电压的绝对值 与所述第二晶体管的阈值电压的绝对值之差大于或等于0.1伏特且小于或等于 1伏特。
[0009]可选地，在本专利技术的一些实施例中，每一所述像素驱动电路还包括第三晶 体管以及存储电容。所述第三晶体管的源极和漏极电性连接于所述第一晶体管 的栅极、所述第二晶体管的栅极与数据线之间，所述第三晶体管的栅极与扫描 线电性连接；所述存储电容串联于所述第一电压端与所述第一晶体管的所述栅 极、所述第二晶体管的所述栅极之间。其中，所述第三晶体管的有源层包括氧 化物半导体或硅半导体。
[0010]可选地，在本专利技术的一些实施例中，所述显示面板包括第一半导体层和第 二半导体层。所述第一半导体层包括所述第一晶体管的有源层；所述第二半导 体层位于所述第一半导体层上，所述第二半导体层包括所述第二晶体管的有源 层。其中，所述第二晶体管的所述有源层在所述第一晶体管的所述有源层上的 正投影与所述第一晶体管的所述有源层重叠。
[0011]可选地，在本专利技术的一些实施例中，所述显示面板还包括第一金属层和第 二金属层。所述第一金属层位于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间； 所述第二金属层位
于所述第二半导体层远离所述第一金属层的一侧。其中，所 述第一金属层包括所述第一晶体管的栅极，所述第一晶体管的所述栅极与所述 第一晶体管的所述有源层至少部分重叠；所述第二金属层包括所述第二晶体管 的栅极，所述第二晶体管的所述栅极与所述第二晶体管的所述有源层至少部分 重叠，且所述第二晶体管的所述栅极在所述第一金属层上的正投影与所述第一 晶体管的所述栅极重叠。
[0012]可选地，在本专利技术的一些实施例中，所述显示面板还包括第三金属层，所 述第三金属层位于所述第二金属层远离所述第二半导体层的一侧，所述第三金 属层包括源极和漏极，所述源极和所述漏极在所述第二金属层上的正投影位于 所述第二晶体管的栅极两侧且与所述第二晶体管的栅极平行。所述第一金属层 还包括位于所述第一晶体管的栅极两侧且与所述第一晶体管的栅极平行的转 接部，所述转接部在所述第三金属层上的正投影与所述源极和所述漏极至少部 分重叠。其中，所述转接部与所述第一晶体管的所述有源层电性连接；所述源 极和所述漏极电性连接所述转接部和所述第二晶体管的所述有源层。
[0013]本专利技术实施例还提供一种像素驱动电路，包括驱动晶体管和发光器件。所 述驱动晶体管包括并联的第一晶体管和第二晶体管，所述发光器件与所述驱动 晶体管串联于第一电压端和第二电压端之间。其中，所述第一晶体管的阈值电 压的绝对值大于所述第二晶体管的阈值电压的绝对值，所述第一晶体管包括硅 半导体层，所述第二晶体管包括氧化物半导体层。
[0014]本专利技术实施例还提供一种显示装置，包括任一上述的显示面板或任一上述 的像素驱动电路。
[0015]本专利技术提供一种显示面板、像素驱动电路及显示装置，显示面板包括多个 发光器件和多个像素驱动电路。每一像素驱动电路与至少一发光器件电性连接， 每一像素驱动电路包括驱动晶体管，驱动晶体管与对应的发光器件串联于第一 电压端和第二电压端之间。驱动晶体管包括并联的第一晶体管和第二晶体管。 其中，第一晶体管的阈值电压的绝对值大于第二晶体管的阈值电压的绝对值， 且第一晶体管的载流子迁移率大于第二晶体管的载流子迁移率，以在驱动对应 的发光器件发光时使第二晶体管先于第一晶体管开启，从而使驱动发光器件发 光的电流受第二晶体管的特性影响而放缓上升速度，改善显示面板低亮度色不 均的问题。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所 需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术 的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还 可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]图1是本专利技术实施例提供的显示面板的结构示意图；
[0018]图2A～图2B是本专利技术实施例提供的像素驱动电路的结构示意图；
[0019]图3是本专利技术实施例提供的第一晶体管和第二晶体管并联的转移特性曲线 示意图；
[0020]图4是本专利技术实施例提供的对应图2B所示的像素驱动电路的时序图；
[0021]图5A～图5B是本专利技术实施例提供的第一晶体管和第二晶体管的结构示意 图。
具体实施方式
[0022]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清 楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是 全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳 动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。此外，应当理 解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限制 本专利技术。在本专利技术中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下
”ꢀ
通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而
ꢀ“
内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
[0023]具体地，如图1是本专利技术实施例提供的显示面板的结构示意图。所述显示 面板包括显示区100a和位于所述显示区100a外围的非显示区100b。所述显示面 板包括多条扫描线SL、多条数据线DL、多个发光器件101及多个像素驱动电路。
[0024]多条所述扫描线SL传输多个扫描信号Scan。可选地，多条所述扫描线SL 沿第二方向y排列且沿第一方向x延伸。多条所述扫描线SL电性连接于多个所 述像素驱动电本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：多个发光器件；多个像素驱动电路，每一所述像素驱动电路与至少一所述发光器件电性连接，每一所述像素驱动电路包括驱动晶体管，所述驱动晶体管与对应的所述发光器件串联于第一电压端和第二电压端之间，所述驱动晶体管包括并联的第一晶体管和第二晶体管；其中，所述第一晶体管的阈值电压的绝对值大于所述第二晶体管的阈值电压的绝对值，且所述第一晶体管的载流子迁移率大于所述第二晶体管的载流子迁移率。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一晶体管的有源层和所述第二晶体管的有源层类型不同。3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一晶体管的所述有源层包括硅半导体，所述第二晶体管的所述有源层包括氧化物半导体。4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一晶体管的阈值电压的绝对值与所述第二晶体管的阈值电压的绝对值之差大于或等于0.1伏特且小于或等于1伏特。5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，每一所述像素驱动电路还包括：第三晶体管，所述第三晶体管的源极和漏极电性连接于所述第一晶体管的栅极、所述第二晶体管的栅极与数据线之间，所述第三晶体管的栅极与扫描线电性连接；以及，存储电容，串联于所述第一电压端与所述第一晶体管的所述栅极、所述第二晶体管的所述栅极之间；其中，所述第三晶体管的有源层包括氧化物半导体或硅半导体。6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，包括：第一半导体层，所述第一半导体层包括所述第一晶体管的有源层；第二半导体层，位于所述第一半导体层上，所述第二半导体层包括所述第二晶体管的有源层；其中，所述第二晶体管的所述有源层在所述第一晶体管的所述有源层上的正投影与所述第一晶体管的所...
【专利技术属性】
技术研发人员：程洪，管延庆，田超，艾飞，刘广辉，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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