一种双阴离子共掺杂的富锂锰基复合材料、制备方法和应用技术

技术编号:33835246 阅读:32 留言:0更新日期:2022-06-16 11:49
本发明专利技术涉及一种双阴离子共掺杂的富锂锰基复合材料、制备方法和应用,属于储能材料及电化学技术领域。所述材料在富锂锰基正极材料中掺杂了F

【技术实现步骤摘要】
一种双阴离子共掺杂的富锂锰基复合材料、制备方法和应用


[0001]本专利技术涉及一种双阴离子共掺杂的富锂锰基复合材料、制备方法和应用,属于储能材料及电化学


技术介绍

[0002]自1991年索尼公司将锂离子电池商业化以后,锂离子电池在手机、电脑等小型3C数码领域得到广泛应用。相比于传统二次电池,锂离子电池具有比容量高、循环寿命长、绿色无污染的特点,近年来正向着动力汽车、大型储能装置方向发展。在锂离子电池体系中,电池容量主要受限于正极材料容量,正极材料成本也占据电池成本的30%以上,因此寻找具有高容量同时生产成本较低的正极材料成为电池行业发展的关键。
[0003]开发高电位和高比能量的富锂锰基正极材料是锂离子电池产业化的必经之路,也是当前国际上的研究热点之一。富锂锰基正极材料具有诸多优点,例如高的比容量,成本低、环境友好等,但是这种材料也具有很大的缺陷例如循环性能差、倍率性能差、导电性差以及严重的电压降问题等。高嵌锂状态与高电压下欠佳的结构和稳定性以及循环过程中的电压衰减问题,是未来富锂锰基正极材料在高能量密度锂离子动力电池中应本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双阴离子共掺杂的富锂锰基复合材料,其特征在于:所述材料在富锂锰基正极材料中掺杂了F

和S2‑
,其中F

掺杂含量为1%~3%,掺杂深度为表层5nm~10nm;S2‑
掺杂含量为1%~3%,掺杂深度为表层5nm~10nm;所述双阴离子共掺杂的富锂锰基复合材料具有层状

尖晶石复合结构。2.根据权利要求1所述一种双阴离子共掺杂的富锂锰基复合材料,其特征在于:所述富锂锰基正极材料为采用凝胶溶胶法合成的富锂锰基正极材料。3.一种如权利要求1或2所述双阴离子共掺杂的富锂锰基复合材料的制备方法,其特征在于:所述方法是将富锂锰基正极材料经过氟源和硫源预处理后煅烧;所述氟源为氟化铵或氟化锂;所述硫源为硫粉或硫化锂;所述方法具体步骤如下:(1)将氟源溶液A和硫源溶液B搅拌混合均匀,氟源和硫源的质量比为1:1~1:2.5,得到混合溶液;所述溶液A中氟源的质量浓度为1mg/mL~2mg/mL,溶剂为醇类;所述溶液B中硫源的质量浓度为1mg/mL~5mg/mL,溶剂为二硫化碳、四氯化碳或乙醇;(2)将富锂锰基正极材料分散于混合溶液中,所述富锂锰基正极材料在混合溶液中的质量浓度为20g/L~30g/L,混合搅拌至溶剂全部挥发,得到固体粉末;(3)将固体粉末在惰性气体保护下120℃低温预烧1h~2h,预烧得到的产物研磨至粉...

【专利技术属性】
技术研发人员:董锦洋苏岳峰陈来卢赟李宁曹端云黄擎吴锋
申请(专利权)人:北京理工大学重庆创新中心
类型:发明
国别省市:

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