一种带有壳体保护的相变冷却GaN-HEMT功率放大器制造技术

本发明专利技术公开了一种带有壳体保护的相变冷却GaN

【技术实现步骤摘要】
一种带有壳体保护的相变冷却GaN
‑
HEMT功率放大器


[0001]本专利技术涉及功率放大器
，具体为一种带有壳体保护的相变冷却GaN
‑
HEMT功率放大器。

技术介绍

[0002]放大器是能把输入讯号的电压或功率放大的装置，由电子管或晶体管、电源变压器和其他电器元件组成。用在通讯、广播、雷达、电视、自动控制等各种装置中。电子设备的失效有一半以上是由于温度过高导致，GaN主放大芯片在200℃下的工作寿命仅为在120℃下的1/1000。
[0003]现有技术中功率放大器存在的缺陷是：
[0004]1、专利文件CN212138179U公开了一种室外用防水功率放大器，“所述功率放大器内部的上端设置有安装腔，所述安装腔的内部分别安装有光伏逆变器和蓄电池，所述功率放大器的底部设置有导热翅片，所述功率放大器底部的中间位置处固定设置有固定柱，所述驱动电机的输出轴安装有旋转盘，所述旋转盘的外部设置有叶片，所述功率放大器的外部设置有防护外壳，所述防护外壳与功率放大器之间分别设置有第一弹簧和第二弹簧，所述防护外壳的上端安装有太阳能电池板，所述防护外壳的下端均设置有斜板。”，该装置内部的缺少防护结构，容易在受到冲击时，导致装置内部零件损坏，
[0005]2、专利文件CN214480481U公开了一种电子管音频功率放大器，“所述功率放大器装置主体的四周安装有防撞橡胶保护套，且防撞橡胶保护套设置有四个，所述功率放大器装置主体的上端安装有散热格栅，且散热格栅设置有若干个，所述功率放大器装置主体的后端安装有电池安装仓，所述电池安装仓的前端安装有电池安装仓盖，所述电池安装仓盖的下端安装有连接插销，所述电池安装仓盖的上端安装有电池安装仓把手”，该装置内部缺少冷却结构，放大器在运行的过程中，不断是否热量，装置外壳为封闭环境，不方便散热。
[0006]3、专利文件CN212138234U公开了一种具有屏蔽功能的功率放大器，“所述功率放大器壳体的上方设置有盖体，所述盖体的上端设置有收纳槽，两个所述收纳槽的一侧均设置有锁紧螺钉，所述功率放大器壳体的一侧设置有液晶显示屏，所述液晶显示屏的下方设置有调节旋钮，所述液晶显示屏的两侧分别设置有输入端接口和输出端接口，所述液晶显示屏的上方设置有电源接口和工作指示灯，所述功率放大器壳体的外部设置有复合金属屏蔽垫，所述功率放大器壳体的内部设置有绝缘垫”，该装置内部不具备散热结构，导致装置无法快速对装置散热，导致装置温度过高出现危险。
[0007]4、专利文件CN207185061U公开了一种微波功率放大器的散热结构及微波功率放大器，“包括：散热器、壳体、前封板和后封板；散热器的顶部为一平面，用于承载设置微波功率放大器的功能部件；散热器的底部为散热齿，为微波功率放大器的功能部件提供散热；壳体为中空结构，散热器设置于壳体的内部；前封板固定安装于壳体的一侧开口，后封板固定安装于壳体的另一侧开口，前封板和后封板用于与壳体构成密封空间结构；后封板上设置有散热风扇”，该装置的缺少加快装置散热的结构，导致装置散热速度无法满足装置。

技术实现思路

[0008]本专利技术的目的在于提供一种带有壳体保护的相变冷却GaN
‑
HEMT功率放大器，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0009]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种带有壳体保护的相变冷却GaN
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HEMT功率放大器，包括壳体和安装箱，所述壳体的内壁两侧安装有嵌合槽，所述嵌合槽的内侧嵌合安装有支撑卡件，两组所述支撑卡件之间安装有电路板，所述壳体的顶部嵌合安装有顶盖，所述壳体的正面嵌合安装有封闭板；
[0010]所述壳体的底部安装有连接板，所述连接板的底部通过螺栓安装有支撑台，所述支撑台的底部安装有安装箱，所述安装箱的内侧底部安装有相变乳状液存储盒；
[0011]所述壳体的两侧外壁上安装有挤压板，所述挤压板远离壳体的一侧安装有复位弹簧，所述复位弹簧远离挤压板的一端安装有安装板，所述安装板远离复位弹簧的一面安装有防护壳，且防护壳位于壳体的外侧。
[0012]优选的，所述壳体的内壁一侧安装有温度传感器，且温度传感器位于嵌合槽的上方，所述壳体的内壁两侧安装有连接螺纹座，且连接螺纹座位于温度传感器的上方。
[0013]优选的，所述电路板的底部通过螺栓安装有散热片，所述电路板的顶部安装有电子元件，所述电路板的顶部安装有支撑杆，所述支撑杆的顶部安装有固定板，所述固定板的内侧贯穿安装有安装架，所述安装架的内侧安装有散热风机。
[0014]优选的，所述顶盖的底部安装有封闭环，封闭环嵌合在壳体的顶部内侧，所述顶盖的内侧贯穿安装有固定螺钉，固定螺钉的底端通过螺纹与连接螺纹座的内侧连接。
[0015]优选的，所述防护壳的顶部外壁上安装有两组对称排列的防护垫，所述防护壳的顶部贯穿安装有控制器，且控制器位于两组防护垫之间。
[0016]优选的，所述安装箱的两侧外壁上安装有定位板。
[0017]优选的，所述相变乳状液存储盒的一侧外壁上安装有输出管，所述输出管的一端安装有微型液体泵，微型液体泵通过螺栓安装在安装箱的内侧底壁上，且微型液体泵位于相变乳状液存储盒的一侧，所述微型液体泵的输出端安装有输液管，输液管贯穿支撑台和壳体的底部内侧，所述输液管的顶端安装有吸热管，吸热管位于散热片的下方，所述吸热管的一端安装有连接管，连接管的一端贯穿支撑台和壳体的底部内侧，连接管的底端安装在相变乳状液存储盒的另一侧的外壁上。
[0018]优选的，所述封闭板的正面贯穿安装有两组对称分布的接线口，所述封闭板的后壁安装有嵌合板，嵌合板嵌合安装在壳体的内侧，所述封闭板的正面贯穿安装有VGA接口，所述封闭板的正面贯穿安装有两组对称排列的螺纹接口，且螺纹接口位于VGA接口的两侧。
[0019]优选的，该放大器的工作步骤如下：
[0020]S1、首先使用者将电路板上的支撑卡件嵌合安装在嵌合槽的内侧，由嵌合槽对电路板进行支撑，保证电路板的稳定性，方便使用者对电路板安装，电路板上的接线与封闭板上的接线口和VGA接口连接，用于正常的电流传输，完成线路的连接后，使用者将嵌合板嵌合在壳体的正面，封闭板通过嵌合板安装在壳体的正面，方便使用者对装置进行组装，完成封闭板的安装后，使用者将顶盖通过封闭环嵌合安装在壳体的顶部内侧，保证顶盖的稳定性，顶盖的内侧贯穿有固定螺钉，由固定螺钉的底端与连接螺纹座的内侧连接，对顶盖进行固定，方便工人对放大器进行组装；
[0021]S2、完成组装后，使用者将安装箱和顶部的壳体放置在指定位置，工人将螺钉贯穿定位板将装置固定在指定位置，方便工人对设备进行安装，使用者将防护壳上的挤压板抵在壳体的两侧外壁上，通过复位弹簧的张力装置进行挤压，挤压板通过挤压力紧贴在壳体的外壁上，方便挤压板通过复位弹簧和复位弹簧配合对防护壳支撑，保证防护壳的稳定，由防护壳安装在装置的外侧，通过防护壳对内侧的设备进行保护，保证装置的安全；
[0022]S3本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带有壳体保护的相变冷却GaN
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HEMT功率放大器，包括壳体(1)和安装箱(5)，其特征在于：所述壳体(1)的内壁两侧安装有嵌合槽(101)，所述嵌合槽(101)的内侧嵌合安装有支撑卡件(203)，两组所述支撑卡件(203)之间安装有电路板(2)，所述壳体(1)的顶部嵌合安装有顶盖(3)，所述壳体(1)的正面嵌合安装有封闭板(7)；所述壳体(1)的底部安装有连接板(104)，所述连接板(104)的底部通过螺栓安装有支撑台(501)，所述支撑台(501)的底部安装有安装箱(5)，所述安装箱(5)的内侧底部安装有相变乳状液存储盒(6)；所述壳体(1)的两侧外壁上安装有挤压板(404)，所述挤压板(404)远离壳体(1)的一侧安装有复位弹簧(403)，所述复位弹簧(403)远离挤压板(404)的一端安装有安装板(402)，所述安装板(402)远离复位弹簧(403)的一面安装有防护壳(4)，且防护壳(4)位于壳体(1)的外侧。2.根据权利要求1所述的一种带有壳体保护的相变冷却GaN
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HEMT功率放大器，其特征在于：所述壳体(1)的内壁一侧安装有温度传感器(102)，且温度传感器(102)位于嵌合槽(101)的上方，所述壳体(1)的内壁两侧安装有连接螺纹座(103)，且连接螺纹座(103)位于温度传感器(102)的上方。3.根据权利要求1所述的一种带有壳体保护的相变冷却GaN
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HEMT功率放大器，其特征在于：所述电路板(2)的底部通过螺栓安装有散热片(201)，所述电路板(2)的顶部安装有电子元件(202)，所述电路板(2)的顶部安装有支撑杆(204)，所述支撑杆(204)的顶部安装有固定板(205)，所述固定板(205)的内侧贯穿安装有安装架(206)，所述安装架(206)的内侧安装有散热风机(207)。4.根据权利要求1所述的一种带有壳体保护的相变冷却GaN
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HEMT功率放大器，其特征在于：所述顶盖(3)的底部安装有封闭环(301)，封闭环(301)嵌合在壳体(1)的顶部内侧，所述顶盖(3)的内侧贯穿安装有固定螺钉(302)，固定螺钉(302)的底端通过螺纹与连接螺纹座(103)的内侧连接。5.根据权利要求1所述的一种带有壳体保护的相变冷却GaN
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HEMT功率放大器，其特征在于：所述防护壳(4)的顶部外壁上安装有两组对称排列的防护垫(401)，所述防护壳(4)的顶部贯穿安装有控制器(405)，且控制器(405)位于两组防护垫(401)之间。6.根据权利要求1所述的一种带有壳体保护的相变冷却GaN
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HEMT功率放大器，其特征在于：所述安装箱(5)的两侧外壁上安装有定位板(502)。7.根据权利要求1所述的一种带有壳体保护的相变冷却GaN
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HEMT功率放大器，其特征在于：所述相变乳状液存储盒(6)的一侧外壁上安装有输出管(601)，所述输出管(601)的一端安装有微型液体泵(602)，微型液体泵(602)通过螺栓安装在安装箱(5)的内侧底壁上，且微型液体泵(602)位于相变乳状液存储盒(6)的一侧，所述微型液体泵(602)的输出端安装有输液管(603)，输液管(603)贯穿支撑台(501)和壳体(1)的底部内侧，所述输液管(603)的顶端安装有吸热管(604)，吸热管(604)位于散热片(201)的下方，所述吸热管(604)的一端安装有连接管(605)，连接管(605)的一端贯穿支撑台(501)和壳体(1)的底部内侧，连接管(605)的底端安装在相变乳状液存储盒(6)的另一侧的外壁上。8.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵彦琦，张岩岩，
申请(专利权)人：江苏大学，
类型：发明
国别省市：