一种非晶MgGaO薄膜和制备方法及应用技术

本发明专利技术涉及基本电气元件领域，具体涉及一种非晶MgGaO薄膜和制备方法及应用，所述非晶MgGaO薄膜为尖晶石结构，所述MgGa2O4薄膜的吸收截止边为200～260nm，MgGa2O4是MgO和Ga2O3的复合氧化物，具有尖晶石结构，属于直接带隙半导体，禁带宽度在4.9

【技术实现步骤摘要】
一种非晶MgGaO薄膜和制备方法及应用


[0001]本专利技术涉及基本电气元件领域，尤其涉及一种非晶MgGaO薄膜和制备方法及应用。

技术介绍

[0002]紫外探测技术在导弹尾焰探测、火焰传感、空气和水净化以及空对空通信等军事和民用领域有广阔的应用前景。波长小于280nm的紫外辐射由于受到地球上空臭氧层的阻挡，几乎无法传播到地球表面，被称为日盲紫外。工作在日盲波段的日盲紫外探测器不受太阳辐射的干扰，具有更高的灵敏度，可应用于导弹预警等方面。近年来，宽禁带半导体紫外探测器因其体积小、重量轻、工作时无需滤光片、无需制冷等优点被认为是可以取代真空光电倍增管和Si光电倍增管的第三代紫外探测器。
[0003]而现有的紫外探测器的探测精度不够，无法满足探测需要。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种非晶MgGaO薄膜和制备方法及应用，旨在可以更好的对紫外线进行探测。
[0005]为实现上述目的，第一方面，本专利技术提供了一种非晶MgGaO薄膜，所述非晶MgGaO薄膜为尖晶石结构，所述MgGa2O4薄膜的吸收截止边为200～260nm。
[0006]第二方面，本专利技术提供一种非晶MgGaO薄膜的制备方法，包括：将衬底放置到沉积装置中；
[0007]采用负压对衬底进行吸附固定；
[0008]分别通入镁源、镓源和氧源在衬底表面生长MgGa2O4薄膜；
[0009]取出MgGa2O4薄膜。
[0010]其中，所述镁源为有机镁化合物、镓源为有机镓化合物，氧源为高纯氧气。
[0011]其中，所述沉积装置包括支撑组件、进气组件和控制组件，所述支撑组件包括外壳、支撑台、滑动杆、滑动套和控制杆，所述支撑台具有气孔，所述支撑台滑动设置在所述外壳内，所述滑动杆与所述支撑台固定连接，并位于所述支撑台的一侧，所述滑动套与所述外壳固定连接，所述滑动杆设置在所述滑动套内，所述控制杆与所述外壳固定连接，并位于所述气孔内，所述进气组件设置在所述外壳的一侧，所述控制组件包括负压泵、吸气管和旁通管，所述负压泵设置在所述外壳的一侧，所述吸气管与所述支撑台连通和所述负压泵连通，所述旁通管与所述气孔连通。
[0012]其中，所述进气组件包括多个进气管和混合器，所述混合器与所述外壳连通，多个所述进气管与所述混合器连通。
[0013]其中，所述混合器包括混合壳和搅拌件，所述搅拌件设置在所述混合壳内。
[0014]第三方面，本专利技术还提供一种非晶MgGaO薄膜的应用，所述非晶MgGaO薄膜用于制备紫外光伏探测器。
[0015]本专利技术的一种非晶MgGaO薄膜和制备方法及应用，MgGa2O4是MgO和Ga2O3的复合氧
化物，具有尖晶石结构，属于直接带隙半导体，禁带宽度在4.9
‑
7.8eV之间，在原理上可以应用于158
‑
253nm范围内的紫外光电器件。MgGa2O4与ZnMgO相比，可以避免结构分相问题；MgGa2O4与Ga2O3相比，可以实现电学特性调控，提升导电性。又由于MgGa2O4具有很好的稳定性及抗辐射能力，较低的暗电流等优势。
附图说明
[0016]图1是本专利技术的一种非晶MgGaO薄膜的制备方法的流程图。
[0017]图2是本专利技术的沉积装置的结构图。
[0018]1‑
支撑组件、2
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进气组件、3
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控制组件、11
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外壳、12
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支撑台、13
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滑动杆、14
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滑动套、15
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控制杆、16
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阻尼器、17
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均气板、21
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进气管、22
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混合器、31
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负压泵、32
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吸气管、33
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旁通管、111
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气孔、221
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混合壳、222
‑
搅拌件。
具体实施方式
[0019]请参阅图1～图2，第一方面，本专利技术提供一种非晶MgGaO薄膜：所述非晶MgGaO薄膜为尖晶石结构，所述MgGa2O4薄膜的吸收截止边为200～260nm。
[0020]在本实施方式中，MgGa2O4是MgO和Ga2O3的复合氧化物，具有尖晶石结构，属于直接带隙半导体，禁带宽度在4.9
‑
7.8eV之间，在原理上可以应用于158
‑
253nm范围内的紫外光电器件。MgGa2O4与ZnMgO相比，可以避免结构分相问题；MgGa2O4与Ga2O3相比，可以实现电学特性调控，提升导电性。又由于MgGa2O4具有很好的稳定性及抗辐射能力，较低的暗电流等优势。
[0021]第二方面，本专利技术还提供一种非晶MgGaO薄膜的制备方法，包括：
[0022]S101将衬底放置到沉积装置中；
[0023]S102采用负压对衬底进行吸附固定；
[0024]通过负压对衬底进行固定，从而使得衬底在工作过程中可以保持稳定，提高沉积质量。
[0025]S103分别通入镁源、镓源和氧源在衬底表面生长MgGa2O4薄膜；
[0026]所述镁源为有机镁化合物、镓源为有机镓化合物，氧源为高纯氧气。
[0027]S104取出MgGa2O4薄膜。
[0028]最后取出制备完成的薄膜，通过上述步骤可以使得薄膜在衬底上沉积更加稳定，从而可以提高生产质量。
[0029]进一步的，所述沉积装置包括支撑组件1、进气组件2和控制组件3，所述支撑组件1包括外壳11、支撑台12、滑动杆13、滑动套14和控制杆15，所述支撑台12具有气孔111，所述支撑台12滑动设置在所述外壳11内，所述滑动杆13与所述支撑台12固定连接，并位于所述支撑台12的一侧，所述滑动套14与所述外壳11固定连接，所述滑动杆13设置在所述滑动套14内，所述控制杆15与所述外壳11固定连接，并位于所述气孔111内，所述进气组件2设置在所述外壳11的一侧，所述控制组件3包括负压泵31、吸气管32和旁通管33，所述负压泵31设置在所述外壳11的一侧，所述吸气管32与所述支撑台12连通和所述负压泵31连通，所述旁通管33与所述气孔111连通。
[0030]在本实施方式中，所述支撑台12具有气孔111，所述支撑台12滑动设置在所述外壳
11内，使得所述支撑台12可以相对所述外壳11上下滑动，所述滑动杆13与所述支撑台12固定连接，并位于所述支撑台12的一侧，所述滑动杆13可以跟随所述支撑台12上下滑动，所述滑动套14与所述外壳11固定连接，所述滑动杆13设置在所述滑动套14内，通过所述滑动套14可以对所述滑动杆13的移动位置进行限制，使得移动更加稳定，从而可以提高沉积质量，所述控制杆15与所述外壳11固定连接，并位于所述气孔111内，通过所述支撑台12上下滑动，相应改变所述控制杆15和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种非晶MgGaO薄膜，其特征在于，所述非晶MgGaO薄膜为尖晶石结构，所述MgGa2O4薄膜的吸收截止边为200～260nm。2.一种非晶MgGaO薄膜的制备方法，用于制备如权利要求1所述的非晶MgGaO薄膜，其特征在于，包括：将衬底放置到沉积装置中；采用负压对衬底进行吸附固定；分别通入镁源、镓源和氧源在衬底表面生长MgGa2O4薄膜；取出MgGa2O4薄膜。3.如权利要求2所述的一种非晶MgGaO薄膜的制备方法，其特征在于，所述镁源为有机镁化合物、镓源为有机镓化合物，氧源为高纯氧气。4.如权利要求3所述的一种非晶MgGaO薄膜的制备方法，其特征在于，所述沉积装置包括支撑组件、进气组件和控制组件，所述支撑组件包括外壳、支撑台、滑动杆、滑动套和控制杆，所述支撑台具有气孔，所述支撑台滑动设置在所述外壳内，所述滑动杆与所述支撑台固定连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：董美，林丽君，季旭，孔壹右，叶俊伟，詹翔，陈杰鑫，马佳升，赵栋，李家蝉，梁志华，黄家眉，周志雄，
申请(专利权)人：仲恺农业工程学院，
类型：发明
国别省市：