【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种无触点开关领域,它属于可调压并恒量控制的可控硅开关。现有的可控硅控制开关,多数控制的控制脉冲都是以单结晶体管、脉冲变压器或高放大倍数的脉冲放大器来实现。因此,必须采用很大移相脉冲来控制。致使这种微弱的传感器信号必然通过放大来实现控制,并且放大倍数必须很高,不仅造成结构复杂,而且可靠性及稳定性能也较差。针对上述问题,本技术的目的在于提出一种结构简单、成本低,并能实现调节电压和恒量控制的可控硅开关。本技术是这样实现的它采用单向可控硅调压恒量控制部件并直接控制功率放大部件。其控制部件由主回路与控制电路组成,主回路是在二极管整流桥的正极端依次接限流电阻、单向可控硅的阳极,在整流桥负极端接单向可控硅阴极而组成;控制电路由并接在整流桥正、负极两端的串连电阻、电容及串连在电阻、电容公共端点的电阻、可变电阻和串连在两电阻公共端的二极管至单向可控硅控制极,接在控制极、阴极之间的电阻而组成。附图为本技术的电路图。现结合附图给出的实施例对本技术作进一步说明。功率放大部件由双向可控硅(10)及接在其控制极与阴极之间的分流电阻(11)组成。当电源接通后,连接在点(17)与双向可控硅(10)阳极之间的负载(12)便可进行调压恒量控制。由于从整流桥(9)正极端(13)流出的每个半波电流,经过电阻(6)和电容(4)移相控制而从接点(15)流入电阻(5)的电流,再经可变电阻(2)分流控制经接点(16)、二极管(3)并通过电阻(1)再次分流,流入控制极。因此,当单向可控硅(8)的控制极电流达到其触发电流时,单向可控硅导通,同时双向可控硅(11)亦能触发导通。当可变电阻(2 ...
【技术保护点】
一种具有调压、恒量控制的可硅开关,其特征在于具有调压恒量控制部件及功率放大部件,所说的控制部件由二极管整流桥(9)及串连于整流桥正、负极端(13、14)的限流电阻(7),单向可控硅(8)的阳、阴极端杓成的主回路与由并联在端点(13、14)的串连电阻(6)、电容(4)及串连在电阻(6)、电容(4)的公共连接点(15)和整流桥负极端(14)间的电阻(5)、可变电阻(2)和串接在两电阻公共端(16)和(14)间的二极管(3)至可控硅控制极,接在控制极、阴极端的电阻(1)杓成的控制电路而组成。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:李文彬,李立新,
申请(专利权)人:李文彬,
类型:实用新型
国别省市:61[中国|陕西]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。