含氮化合物以及使用其的电子元件和电子装置制造方法及图纸

本申请属于有机材料领域，提供含氮化合物以及使用其的电子元件和电子装置，所述含氮化合物具有式1所示的结构，其中，X1、X1、X3、X4相同或不同，各自独立地选自C(R)或N，且至少一个为N。该含氮化合物用于有机电致发光器件中，提高有机电致发光器件的性能。有机电致发光器件的性能。有机电致发光器件的性能。有机电致发光器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
含氮化合物以及使用其的电子元件和电子装置


[0001]本专利技术属于有机材料
，具体涉及一种含氮化合物以及使用其的电子元件和电子装置。

技术介绍

[0002]有机发光二极管(organic light
‑
emitting diode)简称为OLED，为有机电致发光器件。OLED的原理是在阴阳两极施加电场时，阳极侧的空穴和阴极侧的电子会向发光层移动，在发光层结合形成激子，激子处于激发态向外释放能量，从激发态释放能量变为基态释放能量的过程对外发光。自1987年美国柯达公司报道有机分子电致发光和1990年英国剑桥大学报道聚合物电致发光以来，世界各国纷纷开展研究与开发。该类材料具有结构简单、成品率高、成本低、主动发光、响应速度快、分率高等优点，且具有驱动电压低、全固态、非真空、抗荡、耐低温等性能，被认为是未来最有可能替代液晶显示器的一种新技术，引起极大关注。
[0003]现有的有机电致发光器件中，最主要的问题为寿命短和效率低，随着显示器的大面积化，驱动电压随之提高，发光效率及电力流效率需要进一步提高，因此，有必要继续研发新型的更稳定的高性能有机电致发光材料，以进一步提高有机电致发光器件的性能。

技术实现思路

[0004]针对现有技术存在的上述问题，本专利技术旨在提供一种含氮化合物以及使用其的电子元件和电子装置，该含氮化合物用于有机电致发光器件中，提高有机电致发光器件的性能。
[0005]鉴于此，本专利技术第一方面提供一种含氮化合物，结构如式1所示：
[0006][0007]其中，X1、X1、X3、X4相同或不同，各自独立地选自C(R)或N，且X1、X1、X3和X4中至少一个为N；
[0008]各R、R1和R2相同或不同，各自独立地选自氢、氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1
‑
10的烷基、碳原子数为1
‑
10的卤代烷基、碳原子数为1
‑
10的氘代烷基、碳原子数为3
‑
12的三烷基硅基、碳原子数为6
‑
18的芳基、碳原子数为5
‑
18的杂芳基；
[0009]L选自单键、碳原子数为6
‑
25的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3
‑
25的取代或未取代的亚杂芳基；
[0010]n为1或2；
[0011]Ar选自碳原子数为6
‑
30的取代或未取代的芳基、碳原子数为3
‑
30的取代或未取代
的杂芳基或式2所示的基团；
[0012][0013]式2中，Ar1、Ar2相同或不同，且各自独立地选自碳原子数为6
‑
30的取代或未取代的芳基；
[0014]L、Ar、Ar1和Ar2中的取代基相同或不同，且各自独立地选自氘，卤素基团，氰基，碳原子数为1
‑
10的烷基，碳原子数为1
‑
10的卤代烷基，碳原子数为3
‑
12的三烷基硅基，碳原子数为3
‑
10的环烷基，任选地被氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1
‑
4的烷基取代的碳原子数为6
‑
18的芳基，碳原子数为5
‑
18的杂芳基；任选地，在Ar中，任意两个相邻的取代基形成环。
[0015]本专利技术第二方面，提供一种有机电致发光器件，包括相对设置的阳极和阴极，以及设于所述阳极和所述阴极之间的功能层；所述功能层包含上述的含氮化合物。按照本申请的一种实施方式，所述功能层包括有机发光层，所述有机发光层包含所述的含氮化合物。按照本申请的一种实施方式，所述功能层包括电子传输层，所述电子传输层包含所述的含氮化合物。
[0016]本专利技术第三方面，提供一种电子装置，所述电子装置包括本专利技术第二方面所述的有机电致发光器件。
[0017]本专利技术的含氮化合物中，在2
‑
苯基萘并[2,1
‑
D]噁唑的4，5号位稠合引入含氮六元杂芳基，以此形成的母核使电子迁移率提高；同时在2
‑
苯基萘并[2,1
‑
D]噁唑的苯基上共轭连接芳香性基团，一方面能够调整化合物的能级，使其特别适合作为有机电致发光材料使用；另一方面，使化合物偶极矩增大，分子极性提高；并且通过δ键连接的芳香基团具有高的旋转自由度，化合物立体性较好，成膜性较好。本专利技术的化合物可用作电子传输层或主体材料，显著提升电致发光器件的效率和使用寿命。
附图说明
[0018]附图是用来提供对本申请的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本申请，但并不构成对本申请的限制。
[0019]图1是本申请一种实施方式的有机电致发光器件的结构示意图。
[0020]图2是本申请一种实施方式的第一电子装置的结构示意图。
[0021]图3是本申请一种实施方式的光电转化器件的结构示意图。
[0022]图4是本申请一种实施方式的第二电子装置的结构示意图。
[0023]附图标记说明
[0024]100、阳极；200、阴极；300、功能层；310、空穴注入层；320、空穴传输层；321、第一空穴传输层；322、第二空穴传输层；330、有机发光层；340、电子传输层；350、电子注入层；360、光电转化层；400、第一电子装置；500、第二电子装置。
具体实施方式
[0025]现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形
式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本申请将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本申请的实施方式的充分理解。
[0026]在图中，为了清晰，可能夸大了区域和层的厚度。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。
[0027]第一方面，本申请提供一种含氮化合物，结构如式1所示：
[0028][0029]其中，X1、X1、X3、X4相同或不同，各自独立地选自C(R)或N，且X1、X1、X3和X4中至少一个为N；
[0030]各R、R1和R2相同或不同，各自独立地选自氢、氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1
‑
10的烷基、碳原子数为1
‑
10的卤代烷基、碳原子数为1
‑
10的氘代烷基、碳原子数为3
‑
12的三烷基硅基、碳原子数为6
‑
18的芳基、碳原子数为5
‑
18的杂芳基；
[0031]L选自单键、碳原子数为6
‑
25的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3
‑
25的取代或未取代的亚杂芳基；
[0032]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.含氮化合物，其特征在于，所述含氮化合物的结构如式1所示：其中，X1、X1、X3、X4相同或不同，各自独立地选自C(R)或N，且X1、X1、X3和X4中至少一个为N；各R、R1和R2相同或不同，各自独立地选自氢、氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1
‑
10的烷基、碳原子数为1
‑
10的卤代烷基、碳原子数为1
‑
10的氘代烷基、碳原子数为3
‑
12的三烷基硅基、碳原子数为6
‑
18的芳基、碳原子数为5
‑
18的杂芳基；L选自单键、碳原子数为6
‑
25的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3
‑
25的取代或未取代的亚杂芳基；n为1或2；Ar选自碳原子数为6
‑
30的取代或未取代的芳基、碳原子数为3
‑
30的取代或未取代的杂芳基或式2所示的基团；式2中，Ar1、Ar2相同或不同，且各自独立地选自碳原子数为6
‑
30的取代或未取代的芳基；L、Ar、Ar1和Ar2中的取代基相同或不同，且各自独立地选自氘，卤素基团，氰基，碳原子数为1
‑
10的烷基，碳原子数为1
‑
10的卤代烷基，碳原子数为3
‑
12的三烷基硅基，碳原子数为3
‑
10的环烷基，任选地被氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1
‑
4的烷基取代的碳原子数为6
‑
18的芳基，碳原子数为5
‑
18的杂芳基；任选地，在Ar中，任意两个相邻的取代基形成环。2.根据权利要求1所述的含氮化合物，其中，各R、R1和R2相同或不同，分别独立地选自氢、氘、氟、氰基、碳原子数为1
‑
4的烷基、碳原子数为1
‑
4的卤代烷基、碳原子数为3
‑
7的三烷基硅基或碳原子数为6
‑
12的芳基；优选地，各R、R1和R2相同或不同，分别独立地选自氢、氟、氰基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、三氟甲基、三甲基硅基、苯基或萘基。3.根据权利要求1所述的含氮化合物，其中，所述含氮化合物的结构选自式1
‑
1至式1
‑
6中的一种：
优选地，在式1
‑
1至式1
‑
6中，R选自氟、氰基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基或萘基。4.根据权利要求1所述的含氮化合物，其中，各L各自独立地选自单键、碳原子数为6
‑
20的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为8
‑
20的取代或未取代的亚杂芳基；优选地，各L中的取代基各自独立地选自氘，氟，氰基，碳原子数为1
‑
4的烷基，任选地被氘、氟、氰基、碳原子数为1
‑
4的烷基取代的碳原子数为6
‑
15的芳基，碳原子数为5
‑
12的杂芳基。5.根据权利要求1所述的含氮化合物，其中，各L独立地选自单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代的亚蒽基、取代或未取代的亚芴基、取代或未取代的亚菲基、取代或未取代的亚吡啶基、取代或未取代的亚嘧啶基、取代或未取代...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈志伟，薛震，王金平，
申请(专利权)人：陕西莱特光电材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：