DC/DC变换器的自驱动电路制造技术

提供一种低压大电流高功率密度ＤＣ／ＤＣ变换器的自驱动电路，变换器包括变压器部分、输出整流部分ＳＲ↓［１］和电压箝位部分。自驱动电路的第１种结构的电路由电阻Ｒ↓［ａ１］、Ｒ↓［ａ２］、电容Ｃ↓［ａ１］、Ｃ↓［ａ２］、晶体管Ｑ↓［ａ１］、Ｑ↓［ａ２］组成；第２种结构的电路由二极管Ｄａ、小功率ＭＯＳ晶体管ＳＲａ、辅助绕组Ｎｓａ、延时驱动电路和隔离微分电路组成，对ＳＲ↓［１］进行自驱动，本发明专利技术的自驱动电路能使交叉导电损耗最小，变换器效率最高。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种低电压大电流高功率密度DC/DC变换器的自驱动电路。随着通信、遥感、电子计算机、电子仪器等高科技的迅速发展，对于电子设备的电源，也就相应地提出了更高的要求。低压大电流高功率密度DC/DC变换器是超大规模集成电路和高速中央处理器电源的核心技术。为实现高效率、高功率密度的要求，这类DC/DC变换器的副边(次级)，应当用同步整流MOSFET晶体管来代替肖特基(Schottky)二极管进行整流，以减少通态损耗。但对于同步整流MOSFET，其门极需要对应的驱动电路来激励，为了避免交叉导电损耗，对驱动控制就有很高的时序要求，已有的驱动控制采用外驱动技术，但其控制复杂，成本较高。对于副边只有一个同步整流MOSFET的变换器，如反激电路，其同步整流MOSFET不可用变压器的副边电压波形直接驱动，否则该管将因无法关断而损坏。例如，对于附图说明图1(a)的传统的反激变换器，其副边电压的波形如图1(b)所示，如果直接采用这个副边电压波形去驱动SR1的门极，如图2所示，则因Vgs1＝Vo，SR1将无法关断并在S导通时短路副边而损坏。如采用外部辅助绕组进行自驱动，则因难以控制交叉导电时本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＤＣ／ＤＣ变换器的自驱动电路，所述变换器的整流部分包括同步整流ＭＯＳ晶体管（ＳＲ↓［１］），其特征在于，所述自驱动电路由２个电阻（Ｒ↓［ａ１］、Ｒ↓［ａ２］）、２个电容（Ｃ↓［ａ１］、Ｃ↓［ａ２］）、ＰＮＰ晶体管（Ｑ↓［ａ１］）和ＮＰＮ晶体管（Ｑ↓［ａ２］）组成，所述电阻（Ｒ↓［ａ１］）和电容（Ｃ↓［ａ１］）并联连接后，其并联的一端与晶体管（Ｑ↓［ａ１］）的基极连接，另一端与电阻（Ｒ↓［ａ２］）和电容（Ｃ↓［ａ２］）并联后的一端相连，并与变压器绕组（Ｎ↓［Ｓ］）的正极及所述整流ＭＯＳ晶体管（ＳＲ↓［１］）的漏极连接；所述电阻（Ｒ↓［ａ２］）和电容（Ｃ↓［ａ２］）并联后的另一端与所述晶体管（...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张兴柱，董晓鹏，
申请(专利权)人：艾默生网络能源有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]