【技术实现步骤摘要】
一种多段加热单端元件底座结构
[0001]本技术涉及半导体设备加热元件材料
,尤其涉及一种多段加热单端元件底座结构。
技术介绍
[0002]在泛半导体设备加热元件加工及生产过程中,需要3米长度以上单头出线的加热元件,并且需要加热元件对半导体晶片在真空中加热至工艺温度才能有效镀膜。以往3米长度以上单头出线的加热元件在真空中加热,工艺温度高(850℃以上),容易出现热态绝缘性能以及耐压不良现象。导致3米长度以上单头出线的加热元件使用寿命短,并且有不符合安规现象。并且3米长度以上单头出线的加热元件在加工过程中,由于加热元件长,缠绕电阻丝的镁杆仅能加工长度为500以内,所以需要多段拼接,以往多段拼接采用氧化镁制三角架。
[0003]常规氧化镁制三角架多用于单根的镁杆加工,对于多段拼接的镁杆不能起限位以及保证绝缘层厚度均匀,并且会松脱。3米长度以上单头出线的加热元件采用氧化镁制三角架加工,将导致生产过程中非常高的一次不合格率。
技术实现思路
[0004]本技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的一种多段加热单端元件底座结构。
[0005]为了实现上述目的,本技术采用了如下技术方案:
[0006]一种多段加热单端元件底座结构,包括底座,所述底座侧面圆周开设有外圆槽口并有三个,所述底座一侧开设有限位沉孔,所述限位沉孔底部设置有限位底面,所述限位底面开设有贯穿的穿线孔。
[0007]作为本技术的进一步方案,三个所述外圆槽口均匀分布于底座侧面。
[0008]作为本技术 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种多段加热单端元件底座结构,包括底座,其特征在于,所述底座侧面圆周开设有外圆槽口(1)并有三个,所述底座一侧开设有限位沉孔(4),所述限位沉孔(4)底部设置有限位底面(3),所述限位底面(3)开设有贯穿的穿线孔(2)。2.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员:马尚忠,罗欣,毛成,鲁继浩,
申请(专利权)人:江苏欧展科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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