一种利用二维材料制备柔性光存储器件的方法技术

本发明专利技术属于柔性电子制备技术领域，具体为一种利用二维材料制备柔性光存储器件的方法。本发明专利技术方法包括：采用柔性材料作为衬底；在衬底上沉积一层氧化物材料；将二维半导体材料转移至衬底上；在二维材料两端形成金属电极；在整个器件上旋涂一层有机物；在有机物上转移一层二维BN材料；最后在BN材料上淀积一层ITO电极材料。与现有技术相比，本发明专利技术可以实现可擦除的光存储功能，同时，器件可随意弯曲折叠，在弯折后器件的电学性能保持不变，满足在某些光通讯和光存储下的应用需求。通讯和光存储下的应用需求。通讯和光存储下的应用需求。

【技术实现步骤摘要】
一种利用二维材料制备柔性光存储器件的方法


[0001]本专利技术属于柔性电子制备
，具体涉及柔性光存储器件的制备方法。

技术介绍

[0002]随着资源信息的数字化和数据量的迅猛增长，对存储器的存储密度、存取方式及存储速率的要求不断提高。其中光存储器技术是一种将光信息转变成可读取的数字技术。目前传统的光存储器技术是利用激光在聚碳酸酯塑料上通过激光烧蚀的方式在基底上形成凹陷来进行信息记录。这种通过激光烧蚀方式进行信息记录的缺点是对于激光光源的功率密度要求高（>106W/cm2），设备复杂，无法实现轻量化。此外由于反复烧蚀造成的基底材料损伤导致数据擦写次数有限。同时塑料衬底上的灰尘和划痕对数据读取存在一定影响。
[0003]为了满足轻量化以及方便携带的需求，本专利技术采用柔性衬底为基底材料，利用二维半导体材料的光电效应，只要入射光的能量大于二维材料的直接禁带宽度就可以产生光生载流子，因此，光信息便转换为可处理的电子信息。这种方法对入射光的功率密度要求不高，只要大于103W/cm2即可，大幅降低了对入射光设备和衬底材料的要求本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种利用二维材料制备柔性光存储器件的方法，其特征在于，具体步骤为：（1）采用柔性材料作为衬底；（2）在衬底上沉积一层氧化物材料；（3）将二维半导体材料转移至衬底上；（4）在二维半导体材料两端形成金属电极；（5）在步骤（4）得到材料上旋涂一层有机物；（6）在有机物上转移一层BN材料；（7）最后在BN材料上淀积一层ITO电极材料。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（1）中所述的柔性材料选自聚酰亚胺、聚苯二甲酸乙二醇酯、聚对萘二甲酸乙二醇酯的一种，厚度10
‑
300
µ
m。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤（2）中所述的氧化物材料选自SiO2、Al2O3的一种，厚度为20
‑
300nm。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤（3）中所...

【专利技术属性】
技术研发人员：丛春晓，仇志军，单亚兵，朱俊嫱，
申请(专利权)人：复旦大学义乌研究院，
类型：发明
国别省市：