增强超导器件的封装的粘附层制造技术

提供了关于封装量子处理器(100)的一个或多个超导器件的技术。例如，在此描述的一个或多个实施方案可以考虑一种方法，该方法可以包括将粘附层(402)沉积到超导谐振器(102)和硅基板(104)上，该超导谐振器和硅基板被包括在一个量子处理器内。超导谐振器可以位于硅基板上。此外，粘附层可以包含具有硫醇官能团的化合物。合物。合物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】增强超导器件的封装的粘附层

技术介绍

[0001]本主题公开涉及一种包含一种或多种基于硫醇的化合物的粘附层，并且更具体地涉及一种可以增强量子处理器的一个或多个超导器件的金属氟化物封装的粘附层。
[0002]量子处理器可以包括多个超导量子位，这些超导量子位被连接到沉积在高阻性基板上的一个或多个超导谐振器。通过适当的器件结构和设计，量子位内的波函数的寿命已经提高到几百微秒，但是还没有实现波函数寿命的额外增加。波函数本身以大约5千兆赫(“GHz”)的射频(“RF”)振荡。在该频率下，在器件制造期间形成的氧化物内的RF光子的吸收以及在大气中的长期存在都会显著影响量子位的寿命。例如，在基板表面和/或超导谐振器线上形成的氧化层在RF范围内强烈吸收。
[0003]虽然可以通过蚀刻处理去除氧化物，但是氧化物的再生长可以在环境气氛中迅速发生。因此，可以实施该量子处理器的超导器件的进一步封装以抑制这些氧化物的发展并且减少RF吸收。在合适的条件下，沉积金属氟化物层，一种损耗角正切值比氧化物层的损耗角正切值小约1,000倍的材料，可以形成超导器件的坚固封装和/或防止进一步氧化。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种方法，包括：将粘附层沉积到包括在量子处理器内的超导谐振器和硅基板上，其中，所述超导谐振器位于所述硅基板上，并且其中，所述粘附层包括具有硫醇官能团的化合物。2.根据前一权利要求所述的方法，其中，所述粘附层包括选自由4
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巯基苯甲酸、4
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氨基苯硫酚和缩水甘油丙硫硫醇组成的组中的至少一种有机硫醇化合物。3.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述粘附层是有机硫醇化合物的自组装单层。4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括：在沉积所述粘附层之前，通过蚀刻工艺从硅基板去除第一氧化物层；以及通过选自包括退火工艺和蚀刻工艺的组中的工艺从超导谐振器去除第二氧化物层。5.根据前述权利要求所述的方法，其中，量子位还被定位在所述硅基板上并且耦接到所述超导谐振器，并且其中，所述方法还包括通过蚀刻工艺从所述量子位去除第三氧化物层。6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括：在所述粘附层上沉积金属氟化物层以封装所述超导谐振器，其中所述金属氟化物层包括从由氟化钙、氟化锂、氟化锰、氟化铁、氟化钴、氟化镍和氟化铜构成的组中选择的至少一种成分。7.根据前一权利要求所述的方法，其中所述沉积包括通过热蒸发将所述金属氟化物层沉积到所述粘附层上。8.一种方法，包括：将具有硫醇官能团的化合物沉积到硅基板的表面和超导谐振器的表面上，其中所述硅基板的所述表面和所述超导谐振器的所述表面是无氧化物的。9.根据前一权利要求所述的方法，其中，所述化合物被包括在粘附层内，所述粘附层促进金属氟化物涂层与选自由所述硅基板的表面和所述超导谐振器的表面组成的组中的至少一个表面之间的粘附。10.根据前述权利要求9至10中任一项所述的方法，还包括：在沉积所述化合物之前，通过蚀刻工艺从硅基板的表面去除第一氧化物层；以及通过选自包括退火工艺和蚀刻工艺的组中的至少一种工艺从所述超导谐振器的所述表面去除第二氧化物层。11.根据前述权利要求8至10中任一项所述的方法，还包括：用金属氟化物涂层封装所述超导谐振器，其中所述金属氟化物涂层包括从由氟化钙、氟化锂、氟化锰、氟化铁、氟化钴、氟化镍和氟化铜构成的组中选择的至少一种成分。12.一种方法，包括：通过将具有硫醇官能团的化合物沉积到量子处理器的硅基板和超导谐振器上，来制备用于与金属氟化物涂层粘附的量子处理器的表面。13.根据前一权利要求所述的方法，还包括：在沉积所述化合物之前，通过蚀刻工艺从硅基板去除第一氧化物层；以及通过选自包括退火工艺和蚀刻工艺的组中的工艺从超导谐振器去除...

【专利技术属性】
技术研发人员：R，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：