器件及其制备方法、接收芯片、测距装置、可移动平台制造方法及图纸

本申请提供了一种半导体器件及其制备方法、接收芯片、测距装置、可移动平台。所述半导体器件包括：外延层，包括相对设置的第一表面和第二表面；若干个雪崩光电二极管，形成于所述外延层的第一表面，入射光从所述外延层的第二表面入射至所述雪崩光电二极管；若干个第一电极，相互间隔地形成于所述外延层的第一表面上并完全覆盖与其上下对应的所述雪崩光电二极管；第二电极，包括形成于所述外延层的第二表面的重掺杂区。所述半导体器件改善了由于衬底光生载流子扩散及衬底杂质扩散引起的拖尾问题，可以在保持量子效率不变的情况下，改善光生载流子的屏蔽效应，改善延迟。改善延迟。改善延迟。改善延迟。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：王国才，卢栋，郑国光，
申请(专利权)人：深圳市大疆创新科技有限公司，
类型：发明
国别省市：