图像传感器制造技术

提供了一种图像传感器。该图像传感器包括：像素分离结构，设置在半导体基底中，并且限定多个像素区域；第一光电转换区域和第二光电转换区域，设置在半导体基底中，并且设置在多个像素区域中的每个中；以及多个微透镜，设置在半导体基底上，并且与多个像素区域对应。半导体基底包括朝向多个微透镜凸起的多个弯曲表面，并且半导体基底在多个像素区域中的每个中的第一光电转换区域和第二光电转换区域之间具有最小厚度，并且在多个像素区域之间的边界处具有最大厚度。界处具有最大厚度。界处具有最大厚度。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器
[0001]本申请基于并要求于2020年12月14日在韩国知识产权局提交的第10
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2020
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0174406号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。


[0002]公开涉及一种图像传感器，更特别地，涉及一种提供自动聚焦操作的图像传感器。

技术介绍

[0003]图像传感器将光子图像转换为电信号。计算机和通信产业的最新进展已经引起对各种消费电子装置(诸如数字相机、摄像机、PCS(个人通信系统)、游戏控制台、安全相机和医疗微型相机)中的高性能图像传感器的强烈需求。
[0004]图像传感器可以被分类为电荷耦合器件(CCD)或CMOS图像传感器。CMOS图像传感器具有简单的操作方法，并且因为其信号处理电路被集成到单个芯片中，所以其产品的尺寸可以被可能地最小化。此外，CMOS图像传感器可以需要相对小的功耗，这可以用于电池供电的应用中。此外，由于制造CMOS图像传感器的工艺技术与CMOS工艺技术兼容，因此CMOS图像传感器可以降低制造成本。因此，由于技术的进步和高分本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，所述图像传感器包括：像素分离结构，设置在半导体基底中，并且限定多个像素区域；第一光电转换区域和第二光电转换区域，设置在半导体基底中，并且设置在所述多个像素区域中的每个像素区域中；以及多个微透镜，设置在半导体基底上，并且与所述多个像素区域对应，其中，半导体基底包括朝向所述多个微透镜凸起的多个弯曲表面，并且其中，半导体基底在所述多个像素区域中的每个像素区域中的第一光电转换区域和第二光电转换区域之间具有最小厚度，并且在所述多个像素区域之间的边界处具有最大厚度。2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述多个像素区域中的每个像素区域的中心在第一光电转换区域与第二光电转换区域之间，并且半导体基底的所述多个弯曲表面中的相邻的弯曲表面之间的接触点在所述多个像素区域中的相应的像素区域的中心上。3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，在所述多个像素区域中的每个像素区域中，半导体基底的厚度从所述多个像素区域中的相应的像素区域的中心到所述多个像素区域之间的边界逐渐增大。4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，在所述多个像素区域中的每个像素区域中，所述多个微透镜中的相应的微透镜的中心在半导体基底的所述多个弯曲表面中的相邻的弯曲表面之间的接触点上。5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述像素分离结构包括：多个第一像素隔离部，在第一方向上延伸并且彼此间隔开；以及多个第二像素隔离部，延伸跨过所述多个第一像素隔离部，在与第一方向交叉的第二方向上延伸，并且彼此间隔开，其中，在所述多个像素区域中的每个像素区域中，半导体基底的所述多个弯曲表面中的相邻的弯曲表面之间的接触点距所述多个第一像素隔离部中的一对第一像素隔离部的距离基本上相同。6.根据权利要求1所述的图像传感器，所述图像传感器还包括多个滤色器，所述多个滤色器置于所述多个微透镜与半导体基底的所述多个弯曲表面之间，其中，所述多个滤色器包括平坦的顶表面和覆盖所述多个弯曲表面的底表面。7.根据权利要求1所述的图像传感器，所述图像传感器还包括分离杂质区域，分离杂质区域置于所述多个像素区域中的每个像素区域中的第一光电转换区域和第二光电转换区域之间。8.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述像素分离结构包括：多个第一像素隔离部，在第一方向上延伸并且彼此间隔开；以及多个第二像素隔离部，延伸跨过所述多个第一像素隔离部，在与第一方向交叉的第二方向上延伸，并且彼此间隔开，其中，所述多个像素区域中的每个像素区域由所述多个第一像素隔离部中的一对第一像素隔离部和所述多个第二像素隔离部中的一对第二像素隔离部限定，并且其中，所述多个第一像素隔离部对应地在半导体基底的所述多个弯曲表面的中心上。
9.根据权利要求8所述的图像传感器，其中，所述像素分离结构还包括多个突起，所述多个突起从所述多个第一像素隔离部中的对应的第一像素隔离部沿着第二方向朝向置于所述多个像素区域中的每个像素区域中的第一光电转换区域和第二光电转换区域之间的空间突出。10.根据权利要求1所述的图像传感器，所述图像传感器还包括第三光电转换区域和第四光电转换区域，第三光电转换区域和第四光电转换区域在所述多个像素区域中的每个像素区域中设置在半导体基底中，其中，所述多个像素区域沿着第一方向和与第一方向交叉的第二方向布置，并且其中，在所述多个像素区域中的每个像素区域中，半导体基底的厚度沿着第一方向和第二方向随着从像素中心点接近所述多个像素区域之间的边界逐渐增大。11.根据权利要求10所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：筱原武一，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：