光检测器制造技术

固态图像传感器(100)在基板(110)上形成有至少两个以上的APD(31)，当俯视时，在APD(31)的外侧布置有第一区域(32)。相邻的APD(31)之间、相邻的第一区域(32)之间、以及相邻的APD(31)与第一区域(32)之间被分离区域(13)分离开。对APD(31)的第四半导体层(21)施加第一电压(V21)，对第一区域的第五半导体层(22)施加第二电压(V22)。第一电压(V21)高于第二电压(V22)。压(V22)。压(V22)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光检测器


[0001]本公开涉及一种光检测器，尤其涉及能够检测微弱的光的固态图像传感器等光检测器。

技术介绍

[0002]近年来，高灵敏度的光检测器被用在医疗、通信、生物技术、化学、监控、车载以及放射线检测等多个领域中。例如，为了提高CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor：互补金属氧化物半导体)图像传感器等固态图像传感器的灵敏度，提出了一种使用雪崩光电二极管(以下称为APD)的结构(例如，参照专利文献1)。
[0003]APD是一种光电二极管，其利用雪崩击穿(break down)对经光电转换而产生的信号电荷进行倍增，由此来提高对光的检测灵敏度。
[0004]还提出了一种固态图像传感器，该固态图像传感器能够通过将APD布置在阵列上，利用微小的入射光以高分辨率生成图像(例如，参照专利文献2)。
[0005]专利文献1：美国专利第9178100号说明书
[0006]专利文献2：国际公开第2017/043068号

技术实现思路

[0007]－专利技术要解本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光检测器，其在半导体基板上形成有至少两个以上的雪崩光电二极管(APD)，其特征在于：当俯视时，在所述APD的外侧布置有第一区域，相邻的所述APD之间、相邻的所述第一区域之间、以及相邻的所述APD与所述第一区域之间被分离区域分离开，所述APD由所述半导体基板所包含的第二导电型的第一半导体层、和与所述第一半导体层相接触的第一导电型的第四半导体层构成，所述第一区域由所述第一半导体层、和与所述第一半导体层相接触的第一导电型的第五半导体层构成，对所述APD的所述第四半导体层施加第一电压，对所述第一区域的所述第五半导体层施加第二电压，所述第一电压高于所述第二电压。2.根据权利要求1所述的光检测器，其特征在于：所述分离区域在所述半导体基板的第一主面中至少一部分耗尽。3.根据权利要求2所述的光检测器，其特征在于：在所述分离区域中没有布置与所述分离区域相连接的接触孔，并且没有形成从所述分离区域的表面朝向内部延伸的沟槽。4.根据权利要求3所述的光检测器，其特征在于：施加于所述APD的第一反向偏压与施加于所述第一区域的第二反向偏压之差小于所述分离区域与所述第一区域之间的电势差。5.根据权利要求4所述的光检测器，其特征在于：所述第一反向偏压与所述第二反向偏压之差大于剩余偏压，该剩余偏压是所述APD工作时施加于所述APD的电压的绝对值与所述APD的击穿电压的绝对值之差。6.根据权利要求1到5中任一项权利要求所述的光检测器，其特征在于：所述第一区域的击穿电压的绝对值大于所述APD的击穿电压的绝对值。7.根据权利要求6所述的光检测器，其特征在于：所述第一区域的PN结边界位于比所述APD的PN结边界更靠所述半导体基板的内部的位置处。8.根据权利要求6或7所述的光检测器，其特征在于：所述第一区域的击穿电压的绝对值与所述APD的击穿电压的绝对值之差大于剩余偏压，该剩余偏压是所述APD工作时施加于所述APD...

【专利技术属性】
技术研发人员：杉浦裕树，井上晓登，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：