交流开关电路制造技术

交流开关电路包括：具有第一源极、第一栅极与第一漏极的第一场效应晶体管（１４４，２４４）；以及具有第二漏极、连接到第一源极的第二源极和连接到第一栅极的第二栅极的第二ＦＥＴ（１４２，２４２）。所述交流开关电路还包括连接到第一源极和第一漏极的第一二极管（１１２，２３２）以及连接到第二源极和第二漏极的第二二极管（１１４，２３４）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及交流功率控制，具体地说，涉及用于交流功率控制的交流开关电路。
技术介绍
交流功率控制向工作于该领域的技术人员提供一批独特的挑战。目前有少数几种固态电器件，如半导体开关元件及三端双向可控硅开关元件，允许对交流功率进行直接控制。对于半导体开关元件和三端双向可控硅开关元件两者而言，开关时间相对较长。这样较长的开关时间通常使这些器件限于低频应用，如典型的50-60赫兹的交流频率。另外，为了便于工作于直流环境而将交流转换成直流的全波整流，除了其它问题外，能导致令人讨厌的电流谐波及高频传导辐射，如果没有滤波，会导致无法接受的噪声通过交流供电线返回电力公司。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供克服先有技术中的上述缺点的用于交流功率控制的交流开关电路。根据本专利技术的第一方面，提供一种交流开关电路，它包括具有第一源极、第一栅极和第一漏极的第一场效应晶体管(FET)；具有第二漏极、连接到所述第一源极的第二源极和连接到所述第一栅极的第二栅极的第二FET；具有连接到所述第一源极的第一正极和连接到所述第一漏极的第一负极的第一二极管；以及具有连接到所述第二源极的第二正极和连接到所述第二漏极的第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种交流开关电路（１１０），它包括：具有第一源极、第一栅极和第一漏极的第一场效应晶体管（ＦＥＴ）（１４２）；具有第二漏极、连接到所述第一源极的第二源极和连接到所述第一栅极的第二栅极的第二ＦＥＴ（１４４）；具有连接到所 述第一源极的第一正极和连接到所述第一漏极的第一负极的第一二极管（１１２）；以及具有连接到所述第二源极的第二正极和连接到所述第二漏极的第二负极的第二二极管（１１４）。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：M希尔斯特，
申请(专利权)人：惠普开发有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]