【技术实现步骤摘要】
周期性结构、隔热装置和晶圆键合装置
[0001]本专利技术涉及增材制造
,特别涉及一种周期性结构、隔热装置和晶圆键合装置。
技术介绍
[0002]晶圆键合技术可以将不同材料的晶圆结合在一起,晶圆键合是半导体器件三维加工的一个重要的工艺,无论键合的种类,晶圆键合的主要工艺步骤均包括晶圆表面的处理(清洗、激活),晶圆的对准,以及最终的晶圆键合。通过这些工艺步骤,独立的单张晶圆被对准,然后键合在一起,实现其三维结构。键合不仅是微系统技术中的封装技术,而且也是三维器件制造中的一个有机的组成部分,在器件制造的前道工艺和后道工艺中均有应用。现有的最主要的键合应用为硅片和硅片的键合以及硅片和玻璃衬底的键合。
[0003]随着晶圆键合技术在微机电系统(MEMS)制造、微光电系统,特别是CMOS图像传感器(CIS)制造、以及新兴的三维芯片制造技术,如硅穿孔(TSV)技术中的广泛应用,键合技术对晶圆键合设备的性能不断提出更高的要求,此外,不断扩大的生产规模也对进一步降低晶圆键合系统的设备拥有成本(COO)提出了更多挑战。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种周期性结构,其特征在于,所述周期性结构包括若干呈周期性排布的三周期极小曲面结构,所述三周期极小曲面结构具有多个沿X向、Y向和Z向设置的支撑杆,且沿X向和Y向设置的支撑杆的一端均设有沿Z向设置的连接杆。2.根据权利要求1所述的周期性结构,其特征在于,所述三周期极小曲面结构由一三周期极小曲面方程定义,所述三周期极小曲面方程包括仅能调节所述三周期极小曲面结构水平向密度的局部密度系数和可调节三周期极小曲面结构整体密度的整体密度系数。3.根据权利要求2所述的周期性结构,其特征在于,所述三周期极小曲面结构满足如下三周期极小曲面方程:K2cos(x)cos(y)+sin(x)sin(y)cos(0.5z)sin(0.5z)≥K1;其中,sin为三角正弦函数,cos为三角余弦函数,x、y、z为三维空间中某一点的三坐标值,K1为整体密度系数,K2为局部密度系数。4.根据权利要求3所述的周期性结构,其特征在于,所述K1的取值范围为[
‑
π/2,π/2],所述K2的取值范围为[
‑
π/2,π/2]。5.一种隔热装置,其特征在于,所述隔热装置包括若干如权利要求1至4中任一项所述的周期性结构。6.根据权利要求5所述的隔热装置,其特征在于,所述隔热装置包括呈圆盘状设置的主体部、套设于所述主体部的上端的第一保护环、套设于所述主体...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴飞,
申请(专利权)人:上海微电子装备集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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