阻变存储器件及其制备方法技术

一种阻变存储器件及其制备方法。该阻变存储器件包括至少一个阻变存储单元，每个阻变存储单元包括无结场效应晶体管和阻变存储元件。无结场效应晶体管包括有源层、栅介质层和栅极。有源层沿第一方向延伸，包括沟道区以及在第一方向上位于沟道区两端的第一源漏区和第二源漏区；栅介质层设置在有源层上且至少部分环绕沟道区；栅极设置在栅介质层的远离有源层的一侧且至少部分环绕栅介质层。阻变存储元件包括第一电极、第二电极和阻变层，第一电极与无结场效应晶体管的第一源漏区或者第二源漏区电连接。无结场效应晶体管的沟道区长度长，加工成本低，并具有较大的开关比；将无结型晶体管与阻变存储元件集成形成1T1R单元，可有效地减小路径泄露。地减小路径泄露。地减小路径泄露。

【技术实现步骤摘要】
阻变存储器件及其制备方法


[0001]本公开的实施例涉及一种阻变存储器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]阻变存储器(RRAM)是一种基于阻值变化来记录并存储数据信息的易失性或非易失性存储器，其具有高速度、低功耗的特点，并且可以在小尺寸下实现存储功能。
[0003]对于当下数据驱动应用程序，例如大数据分析、神经网络和机器学习等，需要巨大的内存和计算资源。对此，利用阻变存储和细粒度逻辑记忆集成的模拟特性，可以进一步提高工作效率。

技术实现思路

[0004]本公开至少一实施例提供一种阻变存储器件，包括至少一个阻变存储单元，所述至少一个阻变存储单元中的每个包括无结场效应晶体管和阻变存储元件，无结场效应晶体管包括有源层、栅介质层和栅极。有源层沿第一方向延伸，包括沟道区以及在所述第一方向上位于所述沟道区两端的第一源漏区和第二源漏区；栅介质层设置在所述有源层上且至少部分环绕所述沟道区；以及栅极设置在所述栅介质层的远离所述有源层的一侧且至少部分环绕所述栅介质层。阻变存储元件包括第一电极、第二电极以及所述第一电极和所述第二电极之间的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阻变存储器件，包括至少一个阻变存储单元，所述至少一个阻变存储单元中的每个包括：无结场效应晶体管，包括：有源层，沿第一方向延伸，包括沟道区以及在所述第一方向上位于所述沟道区两端的第一源漏区和第二源漏区；栅介质层，设置在所述有源层上且至少部分环绕所述沟道区；以及栅极，设置在所述栅介质层的远离所述有源层的一侧且至少部分环绕所述栅介质层；以及阻变存储元件，包括第一电极、第二电极以及所述第一电极和所述第二电极之间的阻变层，其中，所述第一电极与所述无结场效应晶体管的第一源漏区或者第二源漏区电连接。2.根据权利要求1所述的阻变存储器件，其中，所述无结场效应晶体管还包括二维半导体材料层，所述二维半导体材料层设置在所述有源层和所述栅介质层之间，且至少部分环绕所述沟道区。3.根据权利要求2所述的阻变存储器件，其中，所述二维半导体材料层包括MoS2、WS2、WSe2和黑磷中的至少一种。4.根据权利要求2或3所述的阻变存储器件，其中，所述二维半导体材料层在垂直于所述第一方向上的尺寸为1nm
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2nm。5.根据权利要求1
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3任一所述的阻变存储器件，其中，所述无结场效应晶体管还包括二维材料层，所述二维材料层设置在所述栅介质层和所述栅极之间，且至少部分环绕所述栅介质层。6.根据权利要求5所述的阻变存储器件，其中，所述二维材料层包括NbTe2、MoS2、BN和石墨烯中的至...

【专利技术属性】
技术研发人员：王欣鹤，吴华强，高滨，唐建石，张志刚，钱鹤，李镇，崔曙光，
申请(专利权)人：深圳市大数据研究院，
类型：发明
国别省市：