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阻变存储器件及其制备方法技术
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文档序号:33797438
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一种阻变存储器件及其制备方法。该阻变存储器件包括至少一个阻变存储单元,每个阻变存储单元包括无结场效应晶体管和阻变存储元件。无结场效应晶体管包括有源层、栅介质层和栅极。有源层沿第一方向延伸,包括沟道区以及在第一方向上位于沟道区两端的第一源漏区...
该专利属于深圳市大数据研究院所有,仅供学习研究参考,未经过深圳市大数据研究院授权不得商用。
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