用于位单元中非易失性存储器元件的多级单元配置制造技术

本发明专利技术涉及用于位单元中非易失性存储器元件的多级单元配置，揭示了包括非易失性存储器元件的结构和制造包括非易失性存储器元件的结构的方法。第一、第二和第三非易失性存储器元件各自包括第一电极、第二电极、及在第一电极和第二电极之间的切换层。第一位线耦合到第一非易失性存储器元件的第一电极和第二非易失性存储器元件的第一电极。第二位线耦合到第三非易失性存储器元件的第一电极。第三非易失性存储器元件的第一电极。第三非易失性存储器元件的第一电极。

【技术实现步骤摘要】
用于位单元中非易失性存储器元件的多级单元配置


[0001]本专利技术涉及集成电路和半导体装置制造，更具体地，涉及包括非易失性存储器(non
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volatile memory)元件的结构和制造包括非易失性存储器元件的结构的方法。

技术介绍

[0002]电阻式随机存取存储器(ReRAM或RRAM)装置提供了一种嵌入式非易失性存储器技术。因为其存储器元件是非易失性的，所以当存储器元件未通电时，电阻式随机存取存储装置会保留存储的数据。电阻式随机存取存储器装置的非易失性与易失性存储器技术形成对比，例如动态随机存取存储器(DRAM)装置中所存储的数据如果不定期刷新就会丢失，而静态随机存取存储器(SRAM)装置中所存储的数据于断电时最终会丢失。
[0003]通过改变切换层两端的电阻以提供不同的电阻状态，即高电阻状态和低电阻状态，数据被存储在电阻式随机存取存储器装置的每个位单元(bit cell)的存储器元件中。可以通过施加足以形成一根或多根线流(filament)的偏置电压以低电阻状态写入切换层，该线流限定跨切换层的厚度桥接的导电路本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种结构，包括：第一非易失性存储器元件，包括第一电极、第二电极、及在该第一电极和该第二电极间的切换层；第二非易失性存储器元件，包括第一电极、第二电极、及在该第一电极和该第二电极间的切换层；第三非易失性存储器元件，包括第一电极、第二电极、及在该第一电极和该第二电极间的切换层；第一位线，耦合到该第一非易失性存储器元件的该第一电极和该第二非易失性存储器元件的该第一电极；以及第二位线，耦合到该第三非易失性存储器元件的该第一电极。2.根据权利要求1所述的结构，还包括：第三位线，耦合到该第一非易失性存储器元件的该第二电极和该第三非易失性存储器元件的该第二电极。3.根据权利要求2所述的结构，其中，该第二位线与该第一位线横向对齐，且该第三位线与该第一位线平行对齐。4.根据权利要求2所述的结构，其中，该第三非易失性存储器元件位于该第二位线与该第三位线间的垂直方向。5.根据权利要求4所述的结构，其中，该第一非易失性存储器元件位于该第一位线与该第三位线间的该垂直方向。6.根据权利要求5所述的结构，还包括：位线带，耦合到该第一非易失性存储器元件的该第一电极和该第二非易失性存储器元件的该第一电极，其中，该第一位线通过该位线带耦合到该第一非易失性存储器元件的该第一电极和该第二非易失性存储器元件的该第一电极。7.根据权利要求2所述的结构，还包括：场效应晶体管，包括漏极，其中，该场效应晶体管的该漏极耦合到该第二非易失性存储器元件的该第二电极。8.根据权利要求2所述的结构，其中，该第一非易失性存储器元件与该第三非易失性存储器元件并列排列于该第三位线上方，且该第一非易失性存储器元件和该第三非易失性存储器元件放置为相对于该第二位线的横向偏移。9.根据权利要求2所述的结构，其中，该第三位线直接耦合到该第一非易失性存储器元件的该第二电极和该第三非易失性存储器元件的该第二电极。10.根据权利要求2所述的结构，其中，该第一非易失性...

【专利技术属性】
技术研发人员：D，
申请(专利权)人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司，
类型：发明
国别省市：