【技术实现步骤摘要】
轻负载高压供电电路
[0001]本专利技术属于供电领域,具体涉及一种轻负载高压供电电路。
技术介绍
[0002]现有的供电电路,为了提高安全性、可靠性、扩展适用范围等综合原因,结构越来越复杂,当应用在一些轻负载的场合时,功耗较大,且温升较高。
技术实现思路
[0003]本专利技术的目的在于克服现有技术的缺陷,提供一种温升低的轻负载高压供电电路。
[0004]为实现上述目的,本专利技术采用了如下技术方案:
[0005]一种轻负载高压供电电路,包括连接在前端侧的输入电源和输出侧的开关电源之间的可控开关和储能电容,以及分别与可控开关和储能电容连接的控制电路,可控开关串联在输入电源和储能电容之间,储能电容与开关电源并联;
[0006]所述控制电路采集所述储能电容两端的实时电压,并与开关电源的启动电压,以及设定的阈值进行比较;当实时电压小于或者等于所述启动电压时,控制所述可控开关导通,为开关电源供电,以及为所述储能电容充电,当所述实时电压大于或者等于所述阈值时,控制所述可控开关断开,由储能电容给开关电源供电。
[0007]优选的,所述控制电路包括采样模块、控制模块和供电模块,所述供电模块为所述控制模块供电,所述采样模块与储能电容和控制模块连接,采集所述储能电容两端的实时电压,并传输给所述控制模块,所述控制模块与可控开关连接。
[0008]优选的,所述可控开关为MOS管、IGBT、SiC、GaN、继电器或接触器中的一种。
[0009]优选的,还包括连接在输入电源和可 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种轻负载高压供电电路,其特征在于:包括连接在前端侧的输入电源和输出侧的开关电源之间的可控开关和储能电容,以及分别与可控开关和储能电容连接的控制电路,可控开关串联在输入电源和储能电容之间,储能电容与开关电源并联;所述控制电路采集所述储能电容两端的实时电压,并与开关电源的启动电压,以及设定的阈值进行比较;当实时电压小于或者等于所述启动电压时,控制所述可控开关导通,为开关电源供电,以及为所述储能电容充电,当所述实时电压大于或者等于所述阈值时,控制所述可控开关断开,由储能电容给开关电源供电。2.根据权利要求1所述的轻负载高压供电电路,其特征在于:所述控制电路包括采样模块、控制模块和供电模块,所述供电模块为所述控制模块供电,所述采样模块与储能电容和控制模块连接,采集所述储能电容两端的实时电压,并传输给所述控制模块,所述控制模块与可控开关连接。3.根据权利要求1所述的轻负载高压供电电路,其特征在于:所述可控开关为MOS管、IGBT、SiC、GaN、继电器或接触器中的一种。4.根据权利要求1所述的轻负载高压供电电路,其特征在于:还包括连接在输入电源和可控开关之间的瞬时高压控制电路。5.根据权利要求2所述的轻负载高压供电电路,其特征在于:所述采样模块为具有隔离保护的隔离采样模块。6.根据权利要求4所述的轻负载高压供电电路,其特征在于:所述可控开关包括MOS管,所述瞬时高压控制电路包括限幅光耦U4;电阻R17、电阻R18、二极管D8、二极管D9串联后的两端与储能电容并联,限幅光耦U4的一侧两端分别与MOS管G极和D极连接,限幅光耦U4的另一侧分别与电阻R18两端连接。7.根据权利要求6所述的轻负载高压供电电路,其特征在于:所述控制模块通过充电光耦U5来控制所述MOS管的通断,所述控制模块包括微控制器芯片U3,所述充电光耦U5的一侧两端分别与MOS管的G极和D极连接,充电光耦U5的另一侧两端分别与微控制器芯片U3的DRIVE端口和接地端连接。8.根据权利要求4所述的轻负载高压供电电路,其特征在于:所述可控开关包括MOS管,所述储能电容包括电容C6,所述控制模块包括微控制器芯片U3,所述瞬时高压控制电路采用电阻分压的线性稳压电路,线性稳压电路一端与输入电源的正极连接,另一端与电容C6的一端连接,线性稳压电路的控制端与MOS管连接,MOS管的控制端与微控制器芯片U3的DRIVE端口连接,采样模块连接在电容C6的两端,采样模块的输出端与微控制器芯片U3的AD_U端口连接。9.根据权利要求8所述的轻负载高压供电电路,其特征在于:所述线性稳压电路包括电阻R1,电阻R1一端与输入电源的正极连接,电阻R1另一端、R3、R5、三极管Q1的集电极、三极管Q1的发射极、电阻R7、R9、R11、三极管Q2的集电极、三极管Q2的发射极、电阻R14、R17、R19、三极管Q3的集电极、三极管Q2的发射极、电阻R20、R22、R24、三极管Q4的集电极、三极管Q4的发射极依次连接,三极管Q4的发射极与电容C6的一端连接;电阻R2、R4、R6、三极管Q1的基极、电阻R8、R10、R12...
【专利技术属性】
技术研发人员:欧佳嵘,洪传生,沈超,朱可,胡应龙,
申请(专利权)人:浙江正泰电器股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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