一种基于交变电场辅助加工玻璃通孔的方法及蚀刻装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及三维集成封装转接板制造技术领域，尤其涉及一种基于交变电场辅助加工玻璃通孔的方法及蚀刻装置。一种基于交变电场辅助加工玻璃通孔的方法，包括以下步骤：步骤S1、采用激光对玻璃晶圆的目标区域进行激光加工处理，预设蚀刻孔；步骤S2、对玻璃晶圆进行清洗处理；步骤S3、将蚀刻液加热至目标温度后，将玻璃晶圆放入蚀刻液中，使蚀刻液没过玻璃晶圆。所述基于交变电场辅助加工玻璃通孔的方法，加工得到的玻璃通孔表面光滑，玻璃通孔的垂直度高、精度高，玻璃通孔内部锥度小，加工效率高，具有高效、低成本的特点，解决了现有超声辅助蚀刻加工得到的玻璃通孔加工效果差的问题，以及存在噪声污染、加工成本高的问题。及存在噪声污染、加工成本高的问题。及存在噪声污染、加工成本高的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种基于交变电场辅助加工玻璃通孔的方法及蚀刻装置


[0001]本专利技术涉及三维集成封装转接板制造
，尤其涉及一种基于交变电场辅助加工玻璃通孔的方法及蚀刻装置。

技术介绍

[0002]转接板(Interposer)是三维集成微系统中高密度互联和集成无源元件的载体，是实现三维集成的核心材料。目前数字电路(如DRAM、逻辑芯片)的三维集成普遍应用的是以硅为转接板的通孔技术(Through Silicon Via，TSV)。然而，对于高频应用，要求转接板材料必须具有低介电损耗和低介电常数，以减少基板的射频功率耗散、增加自谐振频率。但是，由于硅是一种半导体材料，硅通孔周围的载流子在电场或磁场作用下可以自由移动，对邻近的电路或信号产生影响，降低芯片高频性能。此外，也因为硅的半导体特性，硅通孔还需要在通孔内制作电隔离层、扩散阻挡层、种子层以及无空隙的铜填充，不仅工艺复杂，而且寄生电容明显，往往难以满足三维集成射频微系统的性能要求。玻璃材料没有自由移动的电荷，介电性能优良，以玻璃替代硅材料的玻璃通孔技术(Through Glass Via，TGV)可以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于交变电场辅助加工玻璃通孔的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、采用激光对玻璃晶圆的目标区域进行激光加工处理，预设蚀刻孔；步骤S2、对玻璃晶圆进行清洗处理；步骤S3、将蚀刻液加热至目标温度后，将玻璃晶圆放入蚀刻液中，使蚀刻液没过玻璃晶圆，在交变电场下通过蚀刻液蚀刻玻璃晶圆的蚀刻孔，将蚀刻孔蚀刻至所需的直径，蚀刻得到玻璃通孔，其中，所述蚀刻液中添加有导电纳米粒子；步骤S4、将玻璃晶圆从蚀刻液中取出，完成玻璃通孔的加工。2.根据权利要求1所述的基于交变电场辅助加工玻璃通孔的方法，其特征在于，所述步骤S1中，采用激光诱导的方法对玻璃晶圆的目标区域进行激光加工处理，预设蚀刻孔。3.根据权利要求1所述的基于交变电场辅助加工玻璃通孔的方法，其特征在于，所述蚀刻液为氢氟酸溶液或者氢氧化钠溶液；所述导电纳米粒子为金纳米粒子、锡纳米粒子和铂纳米粒子中的任意一种，且导电纳米粒子在蚀刻液中的质量浓度为0.1g/L～1g/L。4.根据权利要求1所述的基于交变电场辅助加工玻璃通孔的方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述蚀刻液的浓度为15wt％～45wt％；所述目标温度为30℃～90℃；在交变电场下通过蚀刻液蚀刻玻璃晶圆的蚀刻孔的蚀刻时间为60～600min。5.根据权利要求1所述的基于交变电场辅助加工玻璃通孔的方法，其特征在于，所述交变电场的方向垂直于玻璃晶圆的表面，且所述交变电场的方向与蚀刻孔的开设方向相同。6.根据权利要求1所述的基于交变...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈云，李彪，赖声宝，温官海，刘祚辉，陈新，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：发明
国别省市：