一种磨片后简易超声清洗设备制造技术

本发明专利技术公开了一种磨片后简易超声清洗设备，包括柜体，所述柜体的内部横向排布设置有清洗槽，所述清洗槽的底部皆设置有超声波振板，所述超声波振板的一侧皆设置有加热管，所述柜体的底部一固定安装有放置框。该一种磨片后简易超声清洗设备，通过利用超声波的高能量,使物质分子产生显著的声压作用,使得液体分子排列易发生断裂，液体分子断裂后,其内出现许多泡状的小空腔,这些空腔在极短的时间内闭合,同时产生巨大的瞬时压力，可使浮悬在液体中的固体表面受到急剧的破坏作用,而磨片的砂浆的颗粒粒径在8.6μm左右，根据此原理，将磨片后硅片通过超声的方式将硅片表面大颗粒砂浆清洗干净，减少磨片后清洗压力，提高硅片表面洁净度。表面洁净度。表面洁净度。

【技术实现步骤摘要】
一种磨片后简易超声清洗设备


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，具体为一种磨片后简易超声清洗设备。

技术介绍

[0002]在米粒大的硅片上，已能集成16万个晶体管，这是科学技术进步的又一个里程碑，地壳中含量达25.8％的硅元素，为单晶硅的生产提供了取之不尽的源泉，由于硅元素是地壳中储量最丰富的元素之一，对太阳能电池这样注定要进入大规模市场的产品而言，储量的优势也是硅成为光伏主要材料的原因之一，硅片生产过程中需要通过清洗设备进行清洗消毒处理。
[0003]由于半导体晶圆制造对于成本的诉求日益增高，而大面积硅片在单位产出芯片的数量和单位成本具有优势，因此半导体硅衬底片的尺寸也趋于大直径化，从最早的2英寸、3英寸发展到当今的8英寸、12英寸及研发中的18英寸，硅片面积日益增加，随之带来的12寸晶圆片表面洁净度也有了新的要求，磨片清洗机设备无法将磨片后硅片表面硅粉去除干净，导致硅片无法达到后道加工条件。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种磨片后简易超声清洗设备，以解决上述
技术介绍
中提出的现有的磨片清洗机设备无法将磨片后硅片表面硅粉去除干净，导致硅片无法达到后道加工条件的问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种磨片后简易超声清洗设备，包括柜体，所述柜体的内部横向排布设置有清洗槽，所述清洗槽的底部皆设置有超声波振板，所述超声波振板的一侧皆设置有加热管，所述柜体的底部一固定安装有放置框，所述放置框的内侧纵向排布开设有放置槽，所述放置槽的内侧皆设置有超声波发生器，所述超声波发生器的一侧固定安装有温控器，所述清洗槽和放置槽的数量皆为两个。
[0006]优选的，所述温控器的下方设置有加热开关，且超声波发生器的一侧表面设置有超声开关。
[0007]优选的，所述清洗槽的顶部皆活动安装有密封盖，且密封盖的顶部皆通过螺栓固定安装有握把。
[0008]优选的，所述柜体的一侧表面活动卡合安装有检修板，且检修板的表面皆设置有拉环。
[0009]优选的，所述柜体的底部固定安装有支撑腿，且支撑腿和放置框的底部皆设置有支撑座。
[0010]优选的，所述清洗槽靠近顶部的一侧表面贯穿柜体固定安装有进水管，所述清洗槽靠近底部的一侧表面贯穿柜体固定安装有排水管，且进水管和排水管上皆设置有控制阀。
[0011]优选的，所述超声波发生器的超声频率为20
‑
60KHZ，1000W，所述超声波清洗的药
液配比水为清洗剂＝30L：0.8L，且超声波清洗的时间为10分钟。
[0012]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
[0013]该一种磨片后简易超声清洗设备，通过利用超声波的高能量,使物质分子产生显著的声压作用,使得液体分子排列易发生断裂，液体分子断裂后,其内出现许多泡状的小空腔,这些空腔在极短的时间内闭合,同时产生巨大的瞬时压力，可使浮悬在液体中的固体表面受到急剧的破坏作用,而磨片的砂浆的颗粒粒径在8.6μm左右，根据此原理，将磨片后硅片通过超声的方式将硅片表面大颗粒砂浆清洗干净，减少磨片后清洗压力，提高硅片表面洁净度，使用超声清洗需搭配表面活性剂和热水减少砂浆和硅片表面的粘附性，从而使清洗洁净度达到100％。
附图说明
[0014]图1为本专利技术的立体图；
[0015]图2为本专利技术的主视图；
[0016]图3为本专利技术的侧视图；
[0017]图4为本专利技术的俯视图。
[0018]图中：1、柜体；2、放置框；3、排水管；4、支撑腿；5、支撑座；6、超声波发生器；7、检修板；8、拉环；9、清洗槽；10、密封盖；11、握把；12、加热管；13、超声波振板；14、超声开关；15、温控器；16、加热开关；17、控制阀；18、放置槽；19、进水管。
具体实施方式
[0019]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0020]请参阅图1
‑
4，本专利技术提供一种技术方案：一种磨片后简易超声清洗设备，包括柜体1，柜体1的内部横向排布设置有清洗槽9，清洗槽9的底部皆设置有超声波振板13，通过利用超声波的高能量,使物质分子产生显著的声压作用,使得液体分子排列易发生断裂，液体分子断裂后,其内出现许多泡状的小空腔,这些空腔在极短的时间内闭合,同时产生巨大的瞬时压力，可使浮悬在液体中的固体表面受到急剧的破坏作用,而磨片的砂浆的颗粒粒径在8.6μm左右，根据此原理，将磨片后硅片通过超声的方式将硅片表面大颗粒砂浆清洗干净，减少磨片后清洗压力，提高硅片表面洁净度，超声波振板13的一侧皆设置有加热管12，可对清洗时的水液进行加热升温，进而提升清洗的效果和效率，柜体1的底部一固定安装有放置框2，放置框2的内侧纵向排布开设有放置槽18，放置槽18的内侧皆设置有超声波发生器6，超声波发生器6的一侧固定安装有温控器15，可对清洗时的温度进行实时监测调节，避免水温过高或者过低影响清洗效果，清洗槽9和放置槽18的数量皆为两个，温控器15的下方设置有加热开关16，且超声波发生器6的一侧表面设置有超声开关14，可对器件的启闭运行进行实时控制，避免器件长时间闲置运行导致故障发生或造成能源的浪费。
[0021]清洗槽9的顶部皆活动安装有密封盖10，且密封盖10的顶部皆通过螺栓固定安装有握把11，可将设备清洗时进行密封，防止清洗过程水液洒出到外界，柜体1的一侧表面活
动卡合安装有检修板7，且检修板7的表面皆设置有拉环8，可方便实时打开对柜体1内部器件进行实时检修维护，柜体1的底部固定安装有支撑腿4，且支撑腿4和放置框2的底部皆设置有支撑座5，可增加设备整体清洗的稳定性，避免清洗过程中产生的力导致设备发生倾倒，清洗槽9靠近顶部的一侧表面贯穿柜体1固定安装有进水管19，可对清洗水量进行实时添加和补充，同时起到溢流的作用将多余的水导出，清洗槽9靠近底部的一侧表面贯穿柜体1固定安装有排水管3，可将清洗后的污水进行实时排放到指定的位置处，且进水管19和排水管3上皆设置有控制阀17，可方便对清洗槽9内部的水量进行实时把控，避免水量过少导致清洗不干净或者过多造成浪费，超声波发生器6的超声频率为20
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60KHZ，1000W，超声波清洗的药液配比水为清洗剂04K＝30L：0.8L，且超声波清洗的时间为10分钟，可使清洗的更加充分效果更好效率更好，同时精确把控时间避免造成能源的浪费。
[0022]工作原理：当需要进行硅片清洗工作时，首先可将需要清洗的硅片放置到清洗槽9内部，通过密封盖10将清洗槽9进行实时密封，然后通过加热开关16和超声开关14启动加热管12和超声波发生器6，通过利用超声波的高能量,使物质分子产生显著的声压作用,通过超声波振板13使发出的超声波进行振动本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磨片后简易超声清洗设备，包括柜体(1)，其特征在于：所述柜体(1)的内部横向排布设置有清洗槽(9)，所述清洗槽(9)的底部皆设置有超声波振板(13)，所述超声波振板(13)的一侧皆设置有加热管(12)，所述柜体(1)的底部一固定安装有放置框(2)，所述放置框(2)的内侧纵向排布开设有放置槽(18)，所述放置槽(18)的内侧皆设置有超声波发生器(6)，所述超声波发生器(6)的一侧固定安装有温控器(15)，所述清洗槽(9)和放置槽(18)的数量皆为两个。2.根据权利要求1所述的一种磨片后简易超声清洗设备，其特征在于：所述温控器(15)的下方设置有加热开关(16)，且超声波发生器(6)的一侧表面设置有超声开关(14)。3.根据权利要求1所述的一种磨片后简易超声清洗设备，其特征在于：所述清洗槽(9)的顶部皆活动安装有密封盖(10)，且密封盖(10)的顶部皆通过螺栓固定安装有握把(11)。4.根据权利要求1所述的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：雍琪浩，
申请(专利权)人：中环领先半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：