本发明专利技术提供一种能够用ＣＭＯＳ形成全部电路、与现有技术例比较使工艺简单化，能够缩小芯片尺寸的加法器。本发明专利技术的加法器具有第一以及第二Ⅵ变换器和电流相加电阻，在第一以及第二Ⅵ变换器中流过与输入电压对应的电流，电流相加电阻的一端共同连接第一以及第二Ⅵ变换器的输出端子，另一端接地，电阻值可调整，第一Ⅵ变换器以及第二Ⅵ变换器由下列部件组成：前级Ⅵ变换器，用于生成基准电流；后级Ⅵ变换器，用于生成与输入电压对应的电流；第一电流镜像电路，其在参考侧的第一端子上连接前级Ⅵ变换器，在流过与第一端子对应的电流的第一输出端子上连接后级Ⅵ变换器；和第二电流镜像电路，其在参考侧的第二端子上连接第一输出端子，与流过第二端子的电流对应可调整来自第二输出端子的电流比，把电流相加电阻的一端的电压作为相加电压输出。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及4柳直流的输入电源，根据输出电压以及输出电流的检测值控 制输出电压的电流方式开关调节器以及其中使用的加法器。技术背景作为电流方式降压型开关调节器，使用图6表示的结构的电路(例如参照专利文献l)。在该电路中，通过接通开关107，从电源向线圈108流过电流，输入电压 Vi作为电能(即电荷)在线圈108内积蓄，同时在输出电容器112内积蓄。另 外，ilil关断开关107，在输出电容器112内积蓄的电育腿过电荷放电。因此，图6的电流方式降压型开关调节器，对于线圈108积蓄的电能，向 负荷供给M31输出电容器112平均化(积分)后的电压。误差放大器101，对于反转输入端子输入用电阻110以及电阻111分压输 出电压的检测电压，对于非反转输入端子输入从基准电压源100输出的基准电 压Vref，放大战检测电压和敏隹电压Vref的差，把放大后的结果作为检测放 大电压向比较器105的反转输A^子输出。I/V电路121检测流过线圈108的电流，生成与该电^D^t应的电压，向加法 器103的一^lr入端子输出。I/V电路122检测流过负荷的电流，生成与该电流对应的电压，向加法器 103的另一，入端子输出。力鹏器103，相加分别从一，入端子以及另一个输入端子输入的电压， 把相加两者的结果作为补偿电压，向比较器105的非反转输入端子输出。亦即，上述补偿电压，是j顿与负荷或者线圈108串联的检测器检测流过 各元件的电流，把与流过负荷或者线圈108的电流的电流 比例的值变换为 电压值，通过加法器103相加的电压。比较器105，在反转输A^子上输入战检测放大电压，在非反转输入端 子上输入补偿电压，比较检观倣大电压以及补偿电压，把比较结果作为控制信号，向SR—锁存器106的复位端子R输出。因此，随输出电压升高，误差放大 器101输出的检测放大电压上升，比较器105，在检测放大电压超过补偿电压的 场合，使控制信号从H电平变化为L电平。另外，比较器105，在检测放大电 压比补偿电压低的场合，使控制信号从L电平变化为H电平。因此，SR—锁存器106向置位端子从振荡器104输入一定周期的时钟信号， 当被置位时把开关信号作为H电平，当输入H电平的控制信号时把输出复位， 把开关信号作为L电平。开关107，在输入的开刘言号是H电平的状态下导通， 在L电平的状态下关断。专利文献1特开2002—281742号公报如上所述，电流方式降压型开关调节器，因为根据输出电压和输出电流两 者的反馈信息生成输出电压，所以控制控制开关107的导il/关断状态的开刘言 号的负载率(duty)。但是，在现有技术例子中，在MCMOS形成加法器103以及生成输入该 加法器103的补偿斜波的倾斜补偿电路102的场合，由于阈值电压的分散，各 电路中的放大器的增益分散，在每一芯片上补偿斜波以及加法器102的特性不 同，开关调节器的特性对于设计值变得不同。因此，在现有技术中，为抑制上述的增益的分散，相加与补偿斜波电压对 应的电流、和与流过线圈108的电流对应的传感电压，生成倾斜补偿后的传感 电压，使用双极或者图7 (专利文献l)中表示的双CMOS (双极和CMOS混 存)，构成加法器103。但是，在用双极或者双CMOS形成包含加法器103的各电路的场合，和 CMOS比较，有工艺复杂而且不能鹏化、不能縮小芯片尺寸这样的缺点。本专利技术是鉴于这样的事瞎做出的专利技术，其目的在于提供一种加法器，其可 以全部用CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor)形成，与现有技 术例比较，育g够使工艺简单化，旨嫩缩小芯片尺寸。
技术实现思路
本专利技术的加法器，是对输入的多个电压进行VI变换，相加得到的电流，IV 变换后作为相加结果输出的加法器(在实施形式中，是在电流方式型开关调节 器中，用于相加与流过线圈的线圈电流的电流值对应的传感电压、和在倾斜补 偿中4顿的补偿斜波波形的电压的加法器)，其特征在于，具有，第一 VI变换器，其流过与第一输入电压的电压值对应的第一电流；第二VI变换器，其流过 与第二输入电压的电压值对应的第二电流；电流相加电阻，其构成为一端共同 连接所述第一以及第二VI变换器的输出端子，另一端接地，可调整电阻值；所 述第一 VI变换器以及第二 VI变换器由下述部件构成，前级子VI变换器(在本 实施形式中，前级VI变换器61或者前级VI变换器63)，用于生成基准电流； 后级VI变换器(在本实施形式中，后级VI变换器62或者后级VI变换器64)， 用于生成与输入电压对应的电流；第一电流镜像电路(在本实施形式中，第一 或者第三电流镜像电路)，雜参考侧的第一端子上连接所述前级VI变换器， 在流过与第一端子(在实施形式中N沟道晶体管M4或者M24的漏极)对应的 电流的第一输出端子上连接后级VI变换器；第二电流镜像电路(在本实施形式 中，第二或者第四电流镜像电路)，，参考侧的第二端子(在实施形式中N沟 道晶体管M7或者M27的漏极)上连接所述第一输出端子，与流过该第二端子 的电^M应，可调整从第二输出端子流出的电流的比，通过所述第一以及第二 电流的流过，把在所述电流相加电阻的一端发生的电压，作为第一输入电压和 第二输入电压的相加结果的相加电压输出。本专利技术的加法器的特征在于，具有检测电路，其用于检测所述第一VI变换 器以及第二 VI变换器的任何一个的所述第二端子的电压。本专利技术的加法器的特征在于，在所述第一 VI变换器以及第二 VI变换器中， 所述前级VI变换器由下列部件构成，第一 P沟道晶体管(本实施形式中P沟道 晶体管M3)， *1^接第一定电流源，栅极以及漏极接地；第一N沟道晶体 管(本实施形式中N沟道晶体管M4)，其栅IK接该第一 P沟道晶体管的源极， 源极ffl)i电阻接地;所述后级VI变换器由下列部件构成，第二 P沟道晶体管(本 实施形式中P沟道晶体管M6)，其源极连接第二定电流源，在栅|]5±施加所述 输入电压，漏极接地；第二N沟道晶体管(本实施形式中N沟道晶体管M7)， 其栅极连接该第二 P沟道晶体管的源极，源^ffl31电阻接地；第一电流镜像电 路由下列部件构成，第三P沟道晶体管(本实施形式中P沟道晶体管M5)，其 源极连接电源，栅极和漏^腿接所述第一N沟道晶体管的漏极；第四P沟道晶 体管(本实施形式中P沟道晶体管M8)，其源极连接电源，栅极连接所述第三 P沟道晶体管的栅极，漏极连接所述第二 N沟道晶体管的漏极；所述第二电流 镜像电路由下列部件构成，第五P沟道晶体管(本实施形式中P沟道晶体管M9)，其源极连接电源，栅极和漏极连接所述第二N沟道晶体管的漏极；第六P沟道 晶体管(本实施形式中P沟道晶体管MIO)，其源禾腿接电源，栅极连接所述第 五P沟道晶体管的栅极，漏极连接所述调整电阻的一端，电流量可调整。本专利技术的加法器的特征在于，所述检测电路由第七P沟道晶体管构成，其源极连接电源，栅极连接所述第六P沟道晶体管的栅极，源极3131电阻接地。本专利技术的电流方式型开关调节器的特征在于，具有倾斜补偿电路，用于 输出倾斜补偿的补偿斜波波形；电流检测电路，用于检测供给负荷的电流，生 成与该电流对应的传感电压；加法器，用于相加所述补偿斜波本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种加法器，其对输入的多个电压进行Ⅵ变换，相加得到的电流，Ⅳ变换后作为相加结果输出，其特征在于， 具有， 第一Ⅵ变换器，其流过与第一输入电压的电压值对应的第一电流； 第二Ⅵ变换器，其流过与第二输入电压的电压值对应的第二电流； 电流相加电阻，其构成为一端共同连接所述第一以及第二Ⅵ变换器的输出端子，另一端接地，可调整电阻值； 所述第一Ⅵ变换器以及第二Ⅵ变换器由下述部件构成， 前级子Ⅵ变换器，用于生成基准电流； 后级Ⅵ变换器，用于生成与输入电压对应的电流； 第一电流镜像电路，其在参考侧的第一端子上连接所述前级Ⅵ变换器，在流过与第一端子对应的电流的第一输出端子上连接后级Ⅵ变换器； 第二电流镜像电路，其在参考侧的第二端子上连接所述第一输出端子，与流过该第二端子的电流对应，可调整从第二输出端子流出的电流的比， 通过所述第一以及第二电流的流过，把在所述电流相加电阻的一端发生的电压，作为第一输入电压和第二输入电压的相加结果的相加电压输出。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：上原治，
申请(专利权)人：精工电子有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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