可调多用电源制造技术

本发明专利技术公开了一种可调多用电源，它包括电容调压电路、辅助电源电路、反相开关信号产生电路、整流滤波电路和报警电路，特征是还包括可控硅调压电路、三极管调压电路、反相开关信号放大电路、反相开关电路、变频变压器负载电路、自适应滤波电路、依次降压自适应调压电路、直流电压电流合成电路、直流输出电压电流取样电路、取样信号放大电路和放大取样信号控制电路。本发明专利技术还包括直流过压过流报警电路。本发明专利技术把可调交流电源设计为电容调压电路、可控硅调压电路、三极管调压电路的并联电路，使得可控硅调压电路的非正弦特性能得到补正，而同时又发挥大功率的特点。本发明专利技术具有输入输出电压均连续可调、功率大、波形良好的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电源，尤其是涉及一种由可调交流电源、可调变频电源、可调 直流电压电流源组成的可调多用电源。
技术介绍
目前电源多为单一用途电源，在需要多种电源的地方不方便。而且交流电 源采用可控硅调压，输出波形不好，变频电源开关管上易生成高压，控制电路 复杂，直流电源输出功率小。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种电压电流不仅大小连续可调、功率大而且波形 良好的可调多用电源。本专利技术的目的是这样实现的本专利技术包括电容调压电路、辅助电源电路、 反相开关信号产生电路、整流滤波电路和报警电路，整流滤波电路包括市电整 流滤波电路、可调交流电源整流滤波电路、变频变压器低压线圏整流滤波电路 和变频变压器高压线圏整流滤波电路，特征是还包括可控硅调压电路、三极管 调压电路、反相开关信号放大电路、反相开关电路、变频变压器负栽电路、自 适应滤波电路、依次降压自适应调压电路、直流电压电流合成电路、直流输出 电压电流取样电路、取样信号放大电路和放大取样信号控制电路。可调交流电源由电容调压电路、可控硅调压电路和三极管调压电路组成， 可调变频电源由可调交流电源整流滤波电路、辅助电源电路、反相开关信号产 生电路、反相开关信号放大电路、反相开关电路和变频变压器负载电路组成， 可调直流电压电流源由市电整流滤波电路、可调交流电源整流滤波电路、变频 变压器低压线圏整流滤波电路、变频变压器高压线圏整流滤波电路、自适应滤 波电路、依次降压自适应调压电路、直流电压电流合成电路、直流输出电压电 流取样电路、取样信号放大电路和放大取样信号控制电路组成。调节电容调压 电路、可控硅调压电路、三极管调压电路中电流的比例就可以调节可调交流电 源输出电压的大小，而且波形良好；反相开关电路中的两组由开关管IGBT或 npn三极管、pnp三极管和开关管IGBT构成的反相开关受相应的反相开关信号 的控制，在变频变压器负载电路中的两支CL串联支路中产生交变电流，由于 这两支CL串联支路中的电感L是按同名端在一侧的规则绕在同一铁氧体环形 磁芯上并作为变压器原边的，所以任何一个时刻，两个电感L中的电流^相 的，但电流在磁芯中产生磁通是同相的，因而在变压器副边可以感应出变频能 量并传送出去；可调直流电压电流源中，可调交流电源整流滤波电路或变频变 压器低压线圈整流滤波电路向负载提供主直流电压电流，市电整流滤波电路、自适应滤波电路和依次降压自适应调压电路或变频变压器高压线圏整流滤波 电路、自适应滤波电路和依次降压自适应调压电路向负栽提供负载稳压稳流所需的副直流电压电流，负载中主直流电压电流的波动由副直流电压电流进行才未平，从而在负栽上得到稳定的直流电压电流。 本专利技术还包括直流过压过流报警电路。本专利技术把可调交流电源设计为电容调压电路、可控硅调压电路、三极管调 压电路的并联电路，使得可控硅调压电路的非正弦特性能得到补正，而同时又发挥大功率的特点。本专利技术把反相开关信号放大电路设计为由场效应管、npn 三极管、pnp三极管及电阻电容构成的推拉电路，把反相开关电路和变频变压 器负载电路也设计为由开关管IGBT及电阻电感电容二极管或叩n三极管、pnp 三极管、开关管IGBT及电阻电感电容二极管构成的推拉电路使变频电源的性 能更为优越。本专利技术把可调直流电压电流源的输出电压电流设计为主直流电压 电it和副直it电压电it的合成，主直it电压电5充的S皮动由副直流电压电it进4亍 抹平，从而在负载上得到稳定的直流电压电流。本专利技术具有输入输出电压均连续可调、功率大、波形良好的优点，适用于 工业、科研等部门。附图说明图1为本专利技术除反相开关信号放大电路和反相开关电路之外的电路原理图2为反相开关信号放大电路和反相开关电路的电路原理图； 图3为替代图1中三极管调压电路的叩n三极管调压电路原理图； 图4为替代图1中三极管调压电路的pnp三极管调压电路原理图； 图5为替代图1中三极管调压电路的开关管IGBT调压电路原理图； 图6为替代图1中可控硅调压电路、三极管调压电路的可控硅三极管调压 电路原理图7为图2中反相开关信号放大电路和反相开关电路的替代电路原理图。 具体实施例方式下面结合实施例并对照附图对本专利技术作进一步详细说明。 实施例1:本专利技术由电容调压电路、可控硅调压电路、三极管调压电路、反相开关信 号放大电路、反相开关电路、变频变压器负载电路、自适应滤波电路、依次降 压自适应调压电路、直流电压电流合成电路、直流输出电压电流取样电路、取 样信号放大电路和放大取样信号控制电路，反相开关信号产生电路、整流滤波 电路、报警电路和辅助电源电路组成。电容调压电路由第1电容调压电路和第2电容调压电路组成，其中第1 电容调压电路由第1电阻R1、第2电阻R2、第l极性电容Cla、第2才及性电容 C2a、第1 二极管Dl、第2 二极管D2和第1开关Kl组成，第1开关Kl的A 端与保险丝BX串联后接市电220V的火线，第1开关Kl的B端接第1极性电容Cla正极和第1 二极管Dl阴极的公共端，第1极性电容Cla的负极接第1 二极管Dl阳极、第2 二极管D2阳极和第2极性电容C2a负才及的^^共端，第2 极性电容C2a的正极接第2 二极管D2的阴极，第1电阻Rl并联在第1极性电 容Cla的两端，第2电阻R2并联在第2极性电容C2a的两端。第2电容调压电路由第3电阻R3、第4电阻R4、第3极性电容C3a、第4 极性电容C4a、第3 二极管D3、第4 二极管D4和第2开关K2组成，第2开关 K2的C端接第1开关Kl的A端，第2开关K2的D端接第3极性电容C3a正极 和第3 二极管D3阴极的公共端，第3极性电容C3a的负极接第3 二极管D3阳 极、第4二极管D4阳极和第4极性电容C4a负极的公共端，第4极性电容C4a 的正极接第4二极管D4的阴极，第3电阻R3并联在第3极性电容C3a的两端， 第4电阻R4并联在第4极性电容C4a的两端。可控硅调压电路由第1可控硅SCR1、第2可控硅SCR2、第1场效应管NM0S1、 第2场效应管NMOS2、第1可调电阻W1、第5电阻R5、第5至第16二极管D5 —D16、第1稳压二才及管ZW1、第2稳压二极管ZW2组成，第1可控硅SCR1阳 极、第5 二极管D5阴极、第7 二极管D7阴极、第9 二极管D9阳极、第15 二 极管D15阳极的公共端接第1开关Kl的A端，第5 二极管D5的阳极接第8 二 极管D8阳极、第12 二极管D12阴极、第2可控硅SCR2阴极的公共端，第6 二极管D6的阳极接第7 二极管D7阳极、第11 二极管Dll阴极、第1可控硅 SCR1阴极的公共端，第1场效应管NM0S1的漏极接第9 二才及管D9的阴极，第 1场效应管NM0S1的源极接第1可控硅SCR1的控制极和第1稳压二极管ZW1 阳极的公共端，第1场效应管NM0S1的栅极接第13 二极管D13阴极和第1稳 压二极管ZW1阴极的公共端，第2场效应管醒0S2的漏极接第10 二极管D10 的阴极，第2场效应管丽0S2的源极接第2可控硅SCR2的控制极和第2稳压 二极管ZW2阳极的公共端，第2场效应管NM0S2的栅极接第14 二极管D14阴 极和第2稳压二极管ZW2阴极的公共端，第11 二极管Dll阳极和第12 二极管 D本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可调多用电源，包括电容调压电路、辅助电源电路、反相开关信号产生电路、整流滤波电路和报警电路，整流滤波电路包括市电整流滤波电路、可调交流电源整流滤波电路、变频变压器低压线圈整流滤波电路和变频变压器高压线圈整流滤波电路，特征是还包括可控硅调压电路、三极管调压电路、反相开关信号放大电路、反相开关电路、变频变压器负载电路、自适应滤波电路、依次降压自适应调压电路、直流电压电流合成电路、直流输出电压电流取样电路、取样信号放大电路和放大取样信号控制电路，其中：可控硅调压电路由第１可控硅（ＳＣＲ１）、第２可控硅（ＳＣＲ２）、第１场效应管（ＮＭＯＳ１）、第２场效应管（ＮＭＯＳ２）、第１可调电阻（Ｗ１）、第５电阻（Ｒ５）、第５至第１６二极管（Ｄ５－Ｄ１６）、第１稳压二极管（ＺＷ１）、第２稳压二极管（ＺＷ２）组成，第１可控硅（ＳＣＲ１）阳极、第５二极管（Ｄ５）阴极、第７二极管（Ｄ７）阴极、第９二极管（Ｄ９）阳极、第１５二极管（Ｄ１５）阳极的公共端接第１开关（Ｋ１）的Ａ端，第５二极管（Ｄ５）的阳极接第８二极管（Ｄ８）阳极、第１２二极管（Ｄ１２）阴极、第２可控硅（ＳＣＲ２）阴极的公共端，第６二极管（Ｄ６）的阳极接第７二极管（Ｄ７）阳极、第１１二极管（Ｄ１１）阴极、第１可控硅（ＳＣＲ１）阴极的公共端，第１场效应管（ＮＭＯＳ１）的漏极接第９二极管（Ｄ９）的阴极，第１场效应管（ＮＭＯＳ１）的源极接第１可控硅（ＳＣＲ１）的控制极和第１稳压二极管（ＺＷ１）阳极的公共端，第１场效应管（ＮＭＯＳ１）的栅极接第１３二极管（Ｄ１３）阴极和第１稳压二极管（ＺＷ１）阴极的公共端，第２场效应管（ＮＭＯＳ２）的漏极接第１０二极管（Ｄ１０）的阴极，第２场效应管（ＮＭＯＳ２）的源极接第２可控硅（ＳＣＲ２）的控制极和第２稳压二极管（ＺＷ２）阳极的公共端，第２场效应管（ＮＭＯＳ２）的栅极接第１４二极管（Ｄ１４）阴极和第２稳压二极管（ＺＷ２）阴极的公共端，第１１二极管（Ｄ１１）阳极和第１２二极管（Ｄ１２）阳极的公共端与第１可调电阻（Ｗ１）串联后接第１５二极管（Ｄ１５）阴极和第１６二极管（Ｄ１６）阴极的公共端，第５电阻（Ｒ５）的一端接第１可调电阻（Ｗ１）的活动端，第５电阻（Ｒ５）的另一端接第１３二极管（Ｄ１３）阳极和第１４二极管（Ｄ１４）阳极的公共端，第２可控硅（ＳＣＲ２）阳极、第６二极管（Ｄ６）阴极、第８二极管（Ｄ８）阴极、第１０二极管（Ｄ１０）阳极的公共端接第１６二...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：章祖文，
申请(专利权)人：章祖文，
类型：发明
国别省市：36[中国|江西]