一种基于继电器的功率防反电路制造技术

一种基于继电器的功率防反电路，包括二极管D1、二极管D2、低压降LDO芯片、继电器、三极管、电阻R1和电阻R3；二极管D2的导通端分别与电源电压和继电器的第1引脚连接，二极管D2的截止端与低压降LDO芯片的输入端连接，低压降LDO芯片的输出端与MCU电源端连接；继电器的线圈两端分别连接第2引脚和第3引脚，继电器的第2引脚连接二极管D1的截止端，二极管D1的导通端分别连接继电器的第3引脚和三极管的集电极连接，三极管的基极分别与电阻R1的一端和电阻R3的一端连接，电阻R1的另一端与MCU的I/O口连接，继电器的第4引脚与功率电源连接。本实用新型专利技术具有关断功能、设计难度低且具有良好的价格优势。优势。优势。

【技术实现步骤摘要】
一种基于继电器的功率防反电路


[0001]本技术涉及继电器
，具体涉及一种基于继电器的功率防反电路。

技术介绍

[0002]现有的继电器内部通常会在线圈的两端并联一个续流二极管，用于消耗线圈产生的感应电动势，从而避免电路中的元件损坏，然而，不同厂家在继电器的制作工艺上存在差异，增加的续流二极管在极性上没有统一的标准，使得继电器在连接的时候容易因为方向接错而导致内部增加的续流二极管烧坏，或者导致控制电路因大电流冲击而损坏。

技术实现思路

[0003]针对现有技术的不足，本技术提供了一种基于继电器的功率防反电路，克服了现有技术的不足，设计合理，具有关断功能、设计难度低且具有良好的价格优势。
[0004]为实现以上目的，本技术通过以下技术方案予以实现：
[0005]一种基于继电器的功率防反电路，包括二极管D1、二极管D2、低压降LDO芯片U1、继电器KV1、三极管Q1、电阻R1和电阻R3；所述二极管D2的导通端分别与电源电压VCC
‑
BAT和继电器KV1的第1引脚相连接，所述二极管D2的截止端与低压本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于继电器的功率防反电路，其特征在于：包括二极管D1、二极管D2、低压降LDO芯片U1、继电器KV1、三极管Q1、电阻R1和电阻R3；所述二极管D2的导通端分别与电源电压VCC
‑
BAT和继电器KV1的第1引脚相连接，所述二极管D2的截止端与低压降LDO芯片U1的输入端相连接，所述低压降LDO芯片U1的输出端与MCU电源端相连接；所述继电器KV1的线圈两端分别连接第2引脚和第3引脚，所述继电器KV1的第2引脚连接二极管D1的截止端，所述二极管D1的导通端分别连接继电器KV1的第3引脚和三极管Q1的集电极相...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎华平，曹腾华，刘可卿，陈行文，刘文灿，
申请(专利权)人：微进电子科技上海有限公司，
类型：新型
国别省市：