一种基于继电器的功率防反电路制造技术

一种基于继电器的功率防反电路，包括二极管D1、二极管D2、低压降LDO芯片、继电器、三极管、电阻R1和电阻R3；二极管D2的导通端分别与电源电压和继电器的第1引脚连接，二极管D2的截止端与低压降LDO芯片的输入端连接，低压降LDO芯片的输出端与MCU电源端连接；继电器的线圈两端分别连接第2引脚和第3引脚，继电器的第2引脚连接二极管D1的截止端，二极管D1的导通端分别连接继电器的第3引脚和三极管的集电极连接，三极管的基极分别与电阻R1的一端和电阻R3的一端连接，电阻R1的另一端与MCU的I/O口连接，继电器的第4引脚与功率电源连接。本实用新型专利技术具有关断功能、设计难度低且具有良好的价格优势。优势。优势。

【技术实现步骤摘要】
一种基于继电器的功率防反电路


[0001]本技术涉及继电器
，具体涉及一种基于继电器的功率防反电路。

技术介绍

[0002]现有的继电器内部通常会在线圈的两端并联一个续流二极管，用于消耗线圈产生的感应电动势，从而避免电路中的元件损坏，然而，不同厂家在继电器的制作工艺上存在差异，增加的续流二极管在极性上没有统一的标准，使得继电器在连接的时候容易因为方向接错而导致内部增加的续流二极管烧坏，或者导致控制电路因大电流冲击而损坏。

技术实现思路

[0003]针对现有技术的不足，本技术提供了一种基于继电器的功率防反电路，克服了现有技术的不足，设计合理，具有关断功能、设计难度低且具有良好的价格优势。
[0004]为实现以上目的，本技术通过以下技术方案予以实现：
[0005]一种基于继电器的功率防反电路，包括二极管D1、二极管D2、低压降LDO芯片U1、继电器KV1、三极管Q1、电阻R1和电阻R3；所述二极管D2的导通端分别与电源电压VCC
‑
BAT和继电器KV1的第1引脚相连接，所述二极管D2的截止端与低压降LDO芯片U1的输入端相连接，所述低压降LDO芯片U1的输出端与MCU电源端相连接；
[0006]所述继电器KV1的线圈两端分别连接第2引脚和第3引脚，所述继电器KV1的第2引脚连接二极管D1的截止端，所述二极管D1的导通端分别连接继电器KV1的第3引脚和三极管Q1的集电极相连接，所述三极管Q1的基极分别与电阻R1的一端和电阻R3的一端相连接，所述三极管Q1的发射极与电阻R3的另一端均接地，所述电阻R1的另一端与MCU的I/O口相连接，所述继电器KV1的第1引脚通过切换开关分别连接继电器KV1的第4引脚和第5引脚，所述继电器KV1的第4引脚与功率电源相连接。
[0007]优选地，所述继电器KV1的第2引脚和二极管D2的截止端均分别连接信号电源。
[0008]优选地，所述低压降LDO芯片U1的接地端GND接地。
[0009]本技术提供了一种基于继电器的功率防反电路。具备以下有益效果：通过二极管D2切断反接信号信号电源，以便控制吸合继电器KV1中的开关，实现对MCU的有效控制，以提高电路可靠性。
附图说明
[0010]为了更清楚地说明本技术或现有技术中的技术方案，下面将对现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
[0011]图1本技术的结构示意图；
具体实施方式
[0012]为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术中的
附图，对本技术中的技术方案进行清楚、完整地描述。
[0013]如图1所示，一种基于继电器的功率防反电路，包括二极管D1、二极管D2、低压降LDO芯片U1、继电器KV1、三极管Q1、电阻R1和电阻R3；二极管D2的导通端分别与电源电压VCC
‑
BAT和继电器KV1的第1引脚相连接，二极管D2的截止端与低压降LDO芯片U1的输入端相连接，低压降LDO芯片U1的输出端与MCU电源端相连接；低压降LDO芯片U1的接地端GND接地；
[0014]继电器KV1的线圈两端分别连接第2引脚和第3引脚，继电器KV1的第2引脚连接二极管D1的截止端，二极管D1的导通端分别连接继电器KV1的第3引脚和三极管Q1的集电极相连接，三极管Q1的基极分别与电阻R1的一端和电阻R3的一端相连接，三极管Q1的发射极与电阻R3的另一端均接地，电阻R1的另一端与MCU的I/O口相连接，继电器KV1的第1引脚通过切换开关分别连接继电器KV1的第4引脚和第5引脚，继电器KV1的第4引脚与功率电源相连接。
[0015]在本实施例中，继电器KV1的第2引脚和二极管D2的截止端均分别连接信号电源。
[0016]工作原理：
[0017]当电源正常连接时，电源电压VCC
‑
BAT经过二极管D2到低压降LDO芯片U1，低压降LDO芯片U1正常工作，并且给到MCU电源端正常的工作电压，MCU正常工作；MCU电源端给到MCU的I/O口高电平使三极管Q1导通，继电器KV1的第1引脚触点由第5引脚切换至第4引脚，功率电源导通。
[0018]当电源反接时，二极管D2切断反接信号信号电源，低压降LDO芯片U1不工作，MCU不工作，而继电器KV1因为受MCU控制，因此也不工作，继电器KV1断开时，功率电源不导通，从而使反向电压被截止。
[0019]本申请通过二极管D2切断反接信号信号电源，以便控制吸合继电器KV1中的开关，实现对继电器的有效控制，大大提高了电路可靠性。
[0020]以上实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的精神和范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于继电器的功率防反电路，其特征在于：包括二极管D1、二极管D2、低压降LDO芯片U1、继电器KV1、三极管Q1、电阻R1和电阻R3；所述二极管D2的导通端分别与电源电压VCC
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BAT和继电器KV1的第1引脚相连接，所述二极管D2的截止端与低压降LDO芯片U1的输入端相连接，所述低压降LDO芯片U1的输出端与MCU电源端相连接；所述继电器KV1的线圈两端分别连接第2引脚和第3引脚，所述继电器KV1的第2引脚连接二极管D1的截止端，所述二极管D1的导通端分别连接继电器KV1的第3引脚和三极管Q1的集电极相...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎华平，曹腾华，刘可卿，陈行文，刘文灿，
申请(专利权)人：微进电子科技上海有限公司，
类型：新型
国别省市：