一种集成电路离子注入掺杂工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种集成电路离子注入掺杂工艺，涉及电路离子注入技术领域。该集成电路离子注入掺杂工艺，包括以下步骤：S1，确定离子的电荷数和荷质比，然后通过控制箱将掺杂气体通入离子源进行电离；S2，由离子源系统产生无金属杂质的离子束；S3，根据单个注入离子的电荷数和注入离子剂量，在剂量控制系统中设定设备所参考的离子注入总剂量；S4，由引出系统通过引出缝将纯的无金属杂质的带状离子束引入靶室；S5，离子束向靶片注入无金属杂质的多种离子。该集成电路离子注入掺杂工艺，通过设置防护架，在灰尘下落时可以通过防护架进行阻隔，避免灰尘落在控制箱上方，再通过设置连接板，对侧边的灰尘进行简单的防护，避免散热隔网被堵塞。网被堵塞。网被堵塞。

【技术实现步骤摘要】
一种集成电路离子注入掺杂工艺


[0001]本专利技术涉及电路离子注入
，具体为一种集成电路离子注入掺杂工艺。

技术介绍

[0002]离子注入机是高压小型加速器中的一种，应用数量最多。它是由离子源得到所需要的离子，经过加速得到几百千电子伏能量的离子束流，用做半导体材料、大规模集成电路和器件的离子注入，还用于金属材料表面改性和制膜等。
[0003]离子注入机一般由控制箱控制启动一级功能调节，传统的控制箱散热孔设置在控制箱顶部，没有保护装置，可能会导致灰尘堆积影响正常散热，从而可能会使内部的零部件损坏，造成更大的损失，所以我们提出了一种集成电路离子注入掺杂工艺。

技术实现思路

[0004]为实现以上目的，本专利技术通过以下技术方案予以实现：一种集成电路离子注入掺杂工艺，包括以下步骤。
[0005]S1，确定离子的电荷数和荷质比，然后通过控制箱将掺杂气体通入离子源进行电离；
[0006]S2，由离子源系统产生无金属杂质的离子束；
[0007]S3，根据单个注入离子的电荷数和注入离子剂量，在剂量控制系本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路离子注入掺杂工艺，其特征在于：包括以下步骤，S1，确定离子的电荷数和荷质比，然后通过控制箱(1)将掺杂气体通入离子源进行电离；S2，由离子源系统产生无金属杂质的离子束；S3，根据单个注入离子的电荷数和注入离子剂量，在剂量控制系统中设定设备所参考的离子注入总剂量；S4，由引出系统通过引出缝将纯的无金属杂质的带状离子束引入靶室；S5，离子束向靶片注入无金属杂质的多种离子。2.根据权利要求1所述的一种集成电路离子注入掺杂工艺，其特征在于：所述控制箱(1)顶部设置有防护装置(2)，所述防护装置(2)包括防护架(21)，所述防护架(21)底部固定连接有支撑架(22)，所述支撑架(22)表面与控制箱(1)表面固定连接，所述防护架(21)内部设置有阻隔机构(23)和晃动机构(24)。3.根据权利要求2所述的一种集成电路离子注入掺杂工艺，其特征在于：所述阻隔机构(23)包括拉绳一(233)，所述拉绳一(233)与防护架(21)内壁固定连接，所述拉绳一(233)外表面固定连接有连接板(231)，所述连接板(231)左端固定连接有十组导流板(234)，所述连接板(231)内部开设有五个吹风孔(232)，所述连接板(231)表面固定连接有拉环(235)。4.根据权利要求3所述的一种集成电路离子注入掺杂工艺，其特征在于：所述晃动机构(24)包括连接架(241)，所述连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭芳，
申请(专利权)人：郭芳，
类型：发明
国别省市：