一种集成电路离子注入掺杂工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种集成电路离子注入掺杂工艺，涉及电路离子注入技术领域。该集成电路离子注入掺杂工艺，包括以下步骤：S1，确定离子的电荷数和荷质比，然后通过控制箱将掺杂气体通入离子源进行电离；S2，由离子源系统产生无金属杂质的离子束；S3，根据单个注入离子的电荷数和注入离子剂量，在剂量控制系统中设定设备所参考的离子注入总剂量；S4，由引出系统通过引出缝将纯的无金属杂质的带状离子束引入靶室；S5，离子束向靶片注入无金属杂质的多种离子。该集成电路离子注入掺杂工艺，通过设置防护架，在灰尘下落时可以通过防护架进行阻隔，避免灰尘落在控制箱上方，再通过设置连接板，对侧边的灰尘进行简单的防护，避免散热隔网被堵塞。网被堵塞。网被堵塞。

【技术实现步骤摘要】
一种集成电路离子注入掺杂工艺


[0001]本专利技术涉及电路离子注入
，具体为一种集成电路离子注入掺杂工艺。

技术介绍

[0002]离子注入机是高压小型加速器中的一种，应用数量最多。它是由离子源得到所需要的离子，经过加速得到几百千电子伏能量的离子束流，用做半导体材料、大规模集成电路和器件的离子注入，还用于金属材料表面改性和制膜等。
[0003]离子注入机一般由控制箱控制启动一级功能调节，传统的控制箱散热孔设置在控制箱顶部，没有保护装置，可能会导致灰尘堆积影响正常散热，从而可能会使内部的零部件损坏，造成更大的损失，所以我们提出了一种集成电路离子注入掺杂工艺。

技术实现思路

[0004]为实现以上目的，本专利技术通过以下技术方案予以实现：一种集成电路离子注入掺杂工艺，包括以下步骤。
[0005]S1，确定离子的电荷数和荷质比，然后通过控制箱将掺杂气体通入离子源进行电离；
[0006]S2，由离子源系统产生无金属杂质的离子束；
[0007]S3，根据单个注入离子的电荷数和注入离子剂量，在剂量控制系统中设定设备所参考的离子注入总剂量；
[0008]S4，由引出系统通过引出缝将纯的无金属杂质的带状离子束引入靶室；
[0009]S5，离子束向靶片注入无金属杂质的多种离子。
[0010]优选的，所述控制箱顶部设置有防护装置，所述防护装置包括防护架，所述防护架底部固定连接有支撑架，所述支撑架表面与控制箱表面固定连接，所述防护架内部设置有阻隔机构和晃动机构。
[0011]优选的，所述阻隔机构包括拉绳一，所述拉绳一与防护架内壁固定连接，所述拉绳一外表面固定连接有连接板，所述连接板左端固定连接有十组导流板，所述连接板内部开设有五个吹风孔，所述连接板表面固定连接有拉环。
[0012]优选的，所述晃动机构包括连接架，所述连接架顶部固定连接有连接杆，所述连接杆顶部通过转轴与防护架内壁转动连接，所述连接架右端固定连接有两个固定板，所述连接架内壁固定连接有弹力膜，所述弹力膜表面与两个固定板固定连接，所述连接架下端设置有固定件。
[0013]优选的，所述阻隔机构的数量为两组，两组所述阻隔机构以防护架中轴处为中心对称设置，两个所述拉绳一分别均与弹力膜表面固定连接。
[0014]优选的，所述固定件包括固定架和拉绳二，所述固定架顶部中轴处开设有连通孔，所述固定架底部两端均固定连接有防护板，两个所述防护板内部均开设有开口，所述拉绳二顶部与连接架表面固定连接，所述拉绳二下端设置有连接球，所述连接球下端开设有连
通槽，所述拉绳二下端与连通槽内壁固定连接，所述拉绳二底部固定连接有弹力绳，所述拉绳二底部与控制箱顶部固定连接。
[0015]本专利技术提供了一种集成电路离子注入掺杂工艺。具备以下有益效果：
[0016]1、该集成电路离子注入掺杂工艺，通过设置防护架，在灰尘下落时可以通过防护架进行阻隔，避免灰尘落在控制箱上方，再通过设置连接板，可以对侧边的灰尘进行简单的防护，避免出现散热隔网被堵塞的情况发生。
[0017]2、该集成电路离子注入掺杂工艺，通过拉环晃动连接板时，空气通过导流板加速从吹风孔后吹出，再在连接板本身带动的风辅助下，从而可以有效的将灰尘从控制箱顶部带起并吹出。
[0018]3、该集成电路离子注入掺杂工艺，通过连接板和拉绳一带动连接架和固定板左右偏转，从而可以使连接架和固定板可以通过弹力膜将灰尘吹出。
[0019]4、该集成电路离子注入掺杂工艺，通过在连接架和固定板左右晃动时，设置防护板对弹力膜受力偏转的方向进行限制，避免导致防护架内部空气流动混乱的情况发生。
[0020]5、该集成电路离子注入掺杂工艺，使固定架受力通过拉绳拉动弹力绳，连接球被带动后通过弹力绳的拉力使连接球复位对控制箱顶部敲击，从而可以将控制箱顶部粘附的灰尘震下，可以有效地对灰尘进行处理。
附图说明
[0021]图1为本专利技术立体图；
[0022]图2为本专利技术防护装置的结构示意图；
[0023]图3为本专利技术晃动机构的结构示意图；
[0024]图4为本专利技术阻隔机构的结构示意图；
[0025]图5为本专利技术固定件的结构示意图；
[0026]图6为本专利技术连接球的底部视图。
[0027]图中：控制箱1、防护装置2、防护架21、支撑架22、阻隔机构23、连接板231、吹风孔232、拉绳一233、导流板234、拉环235、晃动机构24、连接架241、连接杆242、固定板243、弹力膜244、固定件245、固定架2451、拉绳二2452、防护板2453、开口2454、连接球2455、连通槽2456、弹力绳2457。
具体实施方式
[0028]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0029]所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。
[0030]请参阅图1
‑
6，本专利技术提供一种技术方案：一种集成电路离子注入掺杂工艺，包括以下步骤，
[0031]S1，确定离子的电荷数和荷质比，然后通过控制箱1将掺杂气体通入离子源进行电离；
[0032]S2，由离子源系统产生无金属杂质的离子束；
[0033]S3，根据单个注入离子的电荷数和注入离子剂量，在剂量控制系统中设定设备所参考的离子注入总剂量；
[0034]S4，由引出系统通过引出缝将纯的无金属杂质的带状离子束引入靶室；
[0035]S5，离子束向靶片注入无金属杂质的多种离子。
[0036]控制箱1顶部设置有防护装置2，防护装置2包括防护架21，防护架21底部固定连接有支撑架22，支撑架22表面与控制箱1表面固定连接，防护架21内部设置有阻隔机构23和晃动机构24，阻隔机构23的数量为两组，两组阻隔机构23以防护架21中轴处为中心对称设置，两个拉绳一233分别均与弹力膜244表面固定连接，通过设置防护架21，在灰尘下落时可以通过防护架21进行阻隔，避免灰尘落在控制箱1上方，再通过设置连接板231，可以对侧边的灰尘进行简单的防护，避免出现散热隔网被堵塞的情况发生。
[0037]阻隔机构23包括拉绳一233，拉绳一233与防护架21内壁固定连接，拉绳一233外表面固定连接有连接板231，连接板231左端固定连接有十组导流板234，连接板231内部开设有五个吹风孔232，连接板231表面固定连接有拉环235，通过拉环235晃动连接板231时，空气通过导流板234加速从吹风孔2后吹出，再在连接板231本身带动的风辅助下，从而可以有效的将灰尘从控制箱1顶部带起并吹出。
[0038]晃动机构24包括连接架241，连接架241顶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路离子注入掺杂工艺，其特征在于：包括以下步骤，S1，确定离子的电荷数和荷质比，然后通过控制箱(1)将掺杂气体通入离子源进行电离；S2，由离子源系统产生无金属杂质的离子束；S3，根据单个注入离子的电荷数和注入离子剂量，在剂量控制系统中设定设备所参考的离子注入总剂量；S4，由引出系统通过引出缝将纯的无金属杂质的带状离子束引入靶室；S5，离子束向靶片注入无金属杂质的多种离子。2.根据权利要求1所述的一种集成电路离子注入掺杂工艺，其特征在于：所述控制箱(1)顶部设置有防护装置(2)，所述防护装置(2)包括防护架(21)，所述防护架(21)底部固定连接有支撑架(22)，所述支撑架(22)表面与控制箱(1)表面固定连接，所述防护架(21)内部设置有阻隔机构(23)和晃动机构(24)。3.根据权利要求2所述的一种集成电路离子注入掺杂工艺，其特征在于：所述阻隔机构(23)包括拉绳一(233)，所述拉绳一(233)与防护架(21)内壁固定连接，所述拉绳一(233)外表面固定连接有连接板(231)，所述连接板(231)左端固定连接有十组导流板(234)，所述连接板(231)内部开设有五个吹风孔(232)，所述连接板(231)表面固定连接有拉环(235)。4.根据权利要求3所述的一种集成电路离子注入掺杂工艺，其特征在于：所述晃动机构(24)包括连接架(241)，所述连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭芳，
申请(专利权)人：郭芳，
类型：发明
国别省市：