一种离子注入方法、离子注入设备以及形成轻掺杂源漏区的方法技术

本公开的实施例提供一种离子注入方法、离子注入设备以及形成轻掺杂源漏区的方法，所述离子注入方法包括：产生离子束，所述离子束适于向电子萃取电场运动；向所述离子束中提供电子以进行电荷中和，所述电子的量与所述离子束中离子的束流大小相关。通过本公开的实施例所述的方法，使更多电子进入离子束并中和其相应的正电荷，避免了由于正电荷过量在晶圆产生缺陷。陷。陷。

【技术实现步骤摘要】
一种离子注入方法、离子注入设备以及形成轻掺杂源漏区的方法


[0001]本公开涉及半导体制造领域，尤其涉及一种离子注入方法、离子注入设备以及形成轻掺杂源漏区的方法。

技术介绍

[0002]半导体掺杂中经常用到离子注入手段，离子注入掺杂是一种重要的掺杂手段，其将杂质电离成离子并聚焦成离子束，在电场中加速后获得极高的动能，之后注入到晶圆中实现掺杂，从而改变晶圆的物理或化学性质。
[0003]在离子注入的过程中正电荷逐步累积在晶圆上，产生放电现象并导致晶圆形成缺陷，有缺陷的晶圆将影响半导体的后续制程。
[0004]因此，需要提供一种离子注入方法及设备，避免在晶圆上产生颗粒缺陷。

技术实现思路

[0005]本公开的实施例提供一种离子注入方法，可以避免由于电弧放电导致的正电荷累积在晶圆上产生缺陷。所述离子注入方法，包括：产生离子束，所述离子束适于向电子萃取电场运动；还包括：向所述离子束中提供电子以进行电荷中和，所述电子的量与所述离子束中离子的束流大小相关。
[0006]在一些实施例中，所述电子通过对气体进行电离产生。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种离子注入方法，包括：产生离子束，所述离子束适于向电子萃取电场运动；其特征在于，还包括：向所述离子束中提供电子以进行电荷中和，所述电子的量与所述离子束中离子的束流大小相关。2.根据权利要求1所述的离子注入方法，其特征在于，所述电子通过对气体进行电离产生。3.根据权利要求2所述的离子注入方法，其特征在于，通过电弧电源提供电弧电流对所述气体进行电离，所述电弧电流为3A～5A，阴极放电的电子束流为12μA～20μA。4.根据权利要求2所述的离子注入方法，其特征在于，所述气体为惰性气体，通入所述气体速度为0.2sccm～0.5sccm。5.根据权利要求1所述的离子注入方法，其特征在于，所述电子萃取电场的电压为3V。6.根据权利要求1所述的离子注入方法，其特征在于，所述离子束的束流为400μA～600μA。7.一种离子注入设备，其特征在于，包括：离子束提供设备，适于提供离子束；电子提供设备，适于提供电子以便中和所述离子束的一部分；工艺腔，适于在其中使离子束注入晶圆。8.根据权利要求7所述的离子注入设备，其特征在于，所述电子提供设备还包括：等离子流枪；所述等离子流枪包括腔体，所述腔体内配置有电弧电...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘元亚，张家瑞，李小康，蒋辉，魏炯，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：