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本公开的实施例提供一种离子注入方法、离子注入设备以及形成轻掺杂源漏区的方法，所述离子注入方法包括：产生离子束，所述离子束适于向电子萃取电场运动；向所述离子束中提供电子以进行电荷中和，所述电子的量与所述离子束中离子的束流大小相关。通过本公开的...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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