【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有增益提升的放大器
[0001]优先权的声明
[0002]本专利申请要求于2019年10月17日提交并转让给本专利申请的受让人的题为“AMPLIFIER WITH GAIN BOOSTING”的申请号16/656,310的优先权，并且在此通过引用明确并入本文中。
[0003]本公开的各方面一般涉及信号放大，并且更具体地涉及放大器。
技术介绍
[0004]在一种系统中，信号可以跨通道从发射设备被发射到接收设备。该通道可以用作低通滤波器，其中该通道在高频处使信号衰减越来越大的量。频率相关衰减可以引起(尤其是在高频处)跨通道发射的信号的失真。为了解决这个问题，接收设备可以包括具有在高频处的增益提升的放大器以补偿在高频处的高信号衰减。
技术实现思路
[0005]下文呈现一个或多个实现的简化概述以便提供对这样的实现的基本理解。本概述不是所有预见到的实现的广泛概述并且既不旨在识别所有实现的重要或关键元件也不旨在划定任何或所有实现的范围。其唯一目的是以简化形式呈现一个或多个实现的一些概念作为对稍后呈现的更
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种放大器，包括：第一晶体管，包括栅极、漏极和源极，其中所述第一晶体管的所述栅极被耦合到所述放大器的第一输入部；第二晶体管，包括栅极、漏极和源极，其中所述第二晶体管的所述栅极被耦合到所述放大器的第二输入部；第一信号路径，耦合在所述放大器的所述第一输入部与所述第二晶体管的所述源极之间；第二信号路径，耦合在所述放大器的所述第二输入部与所述第一晶体管的所述源极之间；第一负载，耦合到所述第一晶体管的所述漏极；以及第二负载，耦合到所述第二晶体管的所述漏极。2.根据权利要求1所述的放大器，还包括：电阻器，耦合在所述第一晶体管的所述源极与所述第二晶体管的所述源极之间；以及电容器，耦合在所述第一晶体管的所述源极与所述第二晶体管的所述源极之间。3.根据权利要求1所述的放大器，其中所述第一信号路径包括第一电容器，并且所述第二信号路径包括第二电容器。4.根据权利要求3所述的放大器，还包括：第一偏置电流源，耦合到所述第一晶体管的所述源极；以及第二偏置电流源，耦合到所述第二晶体管的所述源极。5.根据权利要求3所述的放大器，还包括：阻感电路，耦合在所述第一晶体管的所述源极与所述第二晶体管的所述源极之间，所述阻感电路包括：电阻器；第一电感器；和第二电感器，其中所述第一电感器和所述第二电感器与所述电阻器串联地耦合；以及电容器，耦合在所述第一晶体管的所述源极与所述第二晶体管的所述源极之间。6.根据权利要求3所述的放大器，其中所述第一信号路径还包括与所述第一电容器串联耦合的第一电阻器，并且所述第二信号路径还包括与所述第二电容器串联耦合的第二电阻器。7.根据权利要求6所述的放大器，还包括：第一阻抗匹配电路，耦合到所述第一电阻器，所述第一阻抗匹配电路包括：第三电阻器；和第一电感器，与所述第三电阻器串联耦合；以及第二阻抗匹配电路，耦合到所述第二电阻器，所述第二阻抗匹配电路包括：第四电阻器；和第二电感器，与所述第四电阻器串联耦合。8.根据权利要求1所述的放大器，还包括：第一阻抗匹配电路，耦合到所述放大器的所述第一输入部，所述第一阻抗匹配电路包括：第一电阻器；和
第一电感器，与所述第一电阻器串联耦合；以及第二阻抗匹配电路，耦合到所述放大器的所述第二输入部，所述第二阻抗匹配电路包括：第二电阻器；和第二电感器，与所述第二电阻器串联耦合。9.根据权利要求1所述的放大器，其中所述第一负载包括第一负载电阻器，并且所述第二负载包括第二负载电阻器。10.根据权利要求9所述的放大器，其中所述第一负载还包括与所述第一负载电阻器串联耦合的第一负载电感器，并且所述第二负载还包括与所述第二负载电阻器串联耦合的第二负载电感器。11.根据权利要求10所述的放大器，其中所述第一负载被耦合在所述第一晶体管的所述漏极与接地之间，并且所述第二负载被耦合在所述第二晶体管的所述漏极与所述接地之间。12.根据权利要求1所述的放大器，其中所述第一晶体管包括第一p型场效应晶体管(PFET)，并且所述第二晶体管包括第二PFET。13.根据权利要求12所述的放大器，其中所述第一负载被耦合在所述第一晶体管的所述漏极与接地之间，并且所述第二负载被耦合在所述第二晶体管的所述漏极与所述接地之间。14.根据权利要求13所述的放大器，还包括：第一偏置电流源，耦合在所述第一晶体管的所述源极与电压供应轨之间；和第二偏置电流源，耦合在所述第二晶体管的所述源极与所述电压供应轨之间。15.根据权利要求1所述的放大器，还包括：第三晶体管，包括栅极、漏极和源极，其中所述第三晶体管的所述栅极被耦合到所述放大器的所述第一输入部，并且所述第三晶体管的所述漏极被耦合到所述第一负载；和第四晶体管，包括栅极、漏极和源极，其中所述第四晶体管的所述栅极被耦合到所述放大器的所述第二输入部，并且所述第四晶体管的所述漏极被耦合到所述第二负载。16.根据权利要求15所述的放大器，其中所述第一信号路径包括第一电容器，并且所述第二信号路径包括第二电容器。17.根据权利要求16所述的放大器，其中所述第一信号路径还包括与所述第一电容器串联耦合的第一电阻器，并且所述第二信号路径还包括与所述第二电容器串联耦合的第二电阻器。18.根据权利要求15所述的放大器，还包括：第一偏置电流源，耦合到所述第一晶体管的所述源极；第二偏置电流源，耦合到所述第二晶体管的所述源极；第三偏置电流源，耦合到所述第三晶体管的所述源极；以及第四偏置电流源，耦合到所述第四晶体管的所述源极。19.一种系统，包括：发射机；通道，耦合到所述发射机的输出部，所述通道包括第一传输线路和第二传输线路；
放大器，具有第一输入部和第二输入部，其中所述第一...
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