一种铌酸锂电光调制器及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种铌酸锂电光调制器，包括衬底、基于绝缘体上铌酸锂薄膜(LNOI)制成的脊型波导、电极、电介质(Dielectrics)以及覆盖层。其中，铌酸锂薄膜置于一层微米厚度的绝缘体上，绝缘层为二氧化硅,铌酸锂薄膜的厚度为300

【技术实现步骤摘要】
一种铌酸锂电光调制器及其制备方法


[0001]本专利技术属于光信息处理领域，尤其涉及一种铌酸锂电光调制器及其制备方法。

技术介绍

[0002]激光外调制技术一直是光通信领域的研究热点。基于铌酸锂电光效应的相位和强度调制器具有大带宽、低损耗，在高速光通信领域极具应用前景。体材料铌酸锂上基于钛扩散或质子交换波导的电光调制器已商业化并被广泛使用。现有技术中存在的基于体材料铌酸锂的钛扩散或质子交换波导，波导宽度为5
‑
8微米，电极与波导用二氧化硅覆盖。由于波导宽度较大，为了获得较低的半波电压，器件设计尺寸为0.8
‑
4厘米。波导宽度较大同时造成了其光局域能力受到限制，导致调制带宽受到限制(约10G赫兹)。此外，器件的设计尺寸太大导致器件不便于大规模集成，难以满足现代通信对于调制带宽快速提升的需求。
[0003]为了解决以上问题，现有技术中出现了基于绝缘体上铌酸锂薄膜(LNOI)的电光调制器。基于绝缘体上铌酸锂薄膜的脊型波导相较于传统体材料铌酸锂中的钛扩散或质子交换波导，宽度更小，拥有更强的光局域能力。例如，现本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铌酸锂电光调制器，包括波导、电极、电介质和覆盖层，其特征在于，所述覆盖层被设置在所述波导和所述电极的表面，并覆盖所述波导和所述电极的表面；所述电介质设置在所述波导与所述电极之间。2.如权利要求1所述的铌酸锂电光调制器，其特征在于，所述电介质所采用的材料的介电常数大于所述覆盖层的材料的介电常数。3.如权利要求2所述的铌酸锂电光调制器，其特征在于，所述波导包括单脊型波导，所述单脊型波导包括第一脊型波导，所述电极包含第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极被分别设置于所述第一脊型波导的两侧。4.如权利要求3所述的铌酸锂电光调制器，其特征在于，所述电介质包括第一部分和第二部分，所述第一部分被设置于所述第一电极与所述第一脊型波导之间，所述第二部分被设置于所述第二电极与所述第一脊型波导之间。5.如权利要求2所述的铌酸锂电光调制器，其特征在于，所述波导包括双脊型波导，所述双脊型波导包括第二脊型波导与第三脊型波导，所述电极包含第三电极、第四电极以及第五电极，所述第三电极被设置于所述第二脊型波导的外侧，所述第四电极被设置于所述第二脊型波导与所述第三脊型波导之间，所述第五电极被设置于所述第三脊型波导外侧。6.如权利要求5所述的铌酸锂电光调制器，其特征在于，所述电介质包括第三部分、第四部分、第五部分、第六部分，所述第三部分被设置于所述第三电极与所述第二脊型波导之间，所述第四部分被设置于所述第二脊型波导与所述第四电极之间，所述第五部分被设置于所述第四电极与所述第三脊型波导之间，所述第六部分被设置于所述第三脊型波导与所述第五电极之间。7.如权利要求6所述的铌酸锂电光调制器，其特征在于，所述双脊型波导的材料包括X或Y切绝缘体上铌酸锂薄膜。8.如权利要求7所述的铌酸锂电光调制器，其特征在于，所述绝缘体包括二氧化硅绝缘层。9.如权利要求8所述的铌酸锂电光调制器，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈玉萍，刘一岸，陈险峰，颜雄硕，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：