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本发明提供了一种铌酸锂电光调制器，包括衬底、基于绝缘体上铌酸锂薄膜(LNOI)制成的脊型波导、电极、电介质(Dielectrics)以及覆盖层。其中，铌酸锂薄膜置于一层微米厚度的绝缘体上，绝缘层为二氧化硅,铌酸锂薄膜的厚度为300
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该专利属于上海交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海交通大学授权不得商用。

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