场效应晶体管及其制备方法技术

一种场效应晶体管的制备方法，其包括以下步骤：提供一石墨烯纳米带复合结构，该石墨烯纳米带复合结构包括一衬底和多个石墨烯纳米带，该多个石墨烯纳米带间隔设置在所述衬底上并且沿同一方向延伸，所述衬底具有多个间隔设置的凸起；在每个石墨烯纳米带的两端间隔形成一源极及一漏极，并使该源极及漏极与该石墨烯纳米带电连接；形成一绝缘层于所述多个石墨烯纳米带远离衬底的表面；以及形成一栅极于所述绝缘层远离衬底的表面。绝缘层远离衬底的表面。绝缘层远离衬底的表面。

【技术实现步骤摘要】
场效应晶体管及其制备方法


[0001]本专利技术涉及一种场效应晶体管及其制备方法。

技术介绍

[0002]场效应晶体管(Field Effect Transistor，缩写FET)简称场效应管，主要有两种类型：结型场效应管(junction FET
‑
JFET)和金属
‑
氧化物半导体场效应管(metal
‑
oxide semiconductor FET，简称MOS
‑
FET)。场效应晶体管由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管，属于电压控制型半导体器件。场效应晶体管具有输入电阻高、噪声小、功率低等优点，已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
[0003]现有技术中，场效应晶体管中形成半导体层的材料为非晶硅或多晶硅等。以非晶硅作为半导体层的非晶硅场效应晶体管的制备技术较为成熟，但在非晶硅场效应晶体管中，由于半导体层中通常含有大量的悬挂键，使得载流子的迁移率很低，从而导致场效应晶体管的响应速度较慢。以多晶硅作为半导体层的场效应晶体管相对于以非晶硅作为半导体层的场本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种场效应晶体管的制备方法，其包括以下步骤：提供一石墨烯纳米带复合结构，该石墨烯纳米带复合结构包括一衬底和多个石墨烯纳米带，该多个石墨烯纳米带间隔设置在所述衬底上并且沿同一方向延伸，所述衬底具有多个间隔设置的凸起；在每个石墨烯纳米带的两端间隔形成一源极及一漏极，并使该源极及漏极与该石墨烯纳米带电连接；形成一绝缘层于所述多个石墨烯纳米带远离衬底的表面；以及形成一栅极于所述绝缘层远离衬底的表面。2.如权利要求1所述的场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述石墨烯纳米带复合结构的制备方法包括以下步骤：提供一衬底，该衬底包括多个间隔设置的凸起；在一生长基底上生长石墨烯膜；将一粘胶层设置在所述石墨烯膜远离生长基底的表面；去除所述生长基底，并利用水或有机溶剂清洗；将所述衬底与所述石墨烯膜、所述粘胶层复合，并干燥，得到一第一复合结构，该第一复合结构包括所述衬底、所述石墨烯膜和所述粘胶层，所述石墨烯膜位于所述粘胶层与所述衬底之间；去除所述粘胶层，得到一第二复合结构，该第二复合结构包括所述衬底和所述石墨烯膜，所述石墨烯膜位于所述衬底上，并且所述石墨烯膜在每一凸起附近形成一褶皱；以及从所述石墨烯膜远离衬底的表面进行刻蚀，将除褶皱以外的石墨烯膜去除，得到石墨烯纳米带复合结构，该石墨烯纳米带复合结构包括多个间隔设置的石墨烯纳米带。3.如权利要求1所述的场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述衬底的制备方法包括以下步骤：在一基底上设置一掩膜层，该掩膜层具有相对的第一表面和第二表面，第一表面与所述基底接触，所述掩膜层具有多个间隔设置的通孔；在所述第二表面设置一金属层，并且该金属层填充所述通孔；剥离所述掩膜层，掩膜层第二表面上的金属层也同时被去除，通孔内的金属层依然保留在所述基底上；将保留在所述基底上的金属层作为掩膜，对所述基底进行刻蚀；以及去除保留在所述基底上的金属层，得到所述衬底。4.如权利要求3所述的场效应晶体管的制备方法，其特征在于，在所述基底的表面上设定一X方向和一Y方向，X方向与Y方向相互垂直，所述褶皱位于相邻凸起之间的衬底本体表面上且沿Y方向延伸。5.如权利要求2所述的场效应晶体管的制备方法，其特征在于，将...

【专利技术属性】
技术研发人员：张天夫，张立辉，金元浩，李群庆，范守善，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：